据TrendForce最新调查显示，全球8英寸晶圆供需格局正发生显著变化，代工厂涨价趋势或将波及非主力的8英寸晶圆领域。随着台积电和三星电子两大巨头逐步减产，AI相关功率IC需求持续增长，消费类产品厂商担忧下半年IC成本上升，已提前备货。从供给端来看，台积电计划从2025年起逐步削减8英寸晶圆产能，并于2027年实现部分厂区全面停产。三星电子同样将在2025年开始减产，且态度更为积极。受此影响，2025年全球8英寸晶圆产能预计将减少约0.3%，进入负增长阶段。尽管2026年部分厂商如世界先进计划小幅扩产，
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8英寸
晶圆
代工厂
近日，中国电子系统工程二号建设有限公司（CESE2）宣布，中国蚌埠传感器谷8英寸MEMS晶圆生产线项目首批产品成功下线。这标志着我国首条全自动化8英寸MEMS晶圆生产线，也是首条拥有全套工艺设备的压电MEMS量产线正式投产。此前，中国高端MEMS芯片严重依赖进口。该产线的投产有望有效缓解国内产能短缺，实现关键领域，特别是汽车电子和工业控制领域的国产化，从而保障产业链安全。此外，中国首条全自动8英寸MEMS晶圆生产线的建立和投产，标志着蚌埠市从传统制造中心向以智能传感器为中心的创新中心转型。该国家战略性项目
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8英寸
MEMS
6月25日，香港特区政府创新科技局辖下创新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工业加速计划」申请已获得评审委员会批准。获批项目涉及在香港兴建宽禁带半导体碳化硅 （SiC） 晶圆制造设施。项目总预算超过 7 亿港元，将获得 2 亿港元的「新产业加速计划」资助。这笔资金预计将大大提升香港的先进半导体制造能力，并加速其在宽禁带半导体领域的发展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注册成立，并于 2024 年 6 月正式开始运营，同时
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香港
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SiC
晶圆厂
9月24日，Resonac（原昭和电工）在官网宣布，其与Soitec签署了一项合作协议，双方将共同开发用于功率半导体的8英寸碳化硅键合衬底。在这次共同开发中，Resonac将向Soitec提供碳化硅单晶，Soitec将使用这些单晶制造碳化硅键合衬底。键合技术加速碳化硅8英寸转型据悉，Soitec拥有一种独有的SmartSiC™技术，该技术通过处理高质量的碳化硅单晶衬底，将处理后的表面键合到多晶碳化硅晶圆作为支撑衬底，然后将单晶衬底分割成薄膜，从而从一个碳化硅单晶衬底生产出多个高质量的碳化硅晶圆，由此显著提
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碳化硅
Resonac
近日，我国在8英寸碳化硅领域多番突破，中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级，三义激光首批碳化硅激光设备正式交付，天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售，上海汉虹成功制备8英寸碳化硅晶体。8英寸碳化硅时代已呼啸而来，未来将会有更多厂商带来新的产品和技术，我们拭目以待。关键突破！中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级近日，中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再获突破。图片来源：中国电科据中国电科官方消息，碳化硅外延炉是第三代半导体碳化硅器件制造的核心装备之一。此次“全新升级”的8英寸碳化硅外延
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8英寸
碳化硅
英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。英飞凌科技电源与传感系统事
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英飞凌
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晶圆代工
CoolGaN
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。鉴定委员会认为，优晶科技8英寸电阻法SiC晶体生长设备及工艺成果技术难度大，创新性强，突破了国内大尺寸晶体生长技术瓶颈，拥有自主知识产权，经济效益显著。资料显示，优晶科技成立于2010年12月，专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型SiC晶体生长设备研发、生产及销售。该公司于2019年成功研制出6英寸电阻法SiC单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型——UKIN
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优晶科技
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SiC
单晶生长设备
近日，包括Wolfspeed、韩国釜山政府、科友等在第三代半导体SiC/GaN上出现新进展。从国内外第三代化合物进展看，目前在碳化硅领域，国际方面8英寸SiC晶圆制造已迈向量产前夕，国产厂商方面则有更多厂家具备量产能力，产业链条进一步完善成熟，下文将进一步说明最新情况。SiC/GaN 3个项目最新动态公布Wolfspeed德国8英寸SiC工厂或将延迟至明年建设近日，据外媒消息，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟，最早将于2025年开始。据悉，该工厂由Wolfsp
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SiC
8英寸
罗姆半导体（Rohm）株式会社社长松本功近日在2023年11月财报电话会议上宣布，将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底，主要供该公司内部使用，预计将于2024年开始投产。这将是罗姆首次在日本生产SiC衬底。据悉，宫崎第二工厂规划项目是罗姆近几年产能扩张计划的一部分，罗姆计划在2021-2025年为SiC业务投入1700亿-2200亿日元（折合人民币约82亿元-107亿元）。对于包括罗姆在内的众多SiC功率半导体玩家而言，再怎么加大投资、提升SiC衬底产能都不过分。一方面，近年来，衬底材料短缺
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罗姆
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11月4日，晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”正式签约启动，此举旨在攻关半导体材料端关键核心技术，最终实现国产替代。据悉，此次签约项目总投资达21.2亿元。据晶盛机电介绍，公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺研发，相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前，公司已建设了6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线，6英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8英寸衬底片处于小批量试制阶段。碳化硅作为第三代半导体代表
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6英寸
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碳化硅衬底
碳化硅（SiC）具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等特点，可很好地满足新能源汽车与充电桩、光伏新能源、智能电网、轨道交通等应用需求，对我国“新基建”产业发展具有重要意义，是未来五年“中国芯”最好的突破口之一，当下我国应该集中优势资源重点发展。
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202310
碳化硅
SiC
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8英寸
扩产
近期，三安半导体发布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC
MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。图：三安半导体湖南三安半导体属于三安光电下属子公司，主要业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务，目前建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安
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8英寸
碳化硅
近年来，汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品需求不断增长，并推动新兴半导体材料的发展。在碳化硅衬底上，国内厂商正加速研发步伐，如晶盛机电已完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代，实现8英寸抛光片的开发，晶片性能参数与6英寸晶片相当，今年二季度将实现小批量生产；天科合达计划在2023年实现8英寸衬底产品的小规模量产，同时该公司在5月与半导体大厂英飞凌签订碳化硅长期供应协议。近期，科友半导体传来了新消息。6月22日，科友半导体官微宣布其突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度
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科友半导体
IQE plc（AIM 股票代码：IQE，以下简称“IQE”或“集团”）全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材料解决方案供应商，近日宣布将推出全新 8英寸 (200mm) 红、绿、蓝三色（ “RGB”）外延晶圆产品组合，供 microLED 显示器认证。 MicroLED 以氮化镓 (GaN) 和砷化镓 (GaAs) 半导体为基底，是一种极具颠覆性的全新显示器技术，正设计用于多种新平台，例如可穿戴技术、AR/VR 耳机和大型显示器。 IQE 的 GaN 和 GaA
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MicroLED
8英寸
RGB外延产品
近日，美国激光技术与加工系统供应商Coherent和三菱电机宣布，双方已签署一份谅解备忘录 （MOU）并达成项目合作，将在200毫米技术平台上扩大SiC电力电子产品的规模化生产。三菱电机宣布在截至2026年3月的五年内投资约2600亿日元。其中，大约1000亿日元将用于建设基于200mm技术平台的SiC功率器件新工厂，并加强相关生产设备。根据谅解备忘录，Coherent将为三菱电机未来在新工厂生产的SiC功率器件开发200毫米n型4H SiC衬底。资料显示，Coherent于1966年成立于美国加利福尼亚
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三菱电机
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据《电子时报》报道，有IC设计业者表示，台积电将再调涨8英寸成熟制程代工报价，12英寸成熟与先进制程则还在评估中。产业链方面的消息显示，台积电虽然计划提高8英寸晶圆代工服务的价格，但并不会立即生效，新的价格预计在三季度开始实施。由于供应链等问题的影响，全球一直在却芯，代工芯片制造商纷纷宣布上调代工费，半导体价格也始终在攀升。去年9月份，台积电通知客户所有芯片的代工价格最高上涨20%。其中，7nm制程技术的报价上涨3%-10%，12nm以上的成熟型制程涨价上涨20%。在台积电目前的收入中，12英寸晶圆代工服
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台积电
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制程代工
据国外媒体报道，半导体行业是今年为数不多的并未受到明显影响的行业，特别是半导体制造，主要厂商今年的营收有明显增长，部分生产线的产能也非常紧张。在此前的报道中，外媒已提到，台积电等芯片代工商的8英寸晶圆厂产能紧张，代工商已经提高了代工报价，上调幅度在10%到20%之间。而外媒最新援引产业链方面的消息报道称，8英寸晶圆厂产能紧张的状况，还将持续一段时间，目前预计会持续到2021年。从产业链人士透露的消息来看，8英寸晶圆厂产能紧张，主要是显示驱动芯片和电源管理芯片需求强劲。如果产业链这一人士透露的消息准确，8英
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8英寸
晶圆厂
为抢攻汽车及工业等高端应用市场，掌握8英寸功率组件未来的庞大商机，以往专注在4、6英寸晶圆领域的强茂，决定斥资6,700万美元涉足8英寸市场，其用途会专注在新团队的晶圆设计里背面制程的应用，以此掌握如5G、物联网、车用电子等所带动的8英寸功率组件的庞大商机。
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车用电子
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8英寸
近日，北京燕东微电子有限公司（以下简称“燕东微电子”）8英寸生产线建设项目举行了首批设备搬入仪式。
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2018年上半年，基于销售额的MCU市场仍然会保持不错增长态势。预计2018年全年，MCU市场增长率将达到15%，出货量为53亿美元，汽车电子、消费类和工业将会保持较快的增长。
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交货期
涨价
8英寸
201807
随着物联网的发展，200mm(8英寸)晶圆生产线受到欢迎，产能利用率大幅提高。因此，建议我国应尽快建立一条以国产半导体设备为主的200mm生产线。这是基于国家战略高度考虑。近期美国对华挑起贸易摩擦的可能性上升，所以我们应当做好最不利的情况发生时的应对准备。
物联网时代200mm生产线是热点
全球200mm生产线正处于特殊的历史时期。移动技术催生物联网、5G、云计算、AI等技术的发展，推进了全球物联网市场扩大，上百亿部的智能终端将接入网络，给芯片厂商带来前所未有的机遇，特别是物联网芯片大量采
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晶圆
8英寸
2014年6月20日是我国首条8英寸IGBT芯片线批量化生产的重要日子。这标志着中国现代变流工业的关键技术取得重大突破。IGBT的中文全称为绝缘栅双极晶体管，是自动控制和功率变换的关键部件，也是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品。(以下大屏幕现场直播首批8英寸芯片下线过程，首片0001号，从生产现场到大会场，将赠送给中国科技馆，作为历史纪念，供教学科普)
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芯片
中国南车成为国内唯一一家全面掌握IGBT芯片技术研发、模块封装测试和系统应用的企业。让我们了解一下......
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8英寸
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芯片
智器Q8是近期上市的一款8英寸便携式平板电脑。配置8英寸高清多点触摸屏，搭载德州仪器（TI）OMAP4双核处理器，配备1GBLPDDR2RAM，Android4.0(ICS)操作系统，左右双立体声扬声器，支持HDMI高清输出，配置强大，功能全面，而售价仅为998元。其超高的性价比赢得了媒体和用户的强烈关注，其实力究竟如何，还是让我们来看看智器Q8的内部到底是什么样吧！
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平板电脑
据台积电公司副董事长曾繁城近日表示，台积电公司计划于今年年底前将其设在大陆上海地区的松江8英寸芯片厂的月产能由目前的4.5万片，提升到5万片左右，并预计明年这家芯片厂的产能有望进一步攀升到每月6万片。他表示今年第二季度位于上海的松江厂已经开始扭亏为盈，并在成立7年之后首度实现财季盈利。
他还表示中国大陆芯片市场对高级制程技术的需求正在增长。他并列举了其子公司创意电子(Global Unichip)为例来说明，称IC设计服务已经收到了近10个客户发来的40nm制程产品设计订单，其中就有一家是来自中
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台积电
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芯片
韩国现代半导体公司上周四宣布，公司将从9月起把NAND型闪存产量减少30%.受供给过剩影响，全球闪存的价格一路走低，世界半导体制造商纷纷减少闪存的产量，现代半导体公司此举可谓追随潮流。
现代半导体将暂停清州M9工厂8英寸晶圆的生产，该厂每月能生产8万枚8英寸晶圆。此前，现代半导体清州M8工厂已将8英寸晶圆的月产量由10万枚减少至 7万枚。现代半导体公司在今年4月时曾预告称，公司将暂停M9工厂的生产，可是M8工厂的减产决定却是在业内人士的预料之外。
在DRAM业界排名第三位的日本尔必达公司将
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当地时间本周二日本东芝宣布，它已经推出了用于超移动计算机的、储存容量为240GB的1.8英寸硬盘，并声称这是目前全球1.8英寸最大储存容量的超移动计算机硬盘。该公司还推出用于便携式媒体播放器的容量为120GB硬盘。
东芝表示，新推出的二种硬盘的尺寸为1.8英寸，每分钟转速为4200转。尽管日立也推出了类似的硬盘，但储存容量仅80GB。新的硬盘采用了并行ATA界面，它的储存数据密度为每平方英寸344GB。这种储存容量最大硬盘的重量在1.7盎司至2盎司之间。
东芝指出，这种储存容量最大的超移动
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上海先进半导体制造股份有限公司（以下简称“先进半导体”）（3355.HK）迎来了公司历史上最大规模的高层管理人士变动——9月1日，公司公告称，董事长吕学正辞任执行董事、总裁及首席执行长之职务；与此同时，业界传出消息，公司外籍董事、副董事长Van Bommel、董事Van Der Zeeuw以及公司监事会主席叶昱良也已于8月中旬提出辞职，离职申请于9月30日正式生效。
先进半导体拒绝透露高管离职的具体原因，也没有透露其他董事会成员的继任信息。不过不久
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贝岭
力图摆脱债务压力、走出连续亏损泥淖的AMD，似乎已开始执行董事长鲁毅智的“轻资产”战略。
昨日，外电称，AMD已将其位于德国德累斯顿的一座工厂的设备与技术出售给俄罗斯半导体企业Angstrem。《第一财经日报》了解到，这座工厂代号为Fab30，是AMD公司旗下技术较为陈旧的一家工厂，使用的是90纳米工艺生产8英寸半导体。据悉，Angstrem将利用上述设备与技术在莫斯科郊外Zelenograd兴建一座新工厂，2009年底正式投产。
AMD发言人Karin Rath确
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