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据国外媒体报道，惠普周二宣布与韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)达成合作协议，共同研发下一代内存技术电阻式内存并将其推向市场。 据一份声明显示，两家公司将合作开发新型材料和技术，实现电阻......
根据集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部门DRAMeXchange最新研究报告指出，台系DRAM厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。南科除今年将12吋月......
东芝公司宣布，即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片，这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。 东芝透露，24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLC N......
市场研究公司IC Insights日前预计，三星的芯片销售额或将在2014年超越英特尔。 基于广泛的芯片产品及扩张计划，三星的芯片营收将很快超过英特尔，成为第一大芯片厂商。IC Insights认为，在5到10......
据国外媒体报道，遍布小孔的钻石片或许对新一代超级电脑的计算能力具有举足轻重的影响。美国加州大学科学家利用现有技术，在大钻石片上刻了无数充氮小孔，这些充氮钻石可以存储信息的数量是目前硅芯片系统的数百万倍，同时信息处理速......
虽然在美国液晶电视市场的领先优势遭到蚕食，但三星在DRAM颗粒高级制造工艺上的投资就得到了回报。根据市场调研公司iSuppli发布的二季度DRAM市场统计报告，三星在保持DRAM市场老大位置的同时继续扩大了自家市场份......
三星今天公布了型号为470的SSD产品系列，它们分为64/128/256GB三个版本售价分别为199、399和699美元。这种SSD采用30nm MLC闪存打造，内置双控制器，支持TRIM，采用3Gbps的SATA接......
根据市调机构iSuppli最新报告显示，全球最大存储器业者三星电子(Samsung Electronics)在积极扩产动作下，2010年第2季的全球DRAM市占率再下一城，从上季的32.6%进一步攀升到第2季的35.......
Intel与镁光公司已经成功生产出基于25nm制程技术的3位元型NAND闪存芯片产品，目前他们已经将有关的产品样品送往部分客户手中进行评估，预计这款NAND闪存芯片将于今年年底前开始量产。这款25nm NAND闪存芯......
据国外媒体报道，英特尔和Micron已经开始发布下一代25纳米NAND存储芯片，为达到最高效率，该芯片使用了三层存储单元技术。 首款8GB和64GB芯片正在向选定的客户发售，用于SD卡存储设备。该芯片在每个存储......
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