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瑞萨电子通过下一代功率FET将GaN推向千瓦级

• 几十年来，硅一直是电力电子领域无可争议的领导者。但随着硅达到其性能极限，氮化镓 （GaN） 功率器件正在取得进展。凭借更快的开关速度和更高的效率，氮化镓已经在消费类快速充电器中发挥了重大作用，与硅相比，实现了系统级成本、空间和功耗节省。然而，尽管具有所有功率处理特性，但基于氮化镓的横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 一直在努力进入千瓦级功率设计。瑞萨电子正试图通过其最新的高压氮化镓功率 FET 来改变这一现状，该 FET 专为要求苛刻的系统而设计，从数据中心的 AI 服务器电源和不间断电源 （
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