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NOR型闪存大厂飞索半导体(SpansionInc.)日本子公司Spansion Japan Ltd.可望在5月底以100亿至200亿日圆价格出售位于日本福岛县会津若松市(Aizuwakamatsu)厂区的两座半导体......
韩国媒体Korea Times独家获得海力士(Hynix)内部资料，显示该公司在2012年前，将投注9兆韩元(约79.4亿美元)的资本支出金额。由于不少大型存储器厂商提高投资，预料竞争将加剧。 除提高投资外，该......
三星电子(Samsung Electronics)半导体事业社长权五铉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬来台公开呼吁DRAM同业应该要节制扩产，但三星电子却于17日宣布，2010年将砸下26兆韩元(约折合2......
原本进入难产阶段的5月DRAM合约价终于开出，一如市场预期，在PC大厂和DRAM大厂多日的拉锯战之下，DDR2合约价最后持平开出，而DDR3合约价则是小涨2~3%;DRAM业者认为，在电子产业的传统淡季还能维持此结果......
据市场研究公司iSuppli发表的按美元统计的第一季度全球NAND闪存市场的销售收入数字显示，三星和东芝主宰了NAND闪存市场，仅给其它所有的公司留下了较少的市场份额。三星今年第一季度的市场份额是38.5%，紧随其后......
据国外媒体报道，欧洲第二大芯片厂商英飞凌日前宣布，公司已经与日本尔必达就半导体技术专利纠纷达成和解。 英飞凌发言人Monika Sonntag今日在接受电话采访时称，双方已经同意交叉授权半导体专利技术，公司不会......
英飞凌科技股份公司今日宣布，该公司与尔必达公司(Elpida Memory Icn.)就专利侵权诉讼达成和解。英飞凌与尔必达均同意撤消所有未决专利侵权诉讼。英飞凌于2010年2月向美国国际贸易委员会(ITC)递交起诉......
日本尔必达公司和台湾南亚内存公司最近发表声明称公司愿意接受欧委会有关涉嫌恶意操纵内存芯片价格的处罚决定，不过同遭此指控的其它几家内存厂商则尚未就 此事发表类似的声明。 本月18日，欧委会宣布完成了内存芯片价格垄......
继今年二月份宣布成功试制出25nm制程NAND闪存芯片产品之后，Intel与镁光的合资公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布开始正式对外销售量产的25nm制程NAND......
据iSuppli市调公司2010年第一季度的NAND闪存市场调查报告显示，三星与东芝公司两家占据了NAND闪存市场的绝大部分份额，其中三星的营收 份额最高，达到了38.5%，东芝则位居第二为33.8%，两者合在一起占......
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