全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. 公司（纽约证券交易所代码：WOLF），今日宣布其全新 Premium 高端 200 mm n-型碳化硅（SiC）衬底正式商业化供货，进一步扩展公司 200 mm 碳化硅（SiC）材料产品组合。该全新产品采用更高品质起始基材，旨在通过减少缺陷和提升晶圆片形稳定性来提高良率。
关键字：
Wolfspeed
碳化硅
Premium
SiC
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET芯片，漏源电压额定值为3300V，漏极电流（DC）额定值为800A。其规格参数中标明了二极管部分的I²t极限值，该值是衡量浪涌电流能力的指标。
关键字：
东芝
MOSFET模块
碳化硅
MOSFET芯片
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，为可再生能源解决方案的领先提供商麦田能源提供碳化硅（SiC）功率半导体器件，助力提升其户用储能系统（ESS）的运行效率。麦田能源采用英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 Q-DPAK封装，将开关损耗降低70%。依托该技术，麦田能源PQ3-Ultra储能系统实现光伏逆变器最高并网效率98.78%，电池充放电最高效率达98.47%。英飞凌科技光伏与户用储能系统应用经理Am
关键字：
英飞凌
麦田能源
碳化硅
PQ3-Ultra储能系统
逆变器
Coherent 公司已向研发人工智能与高性能计算芯片的半导体客户送样300 毫米高热导率碳化硅（SiC）衬底。随着处理器功耗越来越高，散热管理成为一大难题，此举标志着该公司的大尺寸碳化硅技术，从内部研发阶段正式进入客户评估阶段。对于 eeNews 欧洲版的读者而言，这一进展意义重大：它让 300 毫米碳化硅距离在先进半导体封装与热管理领域的实际应用更近一步，同时也体现出材料供应商正在调整自身制造平台，以满足下一代 AI 基础设施的散热需求。借助碳化硅解决 AI 芯片散热难题AI 处理器功率密度不断提升，
关键字：
Coherent
AI芯片
300毫米
碳化硅
衬底
摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。本文为第二篇，将介绍三种替代Si和SiC MOSFET的方案。 （一）SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点（1） SiC JFET•
关键字：
碳化硅
SiC
MOSFET
202606
美国纽约州奥尔巴尼的 NoMIS Power 公司于 2020 年从纽约州立大学理工学院（SUNY Poly）分拆独立，专注面向中高压电能变换场景研发碳化硅（SiC）技术。该公司现已推出首款6.5kV 大芯片 SiC MOSFET样品。器件实测阻断电压超 8kV，导通电阻 90 毫欧，漏极电流 55A。
该成果标志着 NoMIS Power 成熟的平面型 SiC 器件技术，从已量产的 3.3kV 产品拓展至高压等级，同时为后续研发 10kV MOSFET 与 20kV SiC IGBT 打通了经过验证的
关键字：
NoMIS
6.5kV
大芯片
碳化硅
MOSFET
公告亮点• Wolfspeed与光宝科技 (LITEON) 宣布建立战略合作伙伴关系，为下一代人工智能 (AI) 数据中心部署提供 800 VDC 功率解决方案。• 光宝科技 (LITEON) 正与 Wolfspeed 合作，在其下一代 800 VDC sidecar 电源平台中采用碳化硅 (SiC) MOSFET，目标定位领先的超大规模数据中心客户及未来设计合作机会。• 依托 Wolfspeed 业界领先的 200mm 碳化硅 (SiC) 制造平台，为人工智能 (AI) 基础设施部署提供供应链韧性保障与
关键字：
Wolfspeed
光宝科技
电源
碳化硅
SiC
2026年作为“十五五”开局之年，我国产业发展迈入高效化、低碳化、智能化的全新迭代周期，智能网联新能源汽车、算电协同、新型电力系统、具身智能等新赛道不断崛起，半导体作为产业数字化与电气化融合的核心纽带，战略价值持续凸显。但是我国半导体产业也面临着诸多现实挑战：高端功率半导体结构性供给不足、技术生态迭代提速、市场供需错配等问题，我们该如何依托技术创新、本土化深耕破解产业痛点、实现价值突围，成为产业发展核心命题。近日，“英飞凌2026媒体日”在上海张江科学城举办，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、消费计
关键字：
英飞凌
英飞凌2026媒体日
碳化硅
SiC
氮化镓
GaN
MCU
加利福尼亚州圣何塞——2026年8月5日：专注于高能效电源转换高压集成电路研发Power Integrations（纳斯达克代码：POWI，简称PI），今日宣布其PowiGaN™氮化镓（GaN）技术额定电压已提升至2200V，大幅超越目前所有商用氮化镓技术的电压等级。当前各行业正通过升级高压母线架构，持续提升设备整体功率密度，而这项技术的进展能够更好匹配高压数据中心、新能源汽车、可再生能源及高压直流输电基础设施的升级需求。“我们的2200V PowiGaN™技术可为各类新一代高压电力系统提供充足的电压裕量
关键字：
PowerIntegrations
AI数据中心
氮化镓
碳化硅
基础设施
800V直流母线
日本储能企业 PowerX 于 8 月 3 日北京时间 14:30 举行线上发布会，公布面向电网级储能的自研 PCS（Power Conversion System，功率转换系统）与新型大储产品。PCS 负责电池直流电与电网交流电的双向转换，是连接电芯与电网的关键桥梁；此前 PowerX 的储能产品主要依赖外部采购 PCS，此次自研标志其从系统集成向电力电子核心部件延伸。在储能系统中，PCS 水平直接影响转换效率、构网能力（grid-forming）、故障诊断与运维服务。尤其构网型 PCS 能主动支撑电网
关键字：
PowerX
自研PCS
GridConnector
碳化硅
构网型储能
电网级储能
功率转换
储能系统
从硅基 IGBT 功率变换器切换至碳化硅（SiC）方案会催生大量全新设计难题，覆盖仿真、品质验证等设计全流程。本文聚焦研发人员在碳化硅电路双脉冲测试中使用示波器测量时遇到的各类难点，重点围绕被测器件（DUT）关键测点的接线探测方案展开说明。图 1：成熟的评估测试平台（如 Wolfspeed 推出的 SpeedVal 测试系统）预留多组测试测点，在设计前期极具参考价值；设计中后期可依靠板载测点与定制工装夹具采集关键信号。（图片来源：泰克科技）碳化硅场效应管（SiC FET）压摆率 dV/dt 远高于硅 IG
关键字：
碳化硅
双脉冲测试
探头
泰克
碳化硅的精妙解决方案:通过大幅降低位错密度，溶液法晶体生长技术有望为电动汽车与新能源储能系统提供可靠性更高的电力电子器件。一、碳化硅：电力电子领域的明星材料碳化硅（SiC）作为电力电子行业的核心材料，行业共识度极高。它能让电动汽车电机高效运转、保障智能电网电能平稳传输、避免数据中心在超高算力负载下过热。其核心优势源于得天独厚的复合材料特性：兼具铜级导热能力、金刚石级击穿耐压，可承载普通硅芯片无法承受的高压。但光鲜性能背后潜藏着微观缺陷难题。芯片厂商难以彻底消除的晶体缺陷 ——位错，持续制约器件性能与可靠性
关键字：
电动汽车
新能源储能
碳化硅
全晶半导体
2026年7月1日，备受瞩目的2026慕尼黑上海电子展（Electronica China 2026）在上海新国际博览中心正式拉开帷幕。以“以功率赋能，共筑低碳未来”为主题，瑞能半导体携碳化硅、可控硅、功率二极管、IGBT、MOSFET五大产品线全线功率产品重磅亮相，全面覆盖消费电子、工业控制、汽车电子、可再生能源四大核心应用领域。从发电到用电，从工控到AI基础设施，瑞能半导体持续为产业数字化、绿色化转型筑牢硬件根基，为全社会能源高效利用提供核心底层支撑。 瑞能半导体副总裁尹晨丰（Will Yi
关键字：
瑞能半导体
慕尼黑上海电子展
碳化硅
可控硅
摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》《利用SiC CJFET替代超结MOSFET》，本文将介绍CJFET通常需要配置缓冲电路的原因。（一） 什么是缓冲电路？
关键字：
碳化硅
缓冲电路
安森美
据耀途集团（Yole Group）分析，受人工智能数据中心、800 伏高压电动汽车以及可再生能源系统需求拉动，碳化硅（SiC）功率器件市场预计 2031 年规模将达到 1100 亿美元，2025 至 2031 年复合年均增长率（CAGR）为 20%。人工智能基础设施正成为核心增长赛道：耀途预测，到 2031 年，含数据中心配套在内、用于电力电子的化合物半导体衬底市场规模将达 200 亿美元。在人工智能数据中心及新一代 AI 算力基础设施中，碳化硅功率器件是高性能新一代电源设备的核心支撑。 全球产
关键字：
碳化硅
功率器件
罗姆半导体（ROHM）全新研发 TSC3PAK 封装，这是一款适配碳化硅（SiC）MOSFET 的顶部散热封装，面向新能源车、工业设备高压电能变换场景。该表面贴装封装尺寸为 14.00×18.58×3.50 mm，既支持自动化贴装工艺，散热能力又可媲美 TO-247-4L 等传统插针式封装。随着碳化硅器件的应用场景从牵引逆变器拓展至车载充电机、电动压缩机、服务器电源、光伏逆变器等设备，封装方案已然成为核心设计考量点。支持自动化组装的顶部散热架构大功率场景传统碳化硅 MOSFET 普遍采用插针式封装，虽然散
关键字：
罗姆
碳化硅
MOSFET
顶部散热
摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》。本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。（一） SiC CJFET：性价比优势对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJFET始
关键字：
碳化硅
功率器件
新能源电源
·英飞凌与西门子携手推动固态断路器技术在数据中心、生产设施及电池储能系统等应用场景的发展·固态断路器是一种基于半导体技术的快速响应电子装置，可在短路或过载时保护电路和组件免受损坏·英飞凌碳化硅功率模块有效提升西门子断路器的效率、功率密度和可靠性全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与西门子股份公司（以下简称西门子）开展合作，共同提升数据中心、生产设施及电池储能系统的电气保护水平，保障运行可靠性。合作内容包括英飞凌将向西门子供应碳化硅（
关键字：
英飞凌
西门子
SiC
碳化硅
CoolSiC
MOSFET
固态断路器
直流配电
储能
AI数据中心
微芯科技推出了 3.3 千伏 HV-D3 系列微型碳化硅功率模块，专为人工智能数据中心及其他高压电力系统的固态变压器方案打造。该模块采用标准 62 毫米封装，内部集成 3.3 千伏碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管与肖特基二极管。面向数据中心高压供电的碳化硅模块人工智能数据中心的供电架构，早已突破传统低频变压器系统的能力范围。行业开始探索应用固态变压器，借此从中压电网直接输出稳压直流电，有望提升供电效率、简化系统结构。微芯科技表示，HV-D3 系列微型碳化硅功率模块正是为适配这一行业转型而研发，尤其契合数
关键字：
微芯科技
碳化硅
功率模块
固态变压器
AI数据中心
高压电力系统
德国慕尼黑的英飞凌科技与西门子达成合作，携手升级电气防护方案，保障数据中心、生产厂区及储能系统稳定运行。根据合作协议，英飞凌将为西门子供应碳化硅（SiC）功率模块，搭载于西门子 SENTRON 3QD2 半导体（固态）断路器产品中，进一步提升这款电气防护设备的能效、功率密度与运行可靠性。英飞凌工业与基础设施业务部门副总裁兼首席销售官安德烈亚斯・魏斯表示：“人工智能数据中心与工厂的电气化程度和系统复杂度持续提升，电气故障风险随之增加，市场也愈发需要更环保、高效且稳定的配电系统。依托双方优势，将英飞凌先进的碳
关键字：
英飞凌
碳化硅
功率模块
西门子
半导体断路器
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出一款 24 kW 电池备份单元（BBU）DC-DC 参考设计。其专为AI数据中心的高压直流母线架构而设计，是业内首款可直接在电池组与 800 V 直流母线之间运行的解决方案，采用了 650 V 和 1200 V 碳化硅（SiC）技术，在保持与现有低压BBU 相同物理外形尺寸的前提下，实现了 450 W/in³ 的功率密度以及超过 99% 的效率，有效解决了数据中心向更高电压直流配电转型过程中的关键基础设施瓶颈。 英飞
关键字：
英飞凌
AI 数据中心
HVDC
24 kW
碳化硅
电池备份单元
BBU
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在电动汽车逆变器功率模块领域达成了全新里程碑：正式推出 HybridPACK™ Drive 系列的一款全新 1300 V 碳化硅（SiC）模块，该模块能够在高达 205°C 的温度下持续运行。市面上现有的同类设计通常最高仅允许在 175°C 下运行。这一温度的提升使汽车制造商（OEM）和一级供应商（Tier 1）能够从现有的逆变器设计中获得更高的峰值和持续输出功率，也可在全新的设计中降低系统复杂度和整体成本。 英飞凌 130
关键字：
英飞凌
碳化硅
功率模块
电动汽车
逆变器
JEDEC（联合电子器件工程委员会）正式发布两项全新规范，针对氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）功率半导体材料的应用制定标准。两项标准分别为JEP203《功率变换晶体管短路考核规范》与JEP204《功率变换用碳化硅器件应力测试规程目录》，均由该协会旗下 JC‑70.2 碳化硅分委会牵头编制。宽禁带功率半导体覆盖车载电子、航天电子等多类应用场景，JEDEC 指出该领域亟需统一标准化规范。JEP203 标准JEP203 围绕功率 MOSFET 的短路耐受能力给出全套评估导则，旨在助力工程师优
关键字：
JEDEC
碳化硅
宽禁带
功率电子器件
数十年来，摩尔定律一直主导着电子产业的发展。随着晶体管尺寸不断缩小、单颗芯片内的晶体管数量持续增加，电子设备的运算能力每两年便提升一倍。摩尔定律由英特尔联合创始人戈登・摩尔在 1965 年提出，如今它早已逼近物理极限。晶体管的尺寸已经缩小至原子级别，在这一尺度下，经典物理规律不再适用，芯片微型化的道路走到了尽头。与此同时，人工智能浪潮席卷全球，市场对算力的需求近乎无限。太空在轨制造初创企业 Space Forge 的联合创始人兼首席执行官约书亚・韦斯特表示，目前行业的主流做法，只是一味打造规模更大的计算设
关键字：
摩尔定律
半导体
晶体生长
氮化镓
碳化硅
砷化镓
ZBLAN
通过抑制部分位错运动，高能离子注入为碳化硅（SiC）器件可靠性提升提供了全新路径。一、碳化硅器件的发展与瓶颈近年来，碳化硅功率器件的市场潜力持续释放，受益于轨道交通、电动汽车领域的广泛应用，全球年销售额已达数十亿美元规模。目前商用碳化硅功率器件多采用 4H-SiC 晶体结构，但产业仍面临两大核心痛点：成本偏高：制约其在混动汽车、数据中心电源等场景的普及；可靠性隐忧：长期工作稳定性相关的良率问题，进一步推高了成本。其中，双极退化效应是影响碳化硅器件长期可靠性的关键障碍。双极退化的原理当电流流经 PN 结时，
关键字：
碳化硅
离子注入
器件可靠性
· 一项战略性布局决策，旨在推动从发电、储能到转换与配电的整个能源生命周期实现范式转变。 · 基于新型碳化硅 MOSFET 的模块系列，采用两种行业标准封装，为工程师提供了实现能源基础设施现代化、开启人工智能与电气化全部潜力的重要工具。 · 两款模块系列将于 2026 年
关键字：
Wolfspeed
3.3 kV
碳化硅
功率模块
电动汽车超快充、数据中心电力基础设施，将成为碳化硅（Si）的下一轮增长引擎。安森美（onsemi）高级技术营销总监 Mrinal Das 在今年 “化合物半导体国际大会” 上，用一句话概括了 SiC 的下一波重大机遇：可持续地攻克兆瓦级应用。Das 表示：“技术进步的核心价值，在于提升生产效率、改善生活品质。SiC 功率电子器件，能显著缩短电动车充电时间、助力 AI 数据中心升级供电系统。”电动车迈向兆瓦级快充Das 指出，电动车行业正转向兆瓦级快充：1 兆瓦快充已商用，目标体验媲美燃油车加油；SiC 可
关键字：
碳化硅
SiC
超快充
数据中心
安森美
英飞凌
意法半导体
2026 年一季度，中国宽禁带半导体产业（涵盖碳化硅 SiC与氮化镓 GaN）业绩分化明显。受 5G 基站建设、电动汽车车载充电机（OBC）强劲需求拉动，氮化镓射频（GaN RF）企业营收大涨；反观碳化硅功率器件厂商，受价格战加剧、产能扩张带来的折旧成本攀升影响，盈利压力持续加大。氮化镓射频领跑；设备、车用碳化硅开始兑现收益闻泰科技：乘风 5G 与卫星互联网闻泰科技一季度营收同比增长79.05%，领跑行业，核心动力来自子公司氮化镓射频业务。作为国内氮化镓射频龙头，其产品已批量供应 5G 宏基站、卫星互联网
关键字：
宽禁带
氮化镓
射频
碳化硅
电动汽车（EV）、可再生能源系统和人工智能（AI）数据中心等领域电气化进程的持续提速，正不断给电源系统带来更大压力，对电源系统的效率、小型化及低温运行能力提出了更高要求。这构成了一个长期存在的难题：功率密度的提升与系统尺寸的缩减往往会造成严重的散热瓶颈。这是当下电源系统设计人员面临的核心挑战，高效的散热管理已成为一大设计难关。全球市场正加速碳化硅（SiC）技术的应用落地，但散热设计却时常成为掣肘SiC性能发挥的因素。传统封装方案往往力不从心，难以满足大功率碳化硅应用的散热需求，迫使设计人员不得不在开关性能
关键字：
封装
功率芯片
碳化硅
T2PAK
202604
博世已正式推出面向电动汽车的第三代碳化硅（SiC）芯片，并向全球汽车制造商提供样片。这些芯片有助于提升电动汽车效率并增加续航里程。博世集团董事会成员、博世智能出行集团主席Markus Heyn表示，碳化硅半导体可精准控制能量流向，并实现效能最大化，新一代碳化硅芯片将助力客户推出动力更强、能效更高的电动汽车。与传统硅芯片相比，碳化硅半导体开关速度更快、运行效率更高，可减少能量损耗，并在电子设备中实现更高的功率密度。博世表示，其新一代半导体兼具技术优势与经济效益，较上一代产品性能提升20%，同时体积实现大幅缩
关键字：
博世
碳化硅
电动汽车能效
碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473