- 香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体签署合作备忘录,设立以第三代半导体为主的全球研发中心。大半导体产业网消息,10月13日,香港科技园公司(科技园公司)与微电子企业杰平方半导体(上海)有限公司(杰平方半导体)签署合作备忘录,在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心,并投资开设香港首间碳化硅(SiC)8寸先进垂直整合晶圆厂,共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。据悉,该项目总投资额约69亿港元,计划到2028年年产24万片碳化硅晶圆,带动年产值超过110亿港元,并创造超过700个本地和
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晶圆 碳化硅 第三代半导体
- L4986简介:L4986是一款峰值电流模式PFC升压控制器,采用专有的乘法器“模拟器”,除了创新型THD优化器,还保证在所有工条件下具有非常低的总谐波失真(THD)性能。该器件引脚采用SO封装,集成了800V
高压启动功能,无需使用传统的放电电阻。可以支持的功率范围从一两百瓦到几千瓦。 ST 提供两个版本:A为65 kHz,B为130
kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 电路简介:Double-boost 是无桥PFC的一种, 去掉了大功耗的整流桥,可以显著提
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ST SIC 第三代半导体 CCM PFC 4986 电动工具 割草机 双boost double boost 无桥PFC
- 过往产品的充电装置多由各家厂牌使用各自的接口,导致装置汰换时将造成许多浪费。由于USB的普及,市面大部分的产品都透过此接口传输数据,进而促使人们欲提升USB供电能力的想法。过去即使透过USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A),则电子产品需要较长的时间来充电。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年发表第一版USB Power Delivery规范 (USB Power Delivery Specifi
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ST 意法半导体 GAN 第三代半导体 Power and energy PD 协议 快充
- STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源,使用完整的ST数字电源解决方案。STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源,使用完整的ST数字电源解决方案。电路设计包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构。前级图腾柱PFC提供功率因数校正(PFC)和谐波失真(THD)抑制,后记全桥LLC转换器提供安全隔离和稳定的输出电压。该参考设计为高效率紧凑型解决方案,在230 VAC输入时,测量峰值效率为96.3%
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- “现在的新车,只要能用碳化硅的地方,便不会再用传统功率器件”。功率半导体大厂意法半导体(ST)曾以此言表达碳化硅于新能源汽车市场的重要性。当下,在全球半导体行业的逆流中,第三代半导体正闪烁着独特的光芒,作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上,各方纷纷加大马力,坚定下注,一部关于第三代半导体的争夺剧集已经开始上演。一、三代半方兴未艾产业进入高速成长期近日,科学技术部党组成员、副部长相里斌在2023中关村论坛上表示,2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下,全球半导体产业进入下行周
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第三代半导体 SiC GaN
- 近日,欧陆通与意法半导体(ST)宣布,双方将在欧陆通子公司上海安世博及杭州云电科技两地分别设立针对数字电源应用的联合开发实验室,双方合作的研发团队将在服务器电源及新能源两大产业应用领域进行合作。据介绍,在服务器电源领域,欧陆通将结合意法半导体广泛的芯片组合,包含主芯片控制器,功率器件(包含碳化硅,氮化镓等宽禁带材料),模拟器件(如隔离式栅极驱动器),传感器等等,联合打造高效率、高功率密度的服务器数字电源解决方案。在新能源领域,欧陆通将结合意法半导体主控芯片以及碳化硅、氮化镓等创新的宽禁带技术,打造液冷散热
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- 以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点,可以极大满足新能源汽车电动化、网联化、智能化发展趋势的要求,对新能源汽车发展具有重要意义。《中国电子报》开设“宽禁带半导体与新能源汽车”专栏,以宽禁带半导体在新能源汽车范畴的应用为切入点,全面系统报道宽禁带半导体技术趋势、市场发展现状和产业发展困难等。敬请关注。我国新能源汽车产销量、保有量持续6年居世界首位,为宽禁带半导体的技术验证和更新迭代提供了大量应用数据样本。记者在采访时领会到,宽禁带半导体能有效提升新能源汽
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- IT之家 3 月 20 日消息,闻泰科技今日在投资者互动平台表示,公司已布局第三代化合物半导体,主要聚焦于由减少碳排放和绿色能源所带来技术机遇,更加注重功率器件,以增强和扩展半导体产品组合,提供更多复杂的高功率产品,包括 SiC 与 GaN。公司暂无氧化镓相关产品,会持续关注半导体新技术。封测技术方面,闻泰科技称公司半导体业务具有 LFPAK、夹片粘合、SiP(系统级封装)等多种先进封测技术与几十种封测型号,可满足汽车客户、工业、消费客户的不同产品性能的需求。此外,闻泰科技表示,公司半
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- 以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着,而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日,中瓷电子资产重组重新恢复审核,其对第三代半导体业务的开拓有了新的进展。3月6日,中瓷电子发布了《发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书(草案)(修订稿)》。根据该修订稿,中瓷电子拟以发行股份的方式,购买博威公司73.00%股权、氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债、国联万众94.6029%股权。事实上,除中瓷电子外,近来还有许多企业选择以收购的方式,布局或扩大第三代半导体业务。2023年3月2
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- 关注电动汽车领域的人,在近年来应当频繁看见“VinFast”这个名字。从美国建厂到拟赴美上市,VinFast用大动作刷足了存在感。事实上,VinFast对未来有着宏大的规划,并正朝着这个规划,积极联手供应链企业。01“野心勃勃”的VinFastVinFast成立于2017年,是越南一家年轻的初创企业。而背靠着越南首富潘日旺(Pham Nhat Vuong)及其旗下以房地产为主业的Vingroup,VinFast的发展可谓“光速”:2018年,VinFast收购通用在越南的汽车生产线;同年底,VinFast
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- 隶属于博世集团的罗伯特·博世创业投资公司(以下简称“博世创投”)已完成对广东致能科技有限公司(以下简称“致能科技”)的Pre-A轮投资。致能科技总部位于广州,是国内领先的氮化镓IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。凭借其在氮化镓器件领域的丰富经验和创新技术,致能科技致力于研发新一代氮化镓功率器件,在现有基础上全面提升氮化镓工作电压、导电能力、开关频率等关键性能参数,助力实现更高效的功率管理系统。根据市场研究机构Yole Développement最新报告,全球功率半导
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- 目前全球能源需求的三分之一左右是用电需求,能源需求的日益增长,化石燃料资源的日渐耗竭,以及气候变化等问题,要求我们去寻找更智慧、更高效的能源生产、传输、配送、储存和使用方式。在整个能源转换链中,第三代半导体技术的节能潜力可为实现长期的全球节能目标做出很大贡献。除此之外,宽禁带产品和解决方案有利于提高效率、提高功率密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本,因此将在交通、新能源发电、储能、数据中心、智能楼宇、家电、个人电子设备等极为广泛的应用场景中为能效提升做出贡献。除高速之外,碳化硅还具有高热导率、高击穿场强、
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- 受访人:亚德诺半导体 大规模数据中心、企业服务器和5G电信基站、电动汽车充电站、新能源等基础设施的广泛部署使得功耗快速增长,因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。近年来,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)晶体管为代表的第三代功率器件已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度。新型和未来的SiC/GaN功率开关将会给方方面面带来巨大进步,其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率,将有助于实现更紧凑、更具成本效益的功率应用。好马
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202207 ADI 第三代半导体 IC 功率器件
- 受访人:英飞凌科技1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体,在材料特性上有什么相似之处和不同之处?根据其不同的特性,分别适用在哪些应用领域?贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品? 相似之处:相较于传统的硅材料,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,具有更大的禁带宽度、更高的临界场强,使得基于这两种材料制作的功率半导体具有耐高压、低导通电阻、寄生参数小等优异特性。 不同之处及分别适用于哪些应用:碳化硅和氮化硅这两种宽禁带半导体材料之间也存在着诸多差异。
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第三代半导体介绍
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