FMS 2026将于8月4日至6日在美国加州圣克拉拉举行。本届会议将聚焦AI、数据中心、高速存储、存储接口以及工程应用等方向，吸引存储芯片、控制器、存储系统及应用生态企业参与。过去一年，AI存储讨论大量集中在HBM。随着企业AI、RAG、边缘推理和端侧AI应用不断发展，存储需求正在从高带宽内存扩展到数据中心SSD、CXL内存扩展、NVMe存储以及边缘存储等多个层级。江波龙已宣布将以“端侧AI 存储聚变”为主题参加FMS 2026，并展示面向AI BOX、AI PC、AI Mobile三类端侧AI场景的存储
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FMS2026
存储芯片
HBM
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江波龙
AI
韩国存储芯片厂商 SK 海力士确定美国存托凭证发行价为 149 美元，将于本周五登陆纳斯达克，本次募资总额约 265 亿美元。选择赴美上市是一项战略布局，目的是抓住市场对人工智能概念股的高涨投资热情。SK 海力士是全球领先的高带宽内存（HBM）供应商，而 HBM 是支撑生成式 AI 聊天机器人、智能自主算力任务的 AI 服务器核心元器件。彭博社援引一位熟悉本次上市流程的知情人士消息称，SK 海力士本次美股发售的认购需求达到发行股份总量的 7 倍。公司尚未就本次募资的认购热度公开发表评论。SK 海力士美国存
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存储芯片
SK海力士
国际半导体产业协会（SEMI）已向美国政府递交信函，请求美方不要对存储芯片市场实施干预。外界普遍认为，该信函意在反对苹果向美国政府提出的申请 —— 苹果希望获准从中企采购存储芯片。SEMI 在信函中表示：“定向扶持政策虽能助力提升本土供应链抗风险能力，但扭曲定价、产能规划的行政干预，或将拉长行业需求下行周期。当前市场供需失衡问题，可通过加大美国本土制造投资、推广长期采购协议逐步化解。”该行业协会称，强化美国本土生产基地的相关政策有助于稳定供应链，但直接插手价格与产能调控会适得其反。协会提出多项替代方案：协
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SEMI
存储芯片
三星电子、SK 海力士和美光科技三大巨头垄断 DRAM 内存芯片市场。当下，它们大部分产能都供给需求爆发的人工智能产业，挤压消费电子企业的芯片供货份额。
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存储芯片
DRAM
据韩国媒体6月11日引述业内人士消息报道，SK海力士（SK hynix）已完成375层3D NAND闪存的生产验证，并计划着手将该技术导入量产线，预计将于今年年底开始大规模量产。据悉，SK海力士此次并未选择新建晶圆厂，而是对位于韩国清州M15工厂的现有产线进行设备改造与升级。该工厂目前主力生产176层、238层和321层NAND产品。这款375层的NAND产品最初规划为400层堆叠。然而，基于制造难度的综合考量，SK海力士最终将实际量产层数下调至375层。业内人士指出，SK海力士的技术路线图依然明确，未来
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半导体工艺
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证监会官网IPO辅导公示系统显示，紫光国芯与辅导券商中信建投已正式向陕西证监局提交辅导工作完成报告。该公司于2026年1月6日提交辅导备案，整个辅导周期约5个月。作为新紫光集团存储板块的重要企业，紫光国芯成立于2006年，前身为英飞凌西安存储事业部，截至2026年已积累20年的DRAM技术经验。从业务布局看，紫光国芯是国内少有的能够提供全系列、全品类DRAM存储产品，并具备完整芯片设计能力的企业。其核心业务覆盖存储颗粒、KGD芯片、模组系统、堆叠大带宽DRAM以及CXL主控芯片，同时还提供集成电路设计服务
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紫光国芯
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紫光集团
三维堆叠DRAM
核心要点2025 年全球半导体行业资本支出1660 亿美元，同比增长 7%。预计 2026 年将达到2000 亿美元，同比大增 20%。台积电、三星、美光、SK 海力士领衔扩产，AI 与高性能计算是主要驱动力。马斯克宣布自建Terafab 晶圆厂，投资 200–250 亿美元，瞄准 2nm 工艺。存储厂商成为 2026 年资本支出最大板块，占比45%。IDM（整合元件厂）资本支出持续下滑，英特尔被美光、SK 海力士超越。半导体行业咨询机构 Semiconductor Intelligence 预测：202
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晶圆代工
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中国证监会及深圳证监局公示信息显示，得一微电子股份有限公司（YEESTOR） 首次公开发行股票并上市辅导备案已于4月2日获正式受理，辅导机构为中信建投证券。这标志着这家国内领先的AI存力芯片设计企业，在首次科创板IPO终止后，正式重启资本市场征程。得一微电子是国家级专精特新“小巨人”企业，专注存储主控芯片研发，产品覆盖固态硬盘（PCIe/SATA）、嵌入式存储（UFS/eMMC）、扩充式存储（USB/SD）三大产品线。公司已获335项发明专利，智能手机存力主控累计出货超1亿颗，服务700+行业客户。本次辅
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存储芯片
IPO
2026年的存储芯片市场，正经历着一场前所未有的价格风暴。在3月16日英伟达GTC大会现场，SK海力士董事长崔泰源的一番话，为这轮涨价潮定下了漫长的基调：全球内存芯片的短缺局面将至少持续四到五年，很可能延续至2030年。这一判断并非孤例，而是得到了全球多家权威市场研究机构的共鸣。TrendForce集邦咨询预测，2026年第一季度DRAM合约价涨幅将高达55%-60%；Gartner则更为激进，预计到年底，DRAM价格相较2025年水平将飙升130%；而Counterpoint Research的分析师认
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存储芯片
据市场研究公司DRAMeXchange于2月27日发布的数据显示，DRAM和NAND闪存芯片的价格继续同步上涨，其中DRAM价格再次创下历史新高，达到13美元，而NAND闪存价格涨幅超过33%。自去年4月以来，通用DRAM价格已连续11个月上涨。数据显示，2月份通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易价格为13.00美元，较上月的11.50美元上涨了13.04%。这一价格创下自2016年6月开始该项调查以来的最高纪录。TrendForce分析指出，PC DRAM价格较上一季度上涨
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2 月 27 日消息，国际数据公司（IDC）今日发布全球 PC 和手机市场的最新预测，称当前形势甚至比几个月前最悲观的情景还要严峻。报告显示，2025 年末，随着市场对 DRAM 与 NAND 闪存价格上涨的担忧加剧，PC 与智能手机厂商纷纷采取激进措施提前应对。正如 2025 年第四季度 PC 与手机历史出货量新闻稿所示，2025 年第四季度出货量大幅攀升。这种高水位态势延续到了 2026 年第一季度的 PC 市场，原始设备制造商（OEM）赶在内存与存储价格全面上涨前加速出货。因此，IDC 目前预计，2
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2月24日消息，韩联社消息显示，韩国产业研究院发布《韩中先进产业竞争力分析及政策方向》报告。该报告明确指出，中国在机器人、半导体、电动汽车等先进制造业领域已快速形成竞争优势，技术水平整体领先韩国，韩国仅在存储芯片领域仍保有优势地位。这份报告以2025年9月专家问卷调查结果为基础，全面对比了韩中两国整体产业链的竞争优势。具体来看，在工业机器人领域，中国在零配件采购、量产能力及市场开拓等关键环节均占上风，韩国仅在研发能力上稍具优势。电动汽车领域的竞争对比同样呈现鲜明态势，中国在自动驾驶技术层面相对领先，韩国则
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韩国
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先进制造技术
落后
集邦咨询表示，由于交易商暂缓报价和采购，动态随机存取存储器（DRAM）的现货交易活跃度有所下降。目前存储芯片现货价格显著高于合约价格，集邦咨询预计，短期内现货价格的上涨幅度将更为温和，二者之间的价差有望逐步收窄。主流 DRAM 芯片（即 DDR4 1G×8 3200MT/s 规格）的平均现货价格从上周（2 月 4 日）的 30.86 美元，微涨 0.78% 至本周（2 月 10 日）的 31.10 美元，短期涨幅有限。DRAM 平均现货价格芯片规格2 月 4 日价格（美元）2 月 10 日价格（美元）涨幅
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集邦咨询
人工智能竞赛的最大赢家是谁？人工智能超级周期正在重塑半导体和电子产业，人工智能基础设施的大规模建设让整个供应链承压。集邦咨询的预估数据显示，尽管英伟达等人工智能加速器研发企业正借人工智能热潮赚得盆满钵满，但存储芯片厂商才是最大的获利者。究其原因，除大宗商品市场的运行规律外，存储芯片厂商与芯片代工厂的商业模式、扩张策略存在本质差异，是造就这一结果的关键。需求激增，供应告急集邦咨询预测，2026 年全球芯片代工市场营收预计为 2187 亿美元，而 3D NAND 闪存和 DRAM 动态随机存取存储器的营收总额
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存储芯片
芯片代工
台积电
三星
海力士
美光
带宽存储
据市场研究机构TrendForce最新数据显示，受AI浪潮推动，存储芯片产业与晶圆代工产值将在2026年同步创新高。其中，存储芯片产值预计达5516亿美元，而晶圆代工产值为2187亿美元。存储芯片的产值规模已超过晶圆代工产业的两倍。存储芯片供不应求将持续至2027年以后。回顾上一轮存储产业超级循环周期（2017-2019年），当时由云端数据中心需求驱动，存储产业产值与晶圆代工差距显著。而此次由AI需求主导的循环周期，缺货状况更加全面。AI产业重心从模型训练转向大规模推理应用，对服务器端高容量、高带宽DRA
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存储芯片
晶圆代工
财联社1月19日讯（编辑 赵昊）美光科技高管最新表示，存储芯片的短缺情况在过去一个季度明显加速，并重申由于AI基础设施对高端半导体需求激增，这一紧缺状况将持续到今年以后。当地时间周五（1月16日），美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia在接受采访时表示：“我们当前看到的短缺情况，确实是前所未有的。”——这一表述也与美光上月做出的预测相呼应。Bhatia在最新的讲话中指出，用于人工智能加速器的HBM（高带宽存储）“消耗了整个行业大量可用产能，导致传统行业领域——例如智能手机和个人电脑——出现巨
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美光
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短缺
传统电子
高端半导体
受DRAM和NAND闪存成本持续飙升影响，苹果iPhone 18系列高配机型或将迎来明显涨价。据投资机构分析，12GB LPDDR5X内存模块成本已从2025年初的25-29美元大幅上涨至约70美元，涨幅高达230%。花旗、美国银行和摩根大通一致认为，即便强如苹果的供应链控制力，在此次全行业内存供应危机中作用也相当有限。行业分析进一步指出，预计iPhone 18系列中仅高存储容量机型将涨价50-100美元，而基础存储版本则有望维持去年定价水平。这一差异化的调价策略，很可能引导更多消费者倾向于选择入门存储配
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暴涨
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高配机型
涨价
财联社1月7日电，存储芯片概念大面积高开，普冉股份20cm涨停，走出3天2板，恒烁股份、香农芯创、开普云、江波龙高开超10%，时空科技、德明利、兆易创新、大为股份、北京君正、神工股份跟涨。消息面上，美股SanDisk收涨超27%，创去年2月份以来最大单日涨幅。西部数据涨超16%，创逾五年来最大单日涨幅。美光科技涨超10%，再创历史新高。
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美光科技
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布，AMD 已测试英飞凌 64MB HYPERRAM™ 存储芯片和 HYPERRAM™ 控制器 IP 在 AMD Spartan™ UltraScale+™ FPGA SCU35 评估套件上的使用情况，结果证明其可作为 AMD MicroBlaze™ V 软核 RISC-V 处理器经济高效的高带宽存储解决方
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英飞凌
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存储芯片
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FPGA
戴尔、惠普等科技企业警告称，受人工智能基础设施建设需求飙升影响，未来一年可能出现存储芯片供应短缺。存储芯片分为处理辅助型和信息存储型两类，制造商正将更多产能转向满足AI系统所需的新型、复杂且高利润产品需求，导致普通型存储芯片供应不足。而美国的制裁措施限制了中国新兴芯片企业的技术能力，进一步加剧了供应紧张局面。存储芯片广泛应用于几乎所有现代数据存储电子设备，供应短缺可能导致从手机、医疗设备到汽车等各类产品的制造成本上升。AI需求成为最优先级AI基础设施建设热潮不仅推高了大型数据中心周边地区的能源消耗，也提振
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AI
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小米
华硕
联想
半导体设备巨头美国应用材料（Applied Materials）表示，受美国收紧出口管制导致市场准入受限影响，预计2026年其在中国的芯片制造设备支出将下降，但下半年整体营收将有所增长。尽管美国加强出口限制预计将抑制需求，但人工智能投资激增带动的存储芯片产能扩张，可能会部分抵消这一影响。今年10月，美国公布了50%股权穿透的出口管制规则。应用材料公司预测，该规则导致部分产品和服务向中国客户的交付变得更加复杂，2025财年第四季度约有1.1亿美元的产品未能交付，导致2026财年营收将减少6亿美元。而该规则在
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出口管制
存储芯片
ArmorBoot 是 Macronix 的中端安全串行 NOR 闪存，支持安全启动以及其他安全功能，如片上认证支持（见图1）。它可以用于为使用不内置这些功能的微控制器或微处理器的设计提供安全服务。标准形态意味着存储芯片可以整合到现有设计中，以增强安全功能。1.Macronix的ArmorBoot提供安全启动和认证等安全基础功能，而高端的ArmorFlash则增加了数据加密和解密等服务。安全启动是指启动码在使用系统启动前经过验证。通常通过使用密钥认证代码，确保其来源为授权来源且未被修改
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NOR
闪存
存储芯片
4月24日消息，韩国内存巨头SK海力士公布2025年Q1财报，Q1营业利润同比增长158%，为7.44万亿韩元（约合52亿美元），超过预期的6.6万亿韩元。营收同比增长42%，达到17.63万亿韩元。数据显示，这是SK海力士第二好的季度业绩，此前该公司上一季度营收和营业利润均创历史新高。作为英伟达HBM(高带宽存储器)的重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。2025年Q1，SK海力士在DRAM市场的份额超过三星。报告期内，SK海力士占据了DRAM市场36%的份额，而三星是34%。
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SK海力士
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据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。据介绍，与此前的版本相比，HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方面进行了改进。其中，HBM4采用2048位接口，传输速度高达8Gb/s，HBM4可将总带宽提高至2TB/s。 还支持 4 / 8 / 12 / 18 层 DRAM 堆栈和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，单堆栈容量可达 64GB。此外，HBM4将每个堆叠的独立通道数加倍，从16个通道（
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HBM4
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4 月 8 日消息，德国铁电存储器公司（FMC）宣布与半导体企业 Neumonda 达成战略合作，将在德国德累斯顿建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线。这是继 2009 年英飞凌、奇梦达德国DRAM 工厂破产关停后，欧洲首次尝试重启存储芯片本土化生产。▲ 图源：Neumonda双方此次合作的核心是
FMC 研发的 "DRAM+" 技术。该技术采用 10nm 以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT
材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-
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欧洲
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生产
德国
铁电FMC
非易失性内存
FeRAM
今日，存储芯片正式开始涨价浪潮。自此，存储市场长达多半年的低迷态势，终于迎来转折。存储芯片的两大主力产品 NAND 与 DRAM，在新一季度的市场表现也各不相同。NAND，开始涨价打响涨价第一枪的是 NAND 存储大厂闪迪，其表示将于4月1日开始实施涨价，涨幅将超10%，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。紧接着美光也告知将针对新订单提高价格，平均涨幅约 11%。3 月 25 日，美光直接发布涨价函，预计此次涨价幅度将在10%~15%。之后，SK 海力士、三星相继宣布将于4月同步上调NAND闪存价格。根
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存储芯片
3月3日消息，据报道，中微公司宣布拟在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。据披露，中微公司将在2025年至2030年期间投资约30.5亿元，用于该公司在成都市高新区建设研发中心、生产制造基地、办公用房及附属配套设施，配备先进的自动化生产线和高精度检测设备，满足量产需求。此外，该公司将积极推动公司上下游供应链企业落户成都高新区，推动形成半导体高端装备产业链集群。2月21日，中微公司与成都高新区签订合作协议，将在成都高新区落地研发及生产基地暨西南总部
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华为Mate 70系列旗舰手机12月4日正式开卖，研究公司TechInsights拆解后发现，该款手机采用南韩SK海力士制造内存芯片，主因在于美国禁止对中国大陆出口先进芯片制造设备，而大陆制造的内存芯片选择受限。《南华早报》报导，根据TechInsights的分析，华为Mate 70 Pro手机搭载SK海力士12GB低功耗行动DRAM及512GB NAND，高阶款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析师崔贞东（Jeongdong
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当前，半导体已然成为国家科技发展的关键。尤其是随着国产化浪潮进一步推进，国内A股市场半导体领域兼并重组案例时有发生，跨界并购亦是屡见不鲜。前有TCL、海尔、格力、创维等传统家电入局造芯，后有百度、阿里、腾讯等互联网企业跑步进场，此外百货零售企业友阿股份、医药厂商双成药业、工业杀菌剂原药剂企业百傲化学、房地产商皇庭国际等都也都在筹划或正在布局半导体领域。近日，半导体领域又见跨界并购，而这次发起收购的企业是有“温州鞋王”之称的浙江奥康鞋业股份有限公司（以下简称“奥康股份”），其瞄准的是存储芯片领域。“温州鞋王
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12 月 20 日消息，据 TheElec 报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士赢得了一份向博通供应 HBM 芯片的大单，但具体额度未知。消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划明年将其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（IT之家注：单位是 300mm 直径的 12 英寸晶
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存储芯片介绍
存储芯片就是存储文件的地方，由于是以芯片的形式存在，所以叫存储芯片。
解码芯片内装有解码软件及播放软件，存储在MP3内的音乐要靠解码芯片来解码后才能播放。
音质的好坏与解码芯片的品质和下载的音乐文件的压缩质量有关，另外跟耳机的品质也有很大关系。 [
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