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作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOS......
本文介绍了智能边缘传感器的不同实现示例，以及如何选择和调整电源管理解决方案以提供理想解决方案。本文还探讨了目前可用的一些传感器解决方案。......
英飞凌科技股份公司正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这......
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商—大联大控股近日宣布，其旗下诠鼎推出基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片的300W电源适配器方案。图示1......
在追求高转换效率的电源转换器应用中，采用 LLC 谐振的 LLC 谐振电源转换器（resonant power converter）电路架构因其优异的效率表现，在近年来变得相当流行。为了进一步增进 LLC 电源转换器在重......
EVLVIPGAN100PD是一个 100 W 的QR 模式的反激适配器电源，具有USB Type-CTM PD的高效能参考设计方案，它是一款基于 VIPERGAN100 的隔离式电源是一款新型离线高压转换器，具有 ......
650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺......
为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和......
众所周知，SiC作为一种性能优异的第三代半导体材料，因其高击穿场强、宽禁带宽度、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特性可以辅助电子器件更好地在高温、高压、高频应用中使用，可有效突破传统Si基半导体材料的物理极限。目前使用最......
汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率器件可以实现这一点。但是，虽然基于沟槽的架构可以降低导通电阻并提高载......
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