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2011年DRAM产业中，虽然三星电子(SamsungElectronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍都......
2011年DRAM产业中，虽然三星电子(Samsung Electronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍......
华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的......
据IDC最新的产业研究报告显示，全球存储市场紧跟第二季度21%的增长，第三季度又实现了双位数的增长。 IDC新发布的《全球磁盘存储市场季度监测报告》称，全球外部磁盘存储系统工厂与去年相比实现19%的收入增长，总......
据iSuppli公司，2010年上半年金士顿增强了在第三方DRAM模组市场中的统治地位，在模组成本上涨之际利用其强大的购买力扩大了市场份额。 2010年上半年金士顿的DRAM模组销售额为26亿美元，比2009年......
据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)应用可大幅提升内存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技术开发出8GB DDR3 DRAM模块。三星以3D-TSV技术在4......
2010年在半导体存储器业界，各厂商纷纷恢复了在2008年秋季的雷曼事件后处于冻结状态的大型设备投资。由此，市场上的份额竞争再次变得激烈起来。 2008～2009年导致各厂商收益恶化的价格下跌在2010年上半年仅出现......
Rambus虽说是专利官司大户，但他们也不是每次都靠这种方式挣钱。近日他们就与日本内存大厂尔必达签署了新一期的专利授权协议。 此次双方签署的协议涉及产品极其广泛，从久远的SDR内存芯片到DDR、DDR2、DDR......
IBM公司系统与技术集团的首席技术官Jai Menon最近称非易失性相变内存(PCM)技术的芯片尺寸微缩能力将超越常规闪存芯片，并会在3-5年内在服务器机型上投入使用。Menon称IBM将继续开发自有PCM技术专利，......
正当涉足NAND闪存业务整整一年之际，美光于12月2日新推出一种功能强大且封装紧密的25nm MLC处理器，这可使美光在当前的闪存市场处于更加有利的地位。 这款命名为ClearNAND的芯片分为标准型和增强型两......
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