作为华润集团旗下的半导体企业，华润微长期深耕功率器件与智能传感器等领域，并积极拓展车规级芯片及第三代半导体等前沿赛道。在重庆，该企业已构筑起扎实的产业根基。目前，其在重庆的晶圆产能占据当地已建产能的半壁江山，助力重庆相关产业规模保持在全国前三甲。预计到2025年末，华润微将在重庆打造出一条涵盖研发、制造、封测及销售环节的车规级功率半导体完整产业链。为进一步强化产业链布局，华润微近日宣布，计划联合多方国资机构在重庆发起设立一只总规模约12亿元的产业投资基金。该企业自身将认缴出资约1.94亿元，出资比例约为1
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华润微
功率半导体
全球功率半导体市场正经历新一轮供需震荡。今年年初以来，英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体等龙头企业密集宣布涨价。市场分析认为，由于各地成熟制程产能纷纷满载，产能紧张状况在下半年恐只增不减。5月7日，研究机构TrendForce集邦咨询发布的报告显示，由于台积电、三星持续削减八英寸成熟制程产能，全球八英寸产能至2027年上半年将维持负增长；而在需求端，AI服务器对电源管理、功率芯片需求正持续走强。在供需双向挤压下，功率半导体是这轮传导链条的起点：据行业调研，高压MOSFET因裸晶尺寸较大、消耗八英寸晶圆产
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功率半导体
随着生成式AI与大模型训练推动算力需求呈现指数级增长，AI服务器已成为数据中心能耗的核心来源。据测算，2025年全球数据中心总用电量中人工智能业务占比将从2%飙升至 10%，并且引发全球对数据中心高耗能需求的口诛笔伐。优化AI服务器的功耗表现已经成为全球服务器产业关注的新焦点，在传统的加速卡和处理硬件的功耗日渐增大的前提下，传统交流供电架构的冗余转换损耗、功率密度瓶颈已难以适配GW级智算中心发展需求，成为功耗优化的下一个关键点。 作为AI服务器硬件的最大供应商，英伟达提出的800V高压直流（HV
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供电
高压直流服务器
功率半导体
202605
TechInsights 预估，2025 年全球汽车功率半导体厂商营收同比下滑约 6.4%，降至约 132 亿美元，占整个汽车半导体市场规模的 17.8% 左右。在 2025 年汽车半导体厂商份额分析中，功率器件仍为最大器件品类之一，但与处理器和存储器不同，功率半导体走势与整体市场趋势相悖。这一转变具有重要战略意义，表明汽车半导体市场已不再主要由短缺时期的电气化驱动因素主导，而传统功率产品布局占比较高的供应商在 2025 年表现更为脆弱。英飞凌以约 24.2% 的市占率位居 2025 年汽车功率半导体市场
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汽车
功率半导体
英飞凌
对于日渐憔悴的日本半导体产业来说，抱团整合似乎成为日本经济产业省重塑日本半导体辉煌仅有的手段，从现在日本最大的芯片企业瑞萨，到已经不复存在的存储巨头尔必达（Elpida），还有闪存领域的铠侠，以及还没量产就誓言要挑战台积电的Rapidus，下一个抱团整合的目标轮到了今天着重谈及的日本功率半导体。三菱电机、罗姆和东芝半导体，是日本现有功率半导体领域三大具有国际影响力的厂商，当然瑞萨电子也有功率半导体业务，但这部分业务主体来自于收购的美国厂商。在机械工业唱主角的时代，日本的功率半导体实力丝毫不弱于美国和欧洲，
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日本
功率半导体
罗姆
据日经新闻、产经新闻等报道，日本罗姆半导体（Rohm）于3月27日宣布，已与东芝旗下的Electronic Devices & Storage半导体业务以及三菱电机的功率元件业务达成基本协议，三方将围绕事业与经营整合展开正式协商。 罗姆社长东克己在当天受访时表示，电装（Denso）此前提出的并购提案加速了罗姆与东芝及三菱电机的整合进程。但他强调，此次整合并非单纯为了对抗电装，而是罗姆既有成长战略的延续。东克己分析称，加入丰田（Toyota）集团体系虽能稳定车用业务并获得资金支持，但可能导
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功率半导体
罗姆
东芝
三菱电机
据《日本经济新闻》报道，罗姆与东芝正在磋商合并双方的功率半导体业务。上周有报道称电装公司对罗姆提出82 亿美元收购要约。据悉，罗姆和东芝可能为其功率半导体业务成立一家独立的合资企业；另一种方案则是，电装收购罗姆的同时接手东芝的功率半导体业务，进而达成两家功率半导体业务整合的目的。 东芝和罗姆在功率半导体领域的市场份额均约为 2.5%，两家的合作谈判已经持续多年，2023 年东芝半导体进行重组期间，罗姆通过日本产业合作伙伴（JIP）投资基金向东芝注资约 20 亿美元，希望借此通过整合提升市场竞争力
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罗姆
东芝
功率半导体
韩国产业通商资源部正式成立下一代功率半导体专项工作组，任命光云大学电子材料工程系具相谟教授担任工作组组长。韩国政府计划在 2030 年前，将本国下一代功率半导体的技术自主率从目前的 10% 提升至 20%。此举标志着韩国半导体产业政策发生战略转向 —— 从以往以扶持研发为主，升级为将该领域列为国家战略基础设施，并推出更系统化的布局规划。根据规划路线，该专项工作组将分阶段推进相关工作：2026 年上半年：敲定下一代功率半导体技术发展路线图。该路线武将全面评估各核心需求领域的性能指标要求，明确涵盖材料研发、制
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韩国
功率半导体
2 月 5 日，半导体大厂英飞凌发布涨价通知。英飞凌称，由于功率开关与相关芯片供给持续吃紧，以及原材料与基础设施成本攀升，公司将自2026 年 4 月 1 日起对这部分产品价格进行上调。原因明确：人工智能数据中心的大量部署，导致部分功率开关和相关芯片短缺，叠加原材料与基础设施成本攀升，公司已无法仅靠内部效率消化压力，必须与客户共担成本。此前，华润微就在投资人关系活动表中提到，为应对铜等原材料成本上涨的压力，并结合工业、储能等领域订单的高景气度，公司已于2025 年 10 月对部分功率器件产品进行价格上调。
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功率半导体
英飞凌科技股份公司近日宣布，全球最大汽车制造商丰田已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌的CoolSiC™ MOSFET（碳化硅功率MOSFET）产品。这款碳化硅MOSFET集成在车载充电器（OBC）和DC/DC转换器中，利用碳化硅材料低损耗、耐高温、耐高压的特性和优势，能够有效延长电动汽车的续航里程并缩短充电时间。丰田新款bZ4X车型在车载充电器与DC/DC转换器中采用了英飞凌CoolSiC™技术（图片由丰田提供）英飞凌科技执行副总裁、汽车业务首席营销官Peter Schaefer表示：“全球最大的汽车制
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英飞凌
碳化硅
功率半导体
1月14日晚间，紫光国微发布了一份交易预案，计划通过发行股份及支付现金的方式，向南昌建恩、北京广盟、天津瑞芯、建投华科等14名交易方收购瑞能半导100%股权，并向不超过35名特定投资者发行股份募集配套资金。公告显示，此次股份发行定价为61.75元/股，不低于定价基准日前20个交易日上市公司股票交易均价的80%。不过，由于审计和评估工作尚未完成，标的资产的交易价格尚未确定。瑞能半导是一家专注于功率半导体器件研发、生产和销售的企业，业务覆盖芯片设计、晶圆制造、封装设计及模块封装测试等环节。公司产品包括晶闸管、
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紫光国微
瑞能半导体
功率半导体
近日，西安建筑科技大学机电工程学院新能源电气材料与储能技术培育团队提出了一种创新的“分子有序设计”策略。利用这种方法，该团队开发了一种新型环氧树脂封装材料，该材料结合了超高导热性和卓越的绝缘性能。该研究发表在《先进功能材料》上，为在极端条件下运行的功率器件的可靠性挑战提供了一种新的解决方案。随着功率半导体器件的不断变得更小、更强大，其封装材料面临着越来越严格的热能和电力管理要求。传统的环氧树脂难以同时实现高导热性和高绝缘性，这成为工业进步的关键瓶颈。研究团队巧妙地选择有机分子作为“模板”，在环氧树脂体系内
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功率半导体
封装材料
全球功率半导体技术的领军者英飞凌科技重磅亮相上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia 2025），现场展示了一系列创新产品和技术解决方案，特别是在最受关注的AI服务器电源新架构和汽车功率器件领域的先进产品和解决方案成为全场瞩目的焦点。此次展会，英飞凌不仅展示了其在绿色能源、电动化出行、AI算力电源等关键领域的最新突破，更以实际行动诠释了其在推动能源转型与智能化发展方面的技术引领作用。PCIM Asia 2025英飞凌展台800V SiC主驱逆变器系统：系统级解决方案驱动未来电动出行首先，
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英飞凌
PCIM Asia
功率半导体
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流电源架构的高效电源转换和分配，推动下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基础设施发展。随着GPU驱动的AI工作负载日益密集，数据中心功耗攀升至数百兆瓦级别，现代数据中心亟需兼具能效优化与可扩展性的电源架构。GaN FET开关为代表的宽禁带半导体，凭借其更快的开关速度、更低的能量损耗，及卓越的热管理性能，正迅速成为关键解决方案。此外，GaN功率器件将推动机架内800V直流母线的发展，在通过DC/DC降压转换器支持48V组件复用的同时
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瑞萨
功率半导体
AI数据中心
碳化硅（SiC）在耐高温、耐电压和电力效率方面优于传统硅，全球领导者如英飞凌和 Wolfspeed 正在争先。现在，韩国也加大了力度——Maeil 商业报纸报道，釜山已开启了韩国首个 8 英寸碳化硅功率半导体工厂。据报道，釜山广域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的总部和生产设施。该工厂投资了 1000 亿韩元，使韩国首次能够完全本土化生产 8 英寸碳化硅功率半导体。如《韩国先驱报》所强调，釜山广域市政府将项目的完成视为一个关键里程碑，旨在提升国内8英寸碳化硅功率半导体的生产并
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碳化硅
MOSFET
电源
功率半导体
近年来，新能源汽车、光伏、风电等产业持续扩张，叠加宽禁带半导体材料等新技术逐步落地，推动功率半导体成为市场关注的重点领域。富士经济曾在今年 4 月的报告中写道：功率半导体市场在 2024 年受到库存积压的打击。需求预计将从 2024 年下半年开始复苏，库存预计将在 2025 年下半年恢复正常。那么如今的功率半导体复苏情况如何了？随着国产功率半导体头部公司业绩的相继披露，该市场的走向逐渐明晰。功率半导体公司，谁是优等生？上述十家功率半导体公司中，表现最为亮眼的莫过于士兰微。该公司上半年营业收入为 63.36
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功率半导体
日本在功率半导体领域长期占据一定优势，但面对中国企业的快速追赶和价格竞争，行业竞争力面临严峻挑战。 《日经亚洲》20日报导，中国企业在硅和碳化硅基板制造方面逐渐建立完整生产能力，利用低廉能源成本和庞大市场快速成长，其垂直整合模式也对日本企业构成挑战。 尽管形势艰难，东芝、罗姆、三菱电机等日本厂商却迟迟未能形成统一战线。业内专家指出，日本与中国企业在硅芯片上的技术差距可能只有一到两年，在碳化硅上也不超过三年。 日本企业高估了本土电动汽车市场的发展以及自身的全球竞争力，必须加速整合以提高成本竞争力。功率器件是
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功率半导体
功率变换器是电能利用的重要装置，其性能主要取决于其核心—功率半导体器件，常见类型有 MOSFET、IGBT和二极管。传统Si器件已逼近材料极限，成为进一步提升效率和功率密度的瓶颈。SiC器件凭借更高开关速度、高结温下同时承受高压大电流等特性，可显著提升转换效率、功率密度并降低系统成本，特别适用于车载逆变器、电动汽车充电桩、光伏、UPS、储能及工业电源等场景。当前国内外 SiC产业链加速成熟，主流厂商已推出多款 SiC产品，成本持续下降，应用正呈爆发式增长。图1 双脉冲测试电路功率半导体测试需求与挑战功率半
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车载电驱
RIGOL
功率半导体测试
功率半导体
BelGaN 在比利时的氮化镓功率半导体工厂去年关闭。据 eeNews Europe 的报道，有报道称三个财团有兴趣收购该设施，主要用于光子应用。报道还指出该工厂之前专注于汽车功率器件。报告称，关闭预计将使地方当局花费超过110万欧元，并补充说，欧洲全球化和调整基金将为2024年7月裁员的417名员工提供支持。报道中提到的竞标者包括 Silex Microsystems，它是世界上最大的纯 MEMS 晶圆厂。如 evertiq 所述，Silex Microsyste
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氮化镓
功率半导体
晶圆代工
引言碳化硅（ SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防止寄生导通，避免损坏功率半导体。必须保护敏感的MOSFET栅极结构免受过高电压的影响。Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。 栅极驱动器设计措施关于SiC-MOSFET驱动器电路的稳健性，有几个问题值得考虑。除了驱动器安全切换半导
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碳化硅
MOSFET
电源
功率半导体
大家好，我是蜗牛兄，今天给大家分享的是：IGBT（绝缘栅双极型晶体管)在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。IGBT实物图+电路符号图你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合体，IGBT具有 BJT 的输入特性和 MOS 管的输出特性。与 BJT 或 MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管 IGBT 的优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高的工作电压和更低的 MOS 管输入损耗。一、什么是IGBT？IGBT 是绝缘栅双
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IGBT
功率半导体
双脉冲测试将在电力电子的未来中发挥关键作用。电源设计人员和系统工程师依靠它来评估 MOSFET 和 IGBT 等功率半导体在动态条件下的开关特性。通过评估开关期间的功率损耗和其他指标，这些测试使工程师能够优化最新电源转换器、逆变器和其他电源电路的效率和可靠性。推动采用双脉冲测试的是它能够在设计过程的早期评估最坏情况下工作条件下的电力电子设备。这有助于降低将来出现不可预见问题的风险。然而，由于 SiC MOSFET 的开关速度更快，GaN 功率 FET 的频率更高，因此基于氮化
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动态测试
WBG
功率半导体
Kulicke and Soffa Industries Inc.（“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我们”或“公司”）宣布推出Asterion-PW超声波针焊接机，通过快速精确的超声波针焊接解决方案扩大其在功率元件应用领域的领先地位。这种先进的解决方案为Pin互连能力设定了新的标准，重新定义了效率、精度和可靠性。在可再生能源、汽车和铁路等应用中，越来越多的常用功率模块元件使用超声波焊接来实现Pin针和DBC的互连以满足信号传输和机械固定的要求。功率模块市场是增长最快的半导
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Kulicke & Soffa
功率半导体
Asterion-PW
随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共源共栅）关键参数和并联振荡的分析，以及设计指南。本文为第一篇，聚焦Cascode产品介绍、Cascode背景知识和并联设计。简介大电流操作通常需要直接并联功率半导体器件。出于成本或布局的考虑，并联分立器件通常是优选方案。另一种替代方案是使用功率模块，但这些模块实际上也是通过并联芯片实现的。本文总结了适用于所
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JFET
Cascode
功率半导体
2025年2月19日 英国剑桥- 氮化镓（GaN）功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。 &nbs
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CGD
功率半导体
驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章以阅读杂谈的方式讲详细讲解如何正确理解和应用这些功能，也建议读者阅读和收藏文章中推荐的资料以作参考。驱动器的输入侧一个可靠的功率半导体驱动电路设计要从输入侧开始，输入端可能会受到干扰，控制电路也会发生逻辑错误，可能的误触发会造成系统输出混乱，甚至损坏器件。一个典型的无磁芯变压器耦合的隔离型驱动器输入测如框图所示，本文重点讲讲不起眼的IN
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驱动电路
功率半导体
驱动器
工业应用中，功率半导体的驱动电源功率不大，设计看似简单，但要设计出简单低成本的电路并不容易，主要难点有几点：1 电路要求简洁，占用线路板面积要小一个EasyPACK™ 2B 1200V 100A六单元IGBT模块，周长20cm，占板面积27cm²，很小，在四周要安排布置6路驱动和4-6路隔离电源并不容易，如果需要正负电源就更复杂。2 电力电子系统需要满足相应的安规和绝缘配合标准，保证合规的爬电距离和电气间隙，这使得PCB面积更捉襟见肘。3 对于中大功率的功率模块，驱动板会放在模块上方，会受热和直面较强的电
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功率半导体
驱动电源
电路设计
1. 前言近年来，全球耗电量逐年增加，在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外，以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成为严重的社会问题。因此，为了实现零碳社会，努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。在这种背景下，罗姆致力于通过电子技术解决社会问题，专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体，并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念，介绍为构建应用生
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罗姆
功率半导体
安森美（onsemi）在2024年先后推出两款超强功率半导体模块新贵，IGBT模块系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技术，主要性能拉满，形成业内独特的领先优势。解密FS7“附体”的超能力众所周知，IGBT是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，具有高输入阻抗和低导通电压降的特点。而安森美的Field Stop技术则是IGBT的一种改进技术，通过在器件的漂移区引入一个场截
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功率半导体
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IGBT
功率半导体介绍
《功率半导体 器件 与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前最主要的几类功率半导体器件，包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。 [
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