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iSuppli今天警告称闪存价格可能崩溃性地调整到1美元/GB，这是因为用于闪存产品的NAND记忆体价格今年开始冲高回落，并且技术的演变让内存单元的价位开始雪崩。 由于下降的价格，目前看上去过于昂贵的SSD将在......
过去台湾在DRAM产业上的主要技术合作来源包括日本、美国、南韩和德国，这几大阵营各自在制程技术上有很大差别，最大差别在于德系业者采用沟槽式(Trench)制程技术，在这一波金融风暴洗礼之下，成为被淘汰的阵营。 ......
SanDisk公司今天发布了一种固态驱动器，它可以为平板移动设备带来和以往产品完全不同的快速体验。 这种硬币大小的产品被称为iSSD，整个外形几乎都是记忆体和控制器，但这却获得了比平常更多的NAND闪存速度，读......
据美国物理研究所出版的《应用物理》杂志报道，日本东北大学的科学家们在试验室中使用铁电存储技术将存储芯片的存储密度提升到了每平方英寸4Tbit，达成了铁电存储体的新世界纪录，如此等级的存储密度要比现有最高级的磁记录型硬......
英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间，还能增加消费电子产品的存储容量。 新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息，存储容量高达64G位(相当于8GB......
英特尔今天宣布和镁光一起发布25nm TLC闪存的第一款样品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格也较......
Yonhap News报导，全球第二大记忆体制造商Hynix Semiconductor Inc. 13日在呈交至韩国证交所的文件中宣布，该公司将投资6,770亿韩元(5.69亿美元)扩充、升级现有的生产线，同时并将......
iSuppli警告称，DRAM内存芯片供应紧张将导致今年下半年这类芯片价格上涨。 iSuppli指出，当前DRAM厂商面临两类供应问题：无法获得必要的生产设备，部署先进生产工艺的大量工作。 DRAM芯片供......
据国外媒体报道，东芝近日表示，该公司计划通过在新兴经济体寻找新供货商，在未来三年内削减1万亿日元(约合116.4亿美元)的支出。东芝表示，此次削减支出将主要在数字产品和家电领域。 东芝发言人表示，在截至2013......
据台湾媒体报道，被美国纽约州、伊利诺州和佛罗里达州检察长，相继提告操控价格的友达、奇美电，昨日表示，迄今未收到告诉状，无法评论。奇美电说，待收到诉状将进行研究，但对进入法律程序案件，循例不对外说明。 众达国际法......
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