- 氮化镓充电器频繁的出现在我们的视线中，那么氮化镓充电器与普通充电器有什么不一样呢？我们一起来看看。 氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的
- 关键字：
氮化镓 GaN 充电器
- 2022年3月21日Power Integrations宣布推出节能型HiperLCS™-2芯片组以及集成750V PowiGaN™氮化镓开关的HiperPFS™-5系列功率因数校正(PFC)IC。 据了解，HiperLCS-2双芯片解决方案由一个隔离器件和一个独立半桥功率器件组成。其中的隔离器件内部集成了高带宽的LLC控制器、同步整流驱动器和FluxLink™隔离控制链路。而独立半桥功率器件则采用Power Integrations独特的600V FREDFET，具有无损耗的电流检测，同时集成有上
- 关键字：
PI HiperLCS-2芯片组 HiperPFS-5 GaN
- 半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用于基地台、数据中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路。 EcoGaN首波产品 GNE10xxTB系列?有助基地台和数据中心实现低功耗和小型化一般来说，GaN组件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，有助降低各种电源功耗和实现外围组件小型化。但其闸极耐压很低，因此在开关工作时的组件可靠性方面尚存在课题。针对该课题，RO
- 关键字：
SiC GaN ROHM
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量产体制，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2高达8V，非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。一般而言，GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低，在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。针对这一课题，ROHM的新产品通过采用自有的结构，成功
- 关键字：
ROHM 150V GaN HEMT
- 一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板，空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1）空载测试驱动空载输出12V，gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2）加载 24转55V 2A dcdc驱动信号波形如下：带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度，3uS左右总结由于轻负载，温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品，以后有对应设备
- 关键字：
SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
- 测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源，只能使用一般的电源，且手上只有一个低压直流稳压源，所以这稳压电源既用于给开发板电源供电，又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载，可恒流或者恒压或者恒负载，测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号，用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改：两个直流电源换成CBB电容，在Hvdc母线上加上12V电
- 关键字：
SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
- 感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板，有幸参与评估板的测试。拿到评估板的第一感觉就是扎实，评估板四层PCB的板子厚度达到了30mm；高压区域也有明显的标识。
- 关键字：
SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
- 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
- 关键字：
SiC 碳化硅 MOSFET
- 本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
- 关键字：
SiC 碳化硅 SBD
- 反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
- 关键字：
SiC 碳化硅 SBD
- SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
- 关键字：
SiC 碳化硅
- 碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。本文来了解一下它的物理特性和特征。
- 关键字：
SiC 碳化硅
- 意法半导体（ST）作为全球领先的汽车半导体供应商之一，多年前就开始布局新能源汽车领域，在2019年正式成立新能源车技术创新中心，推出了SiC牵引电机逆变器的整体解决方案。该方案按照功能安全IS026262标准流程开发，满足ASIL D等级。基于AutoSAR的软件架构和模型化的软件算法，为客户前期方案评估和后续开发提供了便利，大大缩短了整个研发周期。
- 关键字：
SiC 碳化硅 牵引逆变器
gan+sic介绍
您好，目前还没有人创建词条gan+sic!
欢迎您创建该词条，阐述对gan+sic的理解，并与今后在此搜索gan+sic的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
