碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了 碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。本文为第二篇，将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点SiC JFET● 常开型● 极低的导通电阻 RDS(on)
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安森美 碳化硅
近期，思来半导体（Silai Semicon） 已完成第三批兼容12 英寸碳化硅（SiC）衬底的激光剥离（LLO）量产设备交付。公司核心研发团队源自华中科技大学激光科学专业，具备强劲创新能力与多年激光行业深厚技术积累。针对莫氏硬度达 9.5、接近钻石的碳化硅单晶，团队自主研发专属激光剥离技术，先后推出 6 英寸、8 英寸、12 英寸碳化硅衬底量产设备。相较于行业现有方案，思来设备具备显著技术差异化优势：业内首创片上系统（SoC）集成光源架构，比传统多光源方案集成度更高、稳定性更强。配备自由曲面光束整形技术
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思来半导体 12英寸 碳化硅 激光剥离
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。本文为第一部分，将重点介绍碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。碳化硅如何革新电源设计工业电源设备，本质上就像一座本地化的电力精炼厂。试想这样一个场景：如果原油通过管道直接输送给每位终端用户，所有精炼工序都在用户端完成——那么消费者使用的燃油车辆、农用机械或发电机（尤其是备用电源）能否实现高
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安森美 碳化硅 服务器电源
Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出BZPACK mSiC®功率模块，专为满足严苛的高湿、高电压、高温反偏（HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK模块可提供卓越可靠性、简化生产流程，并为最严苛的功率转换应用提供丰富的系统集成方案。该模块支持多种拓扑结构，包括半桥、全桥、三相及 PIM/CIB 配置，为设计人员提供优化性能、成本与系统架构的灵活空间。BZPACK mSiC功率模块通过测试并满足超过1000小时标准的HV-H3TRB标准，为工业及可再生能源应用部署提供
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Microchip 碳化硅
英飞凌科技股份公司近日宣布，全球最大汽车制造商丰田已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌的CoolSiC™ MOSFET（碳化硅功率MOSFET）产品。这款碳化硅MOSFET集成在车载充电器（OBC）和DC/DC转换器中，利用碳化硅材料低损耗、耐高温、耐高压的特性和优势，能够有效延长电动汽车的续航里程并缩短充电时间。丰田新款bZ4X车型在车载充电器与DC/DC转换器中采用了英飞凌CoolSiC™技术（图片由丰田提供）英飞凌科技执行副总裁、汽车业务首席营销官Peter Schaefer表示：“全球最大的汽车制
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英飞凌 碳化硅 功率半导体
2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元，年复合增长率约为 14%。汽车电动化推动碳化硅（SiC）衬底市场发展，射频领域仍由砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）主导，磷化铟（InP）助力光子学技术加速发展，发光二极管（LED）与微发光二极管（MicroLED）则依托氮化镓、砷化镓、蓝宝石及硅基平台发展。化合物半导体供应链正围绕头部企业整合：碳化硅晶圆领域有沃尔夫速（Wolfspeed）、相干公司（Coherent），功率器件领域为英飞凌科技（Infineon Tec
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化合物半导体 衬底 年复合增长率 碳化硅 SiC
英飞凌宣布，其碳化硅功率半导体器件被丰田新款纯电动车型 bZ4X 选用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 将应用于该车的车载充电器（OBC）与直流 - 直流转换器（DC/DC）中。对于欧洲电子工程新闻网的读者而言，这一消息清晰体现出碳化硅的应用正加速突破牵引逆变器领域，延伸至汽车核心的功率转换模块；同时也凸显出车企正愈发广泛地采用宽禁带半导体器件，以实现电动汽车快充提速、续航提升等可量化的性能优化。碳化硅深度融入丰田电动汽车功率电子系统据官方消息，丰田此次为 bZ4X 的车载充电器和直流 - 直
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英飞凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 丰田 bZ4X
在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章，本文将继续为您揭开这些误区的真相（误区一见：碳化硅何以英飞凌？—— 沟槽栅技术可靠性真相），并介绍英飞凌如何通过技术创新应对这些挑战。常见误区2：“SiC的性能主要看单位面积导通电阻Rsp，电阻越小，产品越好。与平面栅相比，沟槽栅SiC的电阻在高温下漂移更大，这是否会影响可靠性”01多元化的性能评价更全面Rsp并非唯一评价标准虽然Rsp越小
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英飞凌 碳化硅 MOSFET
电动汽车 (EV)、可再生能源系统和人工智能 (AI) 数据中心等领域电气化进程的持续提速，正不断给电源系统带来更大压力，对电源系统的效率、小型化及低温运行能力提出了更高要求。这构成了一个长期存在的难题：功率密度的提升与系统尺寸的缩减往往会造成严重的散热瓶颈。这是当下电源系统设计人员面临的核心挑战，高效的散热管理已成为一大设计难关。全球市场正加速碳化硅 (SiC) 技术的应用落地，但散热设计却时常成为掣肘 SiC 性能发挥的因素。传统封装方案往往力不从心，难以满足大功率碳化硅
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安森美 散热 碳化硅 T2PAK封装
安森美（onsemi）凭借其业界领先的Si和SiC技术，从变电站的高压交流/直流转换，到处理器级的精准电压调节，为下一代AI数据中心提供了从3kW到25-30kW HVDC的供电全环节高能效、高密度电源解决方案。特别是近期，安森美携手英伟达，共推下一代AI数据中心加速向800V直流供电方案转型，这种技术能力的广度和深度使安森美成为少数能以可扩展、可实际落地的设计满足现代AI基础设施严苛供电需求的公司之一。在2025 PCIM Asia 展会期间，安森美 SiC JFET产品市场经理Brandon Beck
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岁末将至，回顾2025年科技领域，英飞凌在碳化硅（SiC）赛道成绩斐然，凭借一系列创新产品与前沿技术，为行业发展注入强劲动力，成为行业瞩目的焦点。小编贴心地按照产品发布和技术发布这两大板块，给大家挑选部分亮点产品，方便各位看官全方位了解，咱们这就开整！01产品发布：多元布局，精准覆盖多领域需求1CoolSiC™ MOSFET G2 1200V和1400V单管：多种封装组合全面升级，满足多样化应用场景11.8CoolSiC™ MOSFET G2 1200V单管CoolSiC™ MOSFET G2 1400V
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● 动态无线充电道路系统可在客车与卡车行驶于道路及高速公路上时为其充电● 英飞凌定制碳化硅模块可大幅提高功率密度，使电动汽车搭载更小的电池，实现24小时全天候运行● 动态无线充电道路系统解决方案是减少交通运输领域碳排放的一项关键创新Electreon 的动态无线充电系统采用英飞凌的碳化硅模块，大幅提升了其性能、可靠性与能效英飞凌科技股份公司将为领先的电动汽车（EV）无线充电解决方案提供商 Electreon提供定制碳化硅（S
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Melexis正在制造全硅RC缓冲器，用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反金属化兼容烧结和焊接。该硅吸收器设计用于直流链路，最高可达1000伏直流，峰值可达1200伏，击穿额定值将超过1500伏。据公司介绍，它们“在电压超过150伏时保持恒定电容，并在10nA附近表现出泄漏电流”。“有多种R和C组合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具体生产
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全硅 RC 缓冲器 碳化硅 MOSFET 电压瞬变抑制
创新型碳化硅功率解决方案的全球引领者 Wolfspeed 公司近日宣布与全球可再生能源解决方案创新者深圳市禾望电气股份有限公司（禾望电气，Hopewind）达成合作。两家公司通过将 Wolfspeed 尖端的 2.3 kV LM Pack 模块集成到禾望电气先进的高度模块化、轻量化的 950 Vac 风电变流器之中，共同推动下一代风电解决方案的开发。作为中国最大的风电变流器供应商之一，禾望电气对其风电解决方案采用了新颖的方法：该产品采用碳化硅（SiC）器件和高可靠性封装技术，实现了功率密度提升 38% 和
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禾望电气 Wolfspeed 碳化硅 风能
安森美(onsemi) 宣布已与奥拉半导体（Aura Semiconductor）完成Vcore电源技术及相关知识产权（IP）的授权交易。此项战略交易增强了安森美的电源管理产品组合与路线图，加速实现公司在人工智能（AI）数据中心应用中覆盖从电网到核心的完整电源树的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技术领域拥有数十年的创新积累，为固态变压器、电源、800 V直流配电以及核心供电等应用提供行业领先的解决方案。通过整合这些技术，安森美将成为少数几家能够以可扩展、实用的设计，满足现代AI基础设施严苛电力需求的公司
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安森美 奥拉 Vcore 碳化硅 SiC
碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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