9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。项目背景碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。平面碳化硅 MOS
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碳化硅 mosfet 第三代半导体 宽禁带
据南京发布近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。公开资料显示，碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅MOS主要有平面结构和沟槽结构两种结构。目前业内应用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片为主。平面碳化硅MOS结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被
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碳化硅 沟槽型碳化硅 MOSFET
正如业界预期的那样，目前碳化硅正迈入高速增长阶段。观察市场情况，碳化硅产业热闹不断：英飞凌、意法半导体、天岳先进、三安光电、罗姆等大厂加速扩充碳化硅产能；英国Alan
Anderson公司和印度大陆器件公司CDIL签署合作协议，安森美与Entegris已开展合作，PVA TePle已与Scientific
Visual建立合作伙伴关系；印度首家半导体芯片制造商Polymatech
Electronics收购美国碳化硅相关公司Nisene；长飞先进与怀柔实验室签署碳化硅功率器件成果合作转化意向协
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碳化硅
近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圆厂启动。功率半导体大厂英飞凌于8月8日宣布，已正式启动位于马来西亚新晶圆厂的第一阶段，该晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂，预计2025年开始量产。碳化硅尺寸越大，单位芯片成本越低，故6英寸向8英寸转型升级是技术发展的必然趋势。业界人士称，预计从2026年至2027年开始，现在的6英寸碳化硅产品都将被8英寸产品替代。当前来看，第三代半导体碳化硅加速迈进8英寸时代，并引得“天下群雄”踊跃进军。据全球半导体观察不完全统计，英
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碳化硅
据外媒报道，8月5日，印度首家半导体芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收购美国公司Nisene
Technology Group Inc。此次收购由Polymatech位于新加坡的全资子公司Artificial Electronics
Intelligent Materials Pte Ltd.执行。Nisene即将上任的首席执行官Ryan
Young表示，此次收购补充了Polymatech的尖端产品组合，并推动了新产品的开发。资料显示，Nisene自20世纪70
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印度 碳化硅
● 马来西亚总理、吉打州州务大臣与英飞凌管理层共同出席了新晶圆厂一期项目的生产运营启动仪式。● 新晶圆厂将进一步巩固和增强英飞凌在全球功率半导体市场的领导地位。● 强有力的客户支持与承诺以及重要的设计订单为持续扩建提供了支撑。● 居林晶圆厂100%使用绿电并在运营实践中采取先进的节能和可持续举措。马来西亚总理拿督斯里安瓦尔·易卜拉欣、吉打州州务大臣拿督斯里莫哈末·沙努西与英飞凌科技首席执行官Jochen Han
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英飞凌 碳化硅 晶圆厂
IT之家 8 月 8 日消息，英飞凌今日宣布，其位于马来西亚的居林第三厂区（Kulim 3）一期正式启用。该阶段聚焦碳化硅（SiC）功率半导体的生产，也将关注氮化镓（GaN）外围晶圆。▲ 英飞凌居林第三厂区英飞凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建设计划，投资额达 20 亿美元（IT之家备注：当前约 143.43 亿元人民币），可创造 900 个高价值工作岗位。英飞凌此后又在 2023 年 8 月宣布了价值 50 亿美元（当前约 358.57 亿元人民币）的 Kulim 3 二期计划
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英飞凌 碳化硅 功率器件
毋庸置疑，从社会发展的角度，我们必须转向采用可持续的替代方案。日益加剧的气候异常和极地冰盖的不断缩小，清楚地证明了气候变化影响的日益加剧。但有一个不幸的事实是，摆脱化石燃料正被证明极其困难，向绿色技术的转变也带来了一系列技术挑战。无论是生产要跟上快速扩张的市场步伐，还是新解决方案努力达到现有系统产出水平，如果我们要让化石燃料成为过去，这些难题都必须被克服。对于电动汽车（EV）和太阳能电池板等应用，工程师面临着更多的挑战，因为敏感的电子元件必须在恶劣的环境中持续可靠地运行。为了进一步推动这些可持续解决方案，
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安森美 碳化硅
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碳化硅
新闻要点● 最新一代EliteSiC M3e MOSFET能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%● 该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗● 与安森美(onsemi) 智能电源产品组合搭配使用时，EliteSiC M3e 可以提供更优化的系统方案并缩短产品上市时间● 安森美宣布计划在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅产品 面对不断升级
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安森美 碳化硅 电气化转型
当地时间7月17日，美国商务部宣布与全球第三大半导体晶圆供应商环球晶圆（GlobalWafers）签署了不具约束力的初步备忘录（PMT）。环球晶圆承诺在美国投资约40亿美元（约合人民币290亿元）建设两座12英寸晶圆制造工厂。美国政府将向环球晶圆提供至多4亿美元（约合人民币29亿元）的《芯片法案》直接补助，以加强半导体元件供应链。据悉，环球晶圆将在德克萨斯州谢尔曼建立第一家用于先进芯片的300mm硅晶圆制造厂，在密苏里州圣彼得斯建立生产300mm绝缘体上硅（“SOI”）晶圆的新工厂。环球晶圆董事长徐秀兰表
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环球晶圆 晶圆厂 碳化硅
引言：随着新能源汽车产业的蓬勃发展，功率密度的不断提升与服役条件的日趋苛刻给车载功率模块封装技术带来了更严峻的挑战。碳化硅凭借其优异的材料特性，成为了下一代车载功率芯片的理想选择。同时，高温、高压、高频、大电流的工作环境对碳化硅模块内部封装材料的互连可靠性提出了更高要求，开发与碳化硅功率芯片匹配的新型互连材料和工艺亟需同步推进。传统互连材料的局限传统的高温锡基焊料和银烧结技术已在功率模块行业中活跃多年，但它们各自存在一定短板。例如，锡基焊料耐高温性能不足，热导率、电导率偏低，在高温下存在蠕变失效的风险，在
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基本半导体 铜烧结 碳化硅 功率模块
作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，拥有更加优异的物理和化学特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，减少体积和重量 30%~50%，可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求。SiC 器件可广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通信雷达和航空航天等领域。SiC 主要用于功率器件制造，与传统硅功率器件制造工艺不同，SiC 器件不能直接在 SiC 单晶材料上制造，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，在外延层上制造器件。在 SiC 产业链上，关键部分主要集中
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碳化硅
碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应用的理想之选。
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202407 太阳能 PV SiC FET 宽带隙 碳化硅 光伏
据日经中文网报道，日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体材料“碳化硅（SiC）”衬底的新制造技术。据介绍，中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）来制造SiC衬底的技术。与使用高温下升华的SiC使单晶生长（升华法）的传统技术相比，液相法在增大衬底尺寸以及提高品质方面更具优势。该技术可使衬底的制造成本降低10%以上，良率也会大幅度提升。由于利用液相法制备SiC衬底较为复杂，此前该技术一直未应用在实际生产中。中央硝子运用基于计算机的计算化学，通过推算溶液的动态等，成功量产出了6
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碳化硅 衬底
碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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