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东芝 文章 最新资讯

东芝开始出货面向系统控制应用的TXZ+™族入门级M4V组(搭载Arm® Cortex®‑M4内核的标准微控制器)工程样品

  • 中国上海,2026年8月6日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出TXZ+™族入门级M4V组标准微控制器。该系列产品搭载带浮点运算单元(FPU)的Arm® Cortex®-M4内核,可增强IoT设备和工业设备中的安全性与数据管理能力。目前已开始提供工程样品。 消费类及工业设备广泛采用网络连接与无线(OTA)更新技术,在远程监控、控制、维护及设备更新方面带来了诸多便利,同时也凸显了防范未经授权访问及程序篡改等安全措施的重要性。此外,从开发到产品生命周期结束,软件资产保护、配置
  • 关键字: 东芝   FPU   IoT设备   工业设备   微控制器  

东芝开始量产面向单电机控制应用、搭载Arm® Cortex® M4内核的小型微控制器

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,已开始量产TXZ+™族入门级M4L组小型微控制器。该系列产品搭载带浮点运算单元(FPU)的Arm® Cortex® M4内核,面向下一代家电、消费类产品及工业设备。在家电、消费类产品和工业设备领域,对节能、小型化设计、物联网连接能力以及更佳可维护性的需求正在增长。因此,电机控制微控制器不仅需要实现高精度控制,还需要增加有助于提升开发效率和系统可靠性的功能。东芝的新产品是专为单电机控制应用而设计的小型微控制器,在单芯片上集成了专用电机控制硬件[1]、安全功
  • 关键字: 东芝   MCU  

宽禁带器件赋能AI数据中心升级,东芝抢抓800V架构迭代新机遇

  • AI算力持续升级带动服务器功耗大幅攀升,推动数据中心电源架构迎来新一轮变革,也对SiC、GaN宽禁带功率器件的性能、封装工艺与系统集成能力提出更高标准。针对AI数据中心电源专属的宽禁带器件选型、技术迭代、量产落地及市场布局等问题,近日,EEPW电子产品世界专访了全球知名功率半导体厂商——东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝”)。EEPW:AI 数据中心用宽禁带 SiC/GaN的发展趋势是什么?东芝:随着AI服务器功耗持续上升,我们认为数据中心电源架构将从传统的以48V为中心的配置,向8
  • 关键字: 202608   宽禁带   AI数据中心   东芝   800V  

东芝扩展四通道标准数字隔离器产品线,助力降低工业设备功耗

  • 2026年7月14日,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,面向工业设备应用扩展了DCL34xx0B系列四通道标准数字隔离器,新增四款产品——“DCL340L0B”、“DCL340H0B”、“DCL342L0B”和“DCL342H0B”。该系列所有产品均实现每通道0.2mA(典型值)[1]的低电流消耗,采用小型SSOP16封装,并支持中速通信[2]。 其中“DCL340L0B”和“DCL340H0B”为4个正向通道、0个反向通道,“DCL342L0B”和“DCL342H0B”为2个
  • 关键字: 东芝   数字隔离器   SSOP16  

慕展现场|东芝展示车载与电源相关解决方案

  • 2026慕尼黑上海电子展现场,东芝展台围绕车载应用、新能源和电源系统等方向展开展示。从现场布置来看,东芝将半导体产品放入更具体的系统场景中呈现,重点覆盖汽车电子、电源管理、功率器件及相关参考设计等内容。对工程师来说,东芝的展示提供了观察车载系统、电源转换和功率器件应用的入口。随着汽车电子和新能源系统对效率、可靠性和长期供货要求提升,功率器件、电源方案和参考设计正在成为工程评估中的重要环节。
  • 关键字: 慕尼黑上海电子展   东芝  

东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提升AI数据中心的效率

  • 中国上海,2026年6月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。 随着AI处理需求持续扩大,数据中心的功耗需求不断增加;同时,通信基础设施的发展也进一步提高了开关电源在高效率、小型化(高功率密度)和低电磁干扰(EMI)方面的要求。由于功率损耗会直接影响系统功耗、发热量和冷却负荷,因此有必要
  • 关键字: 东芝   数据中心   MOSFET   开关电源   工业设备  

助力AI服务器与数据中心能效升级,大联大诠鼎携手东芝解读高效率电源转换方案

  • 2026年6月22日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下诠鼎集团宣布,携手全球功率半导体领导厂商东芝(Toshiba)成功举办“东芝高效率电源转换与功率组件应用”线上研讨会。本次会议聚焦东芝在硅基低压/高压MOSFET与SiC MOSFET的最新产品、应用重点及后续技术演进方向,并结合高功率应用的参考设计,协助工程团队更快落地、有效缩短开发周期。当前,全球能源转型加速推进,电源技术正朝着更高能效、更高功率密度、更低综合成本的方向迭代升级。面对日益严苛的能效标准与更加紧凑的系
  • 关键字: 大联大诠鼎   数据中心   AI服务器   Toshiba   东芝   电源转换  

东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出面向工业设备的DCL54xx01A系列四通道高速标准数字隔离器,扩展数字隔离器产品线。该系列共10款新产品,采用SOIC16–W封装,最高工作温度可达125°C。即日起开始批量出货。  随着碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的广泛应用,能够在高温条件下运行的工业设备设计已变得切实可行。然而,在隔离信号传输中,输入与输出之间的电气噪声可能导致故障,因此市场对于兼具高抗噪能力与高可靠性、并可实现稳定控制信号传输的隔离器件需求日
  • 关键字: 数字隔离器   东芝   工业半导体   SiC/GaN   电机控制  

东芝推出入门级MCU,简化小型设备系统控制

  • 东芝现已推出 TXZ + 系列 M4H 入门级单片机并开始送样,产品面向消费电子、工业设备等小型系统控制场景。该系列搭载 120MHz Arm Cortex-M4 内核并集成浮点运算单元,可满足家电、工厂自动化等场景的实时运行需求。 产品参数图这款单片机工作电压范围为 2.7V 至 5.5V,可适配 5V 供电设备。内置高速振荡器,在 - 40℃至 + 105℃区间内精度可达 ±1%,无需外接振荡器件。芯片集成 12 位模数转换器、定时器、UART、SPI、I²C、DMA 等常用外设,还配备可编
  • 关键字: 东芝   单片机   MCU  

东芝开始提供适用于系统控制应用、搭载Arm® Cortex® M4内核的TXZ+™族入门级M4H组标准微控制器工程样品

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出TXZ+™族入门级M4H组标准微控制器[1],该系列采用Arm® Cortex®-M4内核,并配备浮点运算单元(FPU)。该新型微控制器适用于空调、洗衣机等消费类产品的小规模系统控制,以及多功能打印机和工厂自动化系统等工业设备。东芝现已开始提供这些新产品的工程样品。随着现代消费类产品和工业设备日益复杂并趋于多样化,用于系统控制的微控制器必须具备更强的实时处理能力和稳定性,易于设计,满足长期运行所需的通用性,并具备支持衍生产品开发的灵活性。东芝针对这些
  • 关键字: 东芝   M4H   MCU  

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

  • 中国上海,2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货,该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展,功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流(HVDC)架构部署的增加,推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求,东芝开
  • 关键字: 东芝   1200V   沟槽栅   SiC   MOSFET   AI数据中心  

东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD™系列IC样品

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET,用于3相直流无刷电机驱动的电机控制器件。作为东芝“SmartMCD™”[1]电机控制器件系列的最新成员,TB9M040FTG集成了微控制器(MCU)与电机驱动电路,可直接驱动3相直流无刷电机,适用于控制车载设备中使用的小型电机。随着车辆可动部件电动化持续推进,用于电动阀门、暖通空调(HVAC)系统中的风门/挡板/翻板,以及进气格栅百叶(grille shutte
  • 关键字: 东芝   电机驱动   SmartMCD  

东芝发布支持PCIe®6.0与USB4®2.0版等高速差分信号的2:1多路复用器/1:2解复用器开关

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“TDS5C212MX”和“TDS5B212MX”两款2:1多路复用(Mux)/1:2解复用(De Mux)开关,支持PCIe®6.0[1]、USB4®2.0版[2]等新一代高速接口。新产品即日起开始批量出货。 随着服务器、工业测试设备、机器人及个人电脑不断发展,在日益受限的板载空间内,对PCIe® 6.0与USB4®2.0等超高速、宽带宽差分信号进行可靠切换的需求不断增长。东芝新产品采用自主的SOI工艺(TarfSOI™)[3]
  • 关键字: 东芝   PCIe®6.0   USB4®2.0   高速差分信号器  

日本三大半导体厂商将整合,功率半导体领域迎变局

  • 据日经新闻、产经新闻等报道,日本罗姆半导体(Rohm)于3月27日宣布,已与东芝旗下的Electronic Devices & Storage半导体业务以及三菱电机的功率元件业务达成基本协议,三方将围绕事业与经营整合展开正式协商。 罗姆社长东克己在当天受访时表示,电装(Denso)此前提出的并购提案加速了罗姆与东芝及三菱电机的整合进程。但他强调,此次整合并非单纯为了对抗电装,而是罗姆既有成长战略的延续。东克己分析称,加入丰田(Toyota)集团体系虽能稳定车用业务并获得资金支持,但可能导
  • 关键字: 功率半导体   罗姆   东芝   三菱电机  

东芝推出用于车载设备的光伏输出光耦

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用长爬电距离、薄型SO6L封装的光伏输出光耦“TLX9920”,适用于车载设备中的固态继电器(SSR)[1]。该产品于今日开始支持批量出货。 随着车载系统的不断演进以及对具有长使用寿命的车载设备继电器单元的需求日益增长,越来越多的机械继电器被SSR取代,向SSR的转变预计将进一步加速。 TLX9920适合驱动SSR中所使用的高压功率MOSFET的栅极。通过与高压功率MOSFET结合使用,可以实现光继电器难以支持的高压大电流开关。
  • 关键字: 东芝   车载设备   光伏输出光耦  

重启!罗姆与东芝就合并功率半导体业务谈判

  • 据《日本经济新闻》报道,罗姆与东芝正在磋商合并双方的功率半导体业务。上周有报道称电装公司对罗姆提出82 亿美元收购要约。据悉,罗姆和东芝可能为其功率半导体业务成立一家独立的合资企业;另一种方案则是,电装收购罗姆的同时接手东芝的功率半导体业务,进而达成两家功率半导体业务整合的目的。 东芝和罗姆在功率半导体领域的市场份额均约为 2.5%,两家的合作谈判已经持续多年,2023 年东芝半导体进行重组期间,罗姆通过日本产业合作伙伴(JIP)投资基金向东芝注资约 20 亿美元,希望借此通过整合提升市场竞争力
  • 关键字: 罗姆   东芝   功率半导体  

东芝推出适用于高温环境工作的小型光继电器

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,最新推出四款采用小型S-VSON4T封装的电压驱动型光继电器——“TLP3407SRB”、“TLP3412SRB”、“TLP3412SRHB”和“TLP3412SRLB”。该系列新品适用于高温环境工作的器件,最高额定工作温度可达135°C。四款新品于今日开始支持批量出货。电气化和自动驾驶技术的高速发展,使得汽车设备中的电子元件需采用高密度封装,这导致车载半导体工作温度升高,也要求元件需要通过类似条件下的测试,以确保可靠性。因此,用于车载半导体的测试设备、
  • 关键字: 东芝   光继电器  

东芝推出适用于工业设备过流检测的高速响应、I/O全范围双通道比较器(CMOS)

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出一款双通道比较器(CMOS)——“TC75W71FU”。该产品具有高速响应和I/O全范围(轨到轨)的特点,适用于工业设备[1]中的过流检测。新产品于今日起开始出货。工业设备在电机驱动和电源电路中通常使用大电流,随之而来的突发过流的风险可能引发损坏设备,导致生产线停工、甚至有安全隐患;因此,快速检测和保护至关重要。与此同时,在不断追求更高效率和产品小型化的过程中,电路可支持的电流和电压范围变窄,即使轻微的过流也会给电路带来沉重负担。这也进一步推动了对更
  • 关键字: 东芝   过流检测   比较器  

东芝面向工业设备和消费类应用推出40V电子保险丝/熔断器(eFuse IC)

  • 中国上海,2025年12月9日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其支持多种供电线路保护功能的电子保险丝/熔断器(eFuse IC)产品线中新增五款40V“TCKE6系列”产品——“TCKE601RA”、“TCKE601RL”、“TCKE602RM”、“TCKE603RA”和“TCKE603RL”。五款新产品于今日开始支持批量出货。         全新的TCKE6系列产品不仅具有类似于标准物理熔断器的短路保护功能,还集成了物理熔断器
  • 关键字: 东芝   电子保险丝   熔断器  

东芝推出采用最新一代工艺的100V N沟道功率MOSFET

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用,适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于近日开始正式出货。100V U-MOS11-H系列优化了器件结构,进一步改善了U-MOSX-H系列的漏源导通电阻(RDS(ON))、总栅极电荷(Qg)以及这两者(RDS(ON)×Qg)之间的平衡,从而降低了导通及开关损耗。与U-MOSX-H系列产品TPH3R10
  • 关键字: 东芝   N沟道   功率MOSFET   工业设备开关电源  

东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

  • 中国上海,2025年8月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面贴装TOLL封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。  三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET,采用通用表面贴装TOLL封装,与TO-247和TO-247-4L(X)
  • 关键字: 东芝   SiC MOSFET  

东芝与天岳先进达成SiC功率半导体衬底合作协议

  • 据“天岳先进”官方微信公众号消息,8月22日,东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝电子元件”)与山东天岳先进科技股份有限公司(以下简称“天岳先进”)就SiC功率半导体用衬底达成基本合作协议。双方将在技术协作与商业合作两方面展开深入合作,具体包括提升SiC功率半导体特性和品质,以及扩大高品质稳定衬底供应。未来,双方将围绕合作细节展开进一步磋商。东芝电子元件凭借在铁路用SiC功率半导体领域的开发与制造经验,正加速推进服务器电源用和车载用SiC器件的研发。未来,东芝电子元件计划进一步降低SiC功率半导
  • 关键字: 东芝   天岳先进   SiC   功率半导体衬底  

东芝推出小型封装车载光继电器,可实现车载电池系统1500V输出耐压

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出一款采用小型SO12L-T封装的车载光继电器[1]“TLX9161T”,该产品输出耐压可达1500V(最小值),可满足高压车载电池应用所需。新产品于今日开始支持批量出货。更短的充电时间以及更长的续航里程对于电动汽车的普及发展至关重要,而解决这些问题的关键就是电池系统的更高效地运行。电池管理系统(BMS)通过监控电池的充电状态实现系统高效运行,同时监控电池与车身之间的绝缘情况,以确保高压电池的安全使用。此外,BMS采用了电气隔离光继电器来处理高电压。东
  • 关键字: 东芝   车载光继电器   光继电器   车载电池系统  

东芝推出输出耐压1800V的车载光继电器

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出一款车载光继电器[1]“TLX9165T”,其采用10引脚SO16L-T封装,支持输出耐压1800V(最小值)的高压车载电池。该产品于近日开始支持批量出货。更短的充电时间以及更长的续航里程对于电动汽车的发展普及至关重要,且这两者都需要电池系统的更高效地运行。电池管理系统(BMS)通过监控电池充电状态来实现系统高效运行,同时监控电池与车身之间的绝缘情况,确保高压电池的安全使用。而需要处理高电压的BMS正采用了电气隔离光继电器。储能系统(ESS)也采用了
  • 关键字: 东芝   车载光继电器   光继电器  

东芝推出智能电机控制驱动IC“SmartMCD™”系列的第二款新品

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,其智能电机控制驱动IC“SmartMCD™[1]”系列第二款产品“TB9M001FTG”的样品已正式出货。SmartMCD™中的微控制器集成了继电器驱动电路[2]功能和LIN[3]收发器功能。新产品可以驱动继电器并控制两个直流有刷电机,适用于控制车载应用中的直流有刷电机。近年来,随着汽车设备电气化的发展,对于辅助设备[4]的要求也逐渐提高,要求其具有更高的性能、更全面的功能、更紧凑的设计和更少的元器件。为满足上述需求,东芝的新产品应运而生。新型Smart
  • 关键字: 东芝   电机控制  

东芝推出智能电机控制驱动IC“SmartMCD™”系列的第二款新品

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,其智能电机控制驱动IC“SmartMCD™[1]”系列第二款产品“TB9M001FTG”的样品已正式出货。SmartMCD™中的微控制器集成了继电器驱动电路[2]功能和LIN[3]收发器功能。新产品可以驱动继电器并控制两个直流有刷电机,适用于控制车载应用中的直流有刷电机。近年来,随着汽车设备电气化的发展,对于辅助设备[4]的要求也逐渐提高,要求其具有更高的性能、更全面的功能、更紧凑的设计和更少的元器件。为满足上述需求,东芝的新产品应运而生。新型Smart
  • 关键字: 东芝   电机控制驱动IC  

东芝推出符合AEC-Q100标准的双通道车载标准数字隔离器

  • 中国上海,2025年6月19日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,最新推出一系列面向车载应用的双通道高速标准数字隔离器——“DCM32xx00系列”。该系列有四款器件,可通过100kV/μs(典型值)[1]的高共模瞬态抑制(CMTI)和50Mbps(最大值)[2]的高速数据传输速率,实现稳定运行。所有器件均符合AEC-Q100车载电子器件安全性及可靠性标准,并已开始支持批量出货。   为了保证混合动力汽车(HEV)和纯电动汽车(EV)中的车载充电器(OBC
  • 关键字: 东芝   数字隔离器  

东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术,并采用紧凑型DFN8×8封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件,与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比,其体
  • 关键字: 东芝   DFN8×8   650V   SiC MOSFET  

东芝在SiC专利申请中挑战泰科天润

  • 中国功率芯片开发商泰克天润(Global Power Technology) 在碳化硅 (SiC) 功率技术专利申请排名中面临东芝的挑战。法国分析机构 KnowMade 的最新数据显示,2025 年第一季度全球申请了 840 多个新专利族。本季度的专利申请活动以东芝在 SiC 功率器件专利领域的加速发展为标志,以匹配 Global Power Technology的专利数量。这家中国公司在过去四个季度一直是排名靠前的专利申请人,几乎完全专注于 SiC MOSFET 结构的设计。第一季度授予了 420 多个
  • 关键字: 东芝   SiC   专利申请   泰科天润  

提升约2倍散热性能!东芝推出新型SCiB™锂离子电池模块 适用于频繁高倍率充放电使用场景

  • 株式会社东芝(以下称东芝)将于2025年4月中旬起,陆续在全球各地发售一款新型SCiB™锂离子电池模块。该产品专为电动巴士、电动船舶驱动及固定储能(频繁高倍率充放电使用场景)设计,采用铝制底板,散热性能提升至传统模块的约2倍随着锂离子电池在各个领域的广泛应用,对电动巴士和电动船而言,需要支持快速充电和运行过程中的频繁充放电;而在固定储能上,也需应对电力负荷平衡所带来的充放电需求。因此,市场对电池在短时间内持续高功率输入输出的需求不断增加。但与此同时,这种短时间高功率的频繁充放电会导致电池发热,进而缩短其寿
  • 关键字: 东芝   SCiB™  

东芝介绍

东芝(TOSHIBA),是日本最大的半导体制造商,亦是第二大综合电机制造商,隶属于三井集团旗下。 历史 东芝是由两家日本公司于1939年合并成的。 两家公司中第一个成立的是田中制造所,那是日本国内第一家电报设备制造公司;是由田中久重于1875年创立的。在1904年公司更名为芝浦制作所。在20世纪初期,公司以供应日本国内的重型机电制造为主业;在明治维新之后,公司更跃升为世界的工业大厂之一。 [ 查看详细 ]

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