碳化硅 （SiC） 正在接管电动汽车中的三相牵引逆变器，将电池中的直流电转换为用于控制电机的交流电。但是，由于 SiC 能够处理更高的电压、更好的散热和更快的开关频率，因此也适用于更紧凑的电动机中的三相逆变器。其中包括数据中心的电子换向 （EC） 冷却风扇，这些风扇消耗了更多的电力来运行 AI 训练和推理，并在此过程中产生了更多的热量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模块 （IPM），与 IGBT 相比，为这些冷却风扇带来了更高的功率密度和效率。1,200 V 模块基
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SiC 数据中心 冷却风扇 高密度电源 安森美
如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求，正推动着数据中心行业蓬勃发展。国际能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本，还给早已不堪重负的老旧电力基础设施带来了巨大的压力，亟需大规模的投资升级。随着数据中心耗电量急剧增加，行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。这种需求的增长一方面是为了降低运营成本
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SiC MOSFET AI数据中心 电源转换能效
碳化硅是一种众所周知的坚硬和复杂的材料。用于制造 SiC 功率半导体的晶圆生产利用制造工艺、规格和设备的密集工程来实现商业质量和成本效益。必要性与发明宽禁带半导体正在改变电力电子领域的游戏规则，使系统级效率超越硅器件的实际限制，并带来额外的技术特定优势。在碳化硅 （SiC） 的情况下，导热性、耐温能力和击穿电压与通道厚度的关系优于硅，从而简化了系统设计并确保了更高的可靠性。由于它们的简单性，SiC 的孕育使二极管领先于 MOSFET 进入市场。现在，随着技术进步收紧工艺控制、提高良率并
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SiC
新闻亮点：新款发布的具有电源路径保护功能的 48V 集成式热插拔电子保险丝简化了数据中心设计，助力设计人员达到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化镓 (GaN) 功率级采用行业标准的晶体管外形无引线 (TOLL) 封装，将德州仪器的 GaN 和高性能栅极驱动器与先进的保护功能相结合。中国上海（2025 年4 月 9 日）— 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）于今日推出新款电源管理芯片，以满足现代数据中心快速增长的电源需求。随着高性能计算和人工智能 (AI) 的采用率越来越高，数据中心需要更
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安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅
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cascode FET SiC
Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。此次新品发布精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性
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Nexperia SiC MOSFET
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。Nexperia
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Nexperia GaN FET
商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。1. 正向特性图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低于Si IGBT的通态压降；在接近额定电流时，SiC MOSFET的通态压降几乎与Si IGBT相同。对于经常以低于额定电流工作的应用，使用SiC
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三菱电机 SiC MOSFET
3月14日， “2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会”（ICIC 2025，以下同）在深圳举行。本届大会汇聚600多位业界精英，就AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开了精彩探讨，首次在国内展示了英飞凌两款突破性技术——300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μm超薄硅功率晶圆，彰显了英飞凌在技术创新领域的领先地位，并解读最新产品与解决方案，为行业注入新动能，助力企业在低碳数字变革的浪潮中把握先机。2025英飞凌消费、计算与通讯创新大会（ICIC 2025）在深圳举行2024年，
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英飞凌 MCU GaN
氮化镓 （GaN） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 是场效应晶体管的一种形式，它在微波频率下工作时结合了高水平的性能和低噪声系数。不过，HEMT 与其他类型的 FET 器件有些不同，它的性能优于标准结或 MOSFET。这些独特的器件在微波射频 （RF） 应用中表现出色。来自 n 型区域的电子穿过晶格，许多电子保持在异质结附近（异质结是指通过两个或多个半导体的接触耦合形成的界面区域）。这种只有一层厚的电子形成二维电子气体。650V GaN HEMT 的开关能量 （Esw） 是在硬开关条
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GaN HEMT 开关应用 低噪声功率
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices（CGD）开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，使更加环保的电子产品非常易于设计和运行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解决方案使 CGD 利用其 ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术满足100kW 以上的电动汽车动力系统应用，该市场超过100亿美元。Combo ICeGaN®将智能 ICeGaN HEMT IC 和绝缘栅双极晶体管（IGBT）组合在同一个模块或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，为昂
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CGD GAN 电动汽车 驱动逆变器
电动汽车 （EV） 越来越受欢迎，因为精明的消费者，尤其是在加利福尼亚州，认识到出色的加速性能的优势，例如，当红绿灯变绿时，汽油动力汽车可能会被尘土甩砸。这是因为电动机在驾驶员踩下油门的那一刻就会产生峰值扭矩。然而，与内燃机 （ICE） 汽车相比，电动汽车的主要动机是能源效率。EV 车载电池充电器EV1 的车载电池充电器 （OBC） 完全能够为来自交流电网的高压牵引电池充电（图 1）。停放的车辆插入 EV 1 级和 2 级交流充电站之一，这些充电站出现在停车场、家庭、公司、购
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GaN 汽车应用 OBC 高压 DC-DC转换器
了解如何将氮化镓（GaN）功率晶体管技术应用于D类音频放大器，可以提高信号保真度，降低功耗，并提供比硅更轻、更具成本效益的解决方案。在音频工程中，放大器是传递强大、沉浸式声音的核心设备。这些设备将低功率音频信号转换为丰富、高功率的输出，从而驱动从便携式扬声器到专业音响系统的一切设备。在过去十年中出现的各种放大器设计中，有一种脱颖而出：D类放大器。以其高效性和广泛使用而闻名，D类技术主导了现代音频领域。然而，即使是最受欢迎的放大器也有其局限性。当前的D类音频系统虽然效率很高，但在性能上仍面临挑战。D类放大器
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GaN 放大器
氮化镓 （GaN） 功率器件因其超快的开关速度和有限的寄生效应而成为 LiDAR 传感器的核心构建模块之一，从而在高总线电压和窄脉冲宽度下实现高峰值电流。为了迎来自动驾驶汽车的未来，必须在车辆系统内使用更先进的传感器。LiDAR 是检测自动驾驶汽车周围物体存在的更广泛使用的传感器之一，它是光检测和测距的缩写，它从激光射出光并测量场景中的反射，有点像基于光的雷达。车辆的车载计算机可以使用这些数据来解释汽车与周围环境的关系以及道路上是否存在其他汽车和物体。LiDAR 传感器必须基于一个非常快速的开关，该开关为
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GaN 功率FET 栅极驱动器 LiDAR 传感器
SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用，本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而耐压在600V以上的SiC SBD产品已广泛产品化。SiC SBD的某些产品具有3300V的耐压。半导体器件的击穿电压与半导体漂移层的厚度成正比，因此为了提高耐压，必须增加器件的厚度。而
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三菱电机 SiC SBD
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