罗姆SiC评估板测评：射频热凝控制仪测试

测试设备

①直流电源

由于手上没有高电压的直流电源，只能使用一般的电源，且手上只有一个低压直流稳压源，所以这稳压电源既用于给开发板电源供电，又用于半桥母线电源。

②电子负载

半桥电源电源的输出负载，可恒流或者恒压或者恒负载，测试电源的带载能力非常好用。

③信号发生器

产生不同频率的可调制的方波信号，用于MOS管的驱动

④示波器

观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形

⑤万用表

测量各测试点的电压

⑥温度巡检仪

测量带载后MOS管的温度

测试拓扑

将说明书中电路按照上述描述修改：两个直流电源换成CBB电容，在Hvdc母线上加上12V电压源。

成果展示

由于时间匆忙，只使用DC12V母线电压，100KHz的开关频率进行测试。测试过程中没有拍摄波形图片，只是随手记录了一些测试结果，测试结果显示：

1）SiC MOS管的温升很低，150W输出功率下，管子不需要散热片

2）硬件死区时间设置非常好，比软件可靠

3）各处波形更接近理想模型。

评估板试用感受

板子做的很精致，电路设计的也很用心，由于时间紧张没有来得及与一般MOS管做对比，但是从我测试数据以及经验来说，SiC MOS管确实比一般MOS管性能好很多，后对高要求设计中会优先采用SiC MOS管。