首页 > 新闻中心 > 网络与存储 > 数字存储
存储厂商希捷和三星今天宣布，已经签署了一份交叉授权协议，用于整合技术力量共同开发快闪记忆体产品。 根据协议，两家公司将联合开发固态硬盘，互相利用对方的技术和其他知识产权，三星目前是市场上较大的快闪记忆体提供商之......
首屈一指的半导体测试公司惠瑞捷 (Verigy) 在韩国一家不具名客户的生产厂内安装并验证其首款可生产的V93000 HSM6800系统。这套新系统是唯一的一款面向当今 GDDR5超快存储集成电路 (IC)(运行速度......
惠瑞捷 (Verigy)推出了全新的 HSM3G 高速存储器测试解决方案，进一步拓展了面向 DDR3世代主流存储器 IC 和更高级存储器件测试能力的 V93000 HSM 平台。V93000 HSM3G 独特的优势在......
iSuppli警告称，DRAM内存芯片供应紧张将导致今年下半年这类芯片价格上涨。 iSuppli指出，当前DRAM厂商面临两类供应问题：无法获得必要的生产设备，部署先进生产工艺的大量工作。 DRAM芯片供......
韩国海力士声称，在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。 该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产，采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。 ......
市场研究业者iSuppli警告，由于动态随机存取内存(DRAM)芯片的制造产能有限，DRAM市场下半年可能供不应求。 分析师霍华德(Mike Howard)预期，今年DRAM芯片出货量可望成长49%，其中多数集......
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查，今年第二季营收在DRAM合约价格稳定上扬及产出持续增加下，全球DRAM产业第二季营收数字达107亿美元(10.70 Billion US......
市场研究公司iSuppli周一表示，下半年，用于个人电脑的主存储芯片的短缺，将导致芯片价格上涨。DRAM芯片厂商目前面临两个供应问题：无力获得所 需的生产设备和难以引入高新技术。DRAM芯片短缺将为全球电脑市场带来危......
南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片，这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的。Hynix公司表示，升级为2xnm制程节点后，芯片的生产率......
存储器大厂华邦第2季毛利率大幅提升至25%，税后获利较上季成长率高达222%;总经理詹东义表示，华邦宣告转型告捷，第2季标准型DRAM营收比重降至2%，未来华邦是全方面存储器供应商，第2季表现最佳的是NOR Flas......
43.2%在阅读
23.2%在互动
