9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。项目背景碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。平面碳化硅 MOS
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目前，第三代半导体是全球战略竞争新的制高点，也是各地区的重点扶持行业，意法半导体、英飞凌、安世半导体、三安光电等头部厂商顺势而上，加速布局第三代半导体，市场战火已燃，一场群雄逐鹿之战正在上演。多方来战，“直捣”三代半核心环节第三代半导体欣欣向荣，八方入局，抢夺市场重要赛位，拥抱巨大增量市场。业界认为，面对下游行业需求的爆发，提升工艺及良率，扩大晶圆产能是行业当务之急。第三代半导体产能供应紧张，三安/意法等大厂在前线冲锋：英飞凌将抛出70亿欧元（约544.24亿元人民币），部署马来西亚地区产能，其马来西亚居
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第三代半导体
第三代电力电子半导体SiC MOSFET：聚焦高效驱动方案相比传统的硅MOSFET，SiC
MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域，SiC
MOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而，SiC
MOSFET的独特器件特性，也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。本文将围绕SiC MOSFET的驱动方案展开了解，其中包括驱动过电流、过电压保护以及如何为SiC MOSFET选择合
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近年来，我国信息技术得到迅猛发展，第三代半导体作为其中的关键器件起着重要作用。政策方面国家出台了一系列相关政策旨在大力提升先进计算、新型智能终端、超高清视频、网络安全等数字优势产业竞争力，积极推进光电子、高端软件等核心基础产业创新突破，这大大提高了对第三代半导体的需求。预计未来，随着互联网与信息技术的持续进步，对第三代半导体的需求会越来越高， 2023年到2028年的复合增长率将达到30.83%，整体市场规模呈稳定持续增长趋势。图源丨智研咨询5G通信基站驱动射频器件业务持续扩张无线通讯基础设施是氮化镓射频
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第三代半导体 慕尼黑上海电子展
3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司
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近日，美国GaN器件厂商Odyssey宣布出售公司资产。目前，Odyssey已与客户签署最终协议，将其大部分资产出售给一家大型半导体公司，交易金额为952万美元，目前买家信息处于保密状态。资料显示，Odyssey成立于2019年，专注基于专有的氮化镓（GaN）处理技术开发高压功率开关元件和系统，拥有一座面积为1万平方英尺的半导体晶圆制造厂，配备了一定比例的1000级和10000级洁净空间以及先进半导体开发和生产工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化镓场效应晶体管。偿还贷款和交易费用后，公司预
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自2018年10月25日，Anker发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费电子产品市场已是一片红海，竞争日趋激烈。面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸。GaN的特殊价值，正在消费电子之外的多个领域持续释放。01GaN正在加速“上车”在汽车电动化与智能化趋势下，汽车搭载的电子电力系统越来越多。而与传统硅材料相比，基于GaN材料制备的
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受惠于下游应用市场的强劲需求，碳化硅产业正处于高速成长期。据TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。近期，备受关注的碳化硅市场又有了新动态，涉及三菱电机、美尔森、芯粤能等企业。三菱电机SiC工厂预计4月开建据日经新闻近日报道，三菱电机将于今年4月，在日本熊本县开工建设新的8英寸SiC工厂，并计划于2026年4月投入运营。2023年3月，三菱电机宣布，计划在5年内投资约1000亿日元（折合人民币约48.56亿元）建设一个
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近日，多个第三代半导体项目迎来最新进展。其中，重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。总投资32.7亿元，重投天科第三代半导体项目在深圳宝安启用据滨海宝安消息，2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用，其由深圳市重投天科半导体有限公司建设运营，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”，助力广东打造国家集成电路产业发展“第三极”。滨海宝安消息显示，该项目2021年11月开工建设，2022年11月关键生产区域厂房结构封顶，2023年6月衬底产线
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据云塔科技官微消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝异质集成射频微系统芯片研究”项目启动会暨实施方案论证会在云塔科技（安努奇）举行。据悉，该项目是由中国科学技术大学牵头，香港科技大学作为香港方合作单位以及安徽安努奇科技有限公司作为参研单位，共同开展联合攻关。面向国家在高频、大带宽和高功率密度战略性高端通信芯片和射频模组的迫切需求，开展基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝（GaN/AlScN）异质集成射频微系统
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1 转型成功的2023得益于成功的战略转型，在汽车和工业市场增长的
推动下，安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。
其中，第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基
础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%，在第
二季度汽车业务收入超 10 亿美元，同比增长 35%，创
历史新高，第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录
收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域，安森美专注于 SiC，重点聚
焦于汽车、能源、电网基础设施等应
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中国北京2023年12月20日 – “2023 行家极光奖”颁奖典礼于 12 月 14 日在深圳隆重举行，数百家 SiC&GaN 企业代表出席了本次活动，共同见证了第三代半导体产业的风采。业内领先的测试与测量解决方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信号示波器荣获年度优秀产品奖。
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据韩媒ETnews消息，近日，韩国晶圆代工大厂东部高科（DB HiTek）聘请了一位来自安森美的功率半导体专家。业内人士透露，东部高科聘请了安森美半导体前技术开发高级总监Ali Salih，并让他负责氮化镓（GaN）工艺开发。Salih是一位功率半导体工艺开发人员，拥有约20年的行业经验，曾在电气与电子工程师学会 (IEEE) 上发表过有关功率半导体的重要论文。东部高科聘请Salih是为了加快GaN业务的技术开发和商业化。这项任命旨在加强第三代功率半导体业务的技术开发和商业化。功率半导体业务目前占东部高科
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正齐半导体杭州项目将在开发区投资建设第三代半导体模块工厂，项目首期投资3000万美元，总投资额将达10亿元人民币。10月23日消息，近日，正齐半导体年产6万颗高阶功率模块研发生产项目正式落地萧山经济技术开发区。正齐半导体杭州项目将在开发区投资建设第三代半导体模块工厂。项目首期投资3000万美元，总投资额将达10亿元人民币，规划建设10条智能化模块封装生产与组装线，满足车规级与航天级的模块生产线要求，每年将生产6万颗高端航天及车规级IGBT与碳化硅芯片、模块及器件等产品。该工厂将采用与合作厂商共同研制的驱动
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香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体签署合作备忘录，设立以第三代半导体为主的全球研发中心。大半导体产业网消息，10月13日，香港科技园公司（科技园公司）与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司（杰平方半导体）签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂，共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。据悉，该项目总投资额约69亿港元，计划到2028年年产24万片碳化硅晶圆，带动年产值超过110亿港元，并创造超过700个本地和
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第三代半导体介绍
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