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众所周知，SiC作为一种性能优异的第三代半导体材料，因其高击穿场强、宽禁带宽度、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特性可以辅助电子器件更好地在高温、高压、高频应用中使用，可有效突破传统Si基半导体材料的物理极限。目前使用最......
汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率器件可以实现这一点。但是，虽然基于沟槽的架构可以降低导通电阻并提高载......
CIPOS™ Mini IM523系列是一个全新的智能功率模块（IPM）系列，这些产品采用完全隔离的双列直插式封装，通过集成第二代逆导型IGBT，可以实现更高的电流密度和系统能效。IM523智能功率模块具有一个带自举功能......
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构，再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比，总结结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延......
电动汽车（EV）直流快速充电机绕过安装在电动汽车上的车载充电机，直接为电池提供快速直流充电。如下图所示，直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成：图 1. 直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC......
6月14日，纯化合物半导体代工厂稳懋半导体（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司扩大了其RF GaN技术组合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化镓（GaN）技术测试版NP12-0B平台。目前......
在产品设计时，倘若没有考虑应用环境对电源隔离的要求，产品到了应用时就会出现因设计方案的不当导致的系统不稳定，甚至出现高压损坏后级负载的情况，以及出现危害人身财产安全的情况。因此产品设计是否需要隔离至关重要。隔离电源的选型......
2024年6月13日，一场聚焦于智能科技与数字化制造技术的盛会——数字化与智能工厂技术行业交流会，在厦门集美湖豪生酒店盛大开幕。作为国内电源行业的佼佼者，航嘉电源携其创新产品与前沿技术，参与了此次会议，与行业内外专家共同......
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子......
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。鉴定委员会认为，优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大，创新性强......
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