1 中国新能源汽车市场的需求特点首先，中国的电动化发展速度很快，中国企业的创新力旺盛，而且直接从传统汽车向新能源汽车过渡，没有美国或欧洲企业所面临的复杂的“技术遗产”问题。相比欧美，新兴的中国车企更期待新能源汽车。在中国，功率转换系统在汽车中的应用非常广泛，这就是为什么ST专注于与中国客户合作开发电源管理系统。ST汽车和分立器件产品部大众市场业务拓展负责人公司战略办公室成员Giovanni Luca SARICA2 SiC在成本上有优势吗SiC解决方案的成本
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新能源汽车 SiC
GaN（氮化镓）作为新一代半导体材料，正有越来越广泛的应用。近日，德州仪器（TI）宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET，分别面向车用充电器和工业电源，可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会？此次GaN FET的突破性技术是什么？为此，电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1 GaN在电源领
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GaN FET SiC
John Grabowski：安森美半导体电源方案部门的首席应用和市场工程师，部门位于美国密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半导体，此前他曾在福特汽车公司研究实验室工作30年。他一直从事电路和软件设计，应用于电气、混合动力汽车和汽车动力总成系统。最近，他的团队积极推动将高功率半导体应用于汽车电子化。引言为应对气候变化，汽车减排降油耗势在必行。如今，许多国家/地区的法律强制要求汽车制造商做出这些改变。为实现这一目标，其中一种方式就是采用混合动力，即在汽油或柴油车辆的传动链中
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GaN 48V
延续9月4日以来的火热行情，9月17日，A股第三代半导体概念股持续强劲，双良节能、易事特涨停，多只概念股个股涨超7%。证券时报·e公司记者梳理发现，截至9月17日，已通过深交所互动易或公告形式披露公司确有第三代半导体产业链业务，或已积累相关技术专利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半导体方面有实际业务，或已出货相关产品，但多数为小批量出货，销售收入占上市公司比例较小。三代半导体概念持续火热近段时间以来，以碳化硅、氮化镓、金刚石为代表的第三代半导体产业概念股异军突起，成为低迷震荡行情下一道亮
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第三代芯片 三代半导体 GaN
随着电动汽车（EV）数量的增加，对创建更加节能的充电基础设施系统的需求也在日益增长，如此便可更快地为车辆充电。与先前的电动汽车相比，新型电动汽车具有更高的行驶里程和更大的电池容量，因此需要开发快速直流充电解决方案以满足快速充电要求。150 kW或200 kW的充电站约需要30分钟才能将电动汽车充电至80％，行驶大约250 km。根据联合充电系统和Charge de Move标准， 快速DC充电站 可提供高达400 kW的功率。今天，我们将研究驱动更快、更安全、更高效的充电器的半导体技术
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EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商 UnitedSiC 近日宣布与益登科技签署代理协议，益登科技是总部位于台湾的半导体产品主要分销商和解决方案供应商。益登科技将与UnitedSiC合作，助其将产品推向亚洲市场，为包括电动汽车、电池充电、IT基础设施、可再生能源和电路保护等高增长应用领域的客户提供产品方案。UnitedSiC全球销售和营销副总裁Yalcin BulutUnitedSiC全球销售和营销副总裁Yalcin Bulut 表示：“亚洲市场正在迅速崛起，急需采用能够实现新产品差异化的新技术。益登的
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SiC 电动汽车
( BUSINESS WIRE )-- 高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的知名公司Power Integrations 近日推出 LYTSwitch™-6 系列安全隔离型LED驱动器IC的最新成员 —— 适合智能照明应用的新器件LYT6078C。这款新的LYTSwitch-6 IC采用了Power Integrations的PowiGaN™氮化镓(GaN)技术，在该公司今天同时发布的新设计范例报告 ( DER-920 ) 中，展现了
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GaN IC PWM
新基建涵盖了广泛的领域，并对半导体电源设计提出了各种挑战。其中最大的挑战之一是要找到一种以更小尺寸和更低成本提供更多电力的方法。第二个挑战是如何帮助设计师在这些竞争激烈的市场中脱颖而出。为应对这些挑战，TI提供了多种解决方案。以下我将分享有关TI GaN解决方案的更多详细信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工业和汽车市场的各类应用。TI GaN在一个封装中集成高速栅极驱动器和保护功能，可提供优异的开关速度和低损耗。如今，我们的GaN应用于交流/直流电源和电机驱动器、电网基础设施和汽车
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OBC GaN 202009
目前，碳化硅市场正处于快速增长中，根据各大咨询机构统计，碳化硅在电源的功率因数校正（PFC）、太阳能逆变器、光伏逆变器、不间断电源、5G、通信电源、高频开关电源等领域都拥有非常广阔的市场。与传统硅材料相比，新一代的宽禁带半导体材料碳化硅可提供高场强、高能隙，以及高电子移动速度和热导率，让下一代半导体器件的性能得到革命性提升。
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安森美 SiC 碳化硅
5 推动电源管理变革的5大趋势电源管理的前沿趋势我们矢志不渝地致力于突破电源限制：开发新的工艺、封装和电路设计技术，从而为您的应用提供性能出色的器件。无论您是需要提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性，还是维持在高电压下的安全性，我们都致力于帮您解决电源管理方面的挑战。德州仪器 (TI)：与您携手推动电源进一步发展的合作伙伴 。1 功率密度提高功率密度以在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能2 低 IQ在不影响
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QFN EMI GaN MCM
全球电子元器件与开发服务分销商 e络盟 新近发布名为《AIoT时代——AIoT发展背景、功能与未来》的电子书，旨在为专业工程师、创客和电子爱好者提供人工智能相关专业知识，助力他们更加顺利地进行人工智能应用开发并开拓出更多新型市场应用。本册电子书汇集了人工智能详细路线图和类别，阐释了人工智能、机器学习（ML）和深度学习（DL）之间的关系，并详细介绍了神经网络相关技术。书中还向读者推荐了数款适用于首次进行人工智能物联网方案开发的优质平台。人工智能和物联网将彻底改变人类的工作方式。目前，人工
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TTS STT AIoT CNN RNN GAN
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
德州仪器(TI)是推动GaN开发和支持系统设计师采用这项新技术的领军企业。TI基于GaN的电源解决方案和参考设计，致力于帮助系统设计师节省空间、取得更高电源效率及简化设计流程。TI新颖的解决方案不仅可以优化性能，而且攻克了具有挑战性的实施问题，使客户得以设计高能效系统，建设更绿色环保的世界。
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MOSEFT GaN UPS
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，推出一款适用于 太阳能逆变器应用 的 全SiC功率模块 ，该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用，用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。 NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V，40 A SiC升压二极管。 SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速
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MOSFET SiC PIM 光伏逆变器
宽禁带 材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试周期。我们的预测性离散建模可以进行系统级仿真
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IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
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