东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有
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东芝 SiC 肖特基势垒二极管 工业电源
Diodes 公司 (Diodes)近日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠
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Diodes 碳化硅 肖特基势垒二极管 SBD
东芝公司(TOKYO：6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)，该二极管将该公司现有产品所提供的正向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化硅肖特基势垒二极管出货即日启动。 这些新的碳化硅肖特基势垒二极管采用东芝的第二代碳化硅工艺制造，与第一代产品相比，正向浪涌电流提高了约70%，同时开关损耗指标“RON * Qc” [1]降低了大约30%，这使它们适合应用于高效功率因数校正(PFC)方案中
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东芝 肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管介绍
肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode），又称为金属-半导体二极管,是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。SBD用某些金属和半导体相接触，在它们的交界面处便会形成一个势垒区（通常称为“表面势垒”或“肖特基势垒”），产生整流，检波作用。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的 [
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