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英飞凌推出面向高能效电源应用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品

  • 英飞凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOP™ IGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。在分立式封装中，650 V TRENCHSTOP™ IGBT7
  • 关键字： 英飞凌  IGBT7  

功率半导体－马达变频器内的关键组件

  • 全球有约 30% 的发电量用于驱动工业应用中的马达，而全球工业产业消耗的能源量预期到 2040 年将成长一倍。随着对能源成本和资源有限的意识不断提高，未来提升驱动马达用电效率的需求将会越来越显著。
  • 关键字： IGBT7  SiC MOSFET  马达变频器  功率半导体  英飞凌  
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