全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和T
EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总线和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件满足了对紧凑、高效和抗辐射功率转换日益增长的需求。EPC7030MSH专为在极端辐射和热条件下运行的前端 DC-DC 转换器和电力推进系统而设计。文档显示，该器件的额定工作电压为 300 V，线性能量传输 （LET） 为 63
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司（以下简称“BTET”）、一汽丰田汽车有限公司（以下简称“一汽丰田”）联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科
就在去年，「抢占 SiC，谁是电动汽车市场的赢家？」「第三代半导体，来势汹汹」「碳化硅:渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场拉开帷幕」……这样的形容是 SiC 的专属标签，市场利好，一片光明。好景没有一直延续下去。「消息称 2025 年中国 SiC 芯片价格将下降高达 30%」「SiC 价格跳水, 开启下半场战役」……新能源车爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增长 VS 产能狂飙根据预测 2025 年全球 SiC 衬底产能预计达 400 万片，需求预测仅 250 万片。从需求侧来看
麻省理工学院和其他地方的研究人员开发了一种新的制造工艺，将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅 CMOS 芯片上来自麻省理工学院网站：他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微小的晶体管，切出每个单独的晶体管，然后使用低温工艺将所需数量的晶体管键合到硅芯片上，以保持两种材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此产生的器件可以从紧凑的高速晶体管中获得显著的性能提升。此外，通过将 GaN 电路分离成可以分布在硅芯片上的分立晶体管，新技术能够降低整个系统的温度。研究人员使用这种
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