据报道，美光正在探索研发高耐久度 NAND 闪存模块的方案：将闪存部署在更靠近 GPU 的位置，而非远端存储池、经过多层协议转发访问。该公司正在研究把 NAND 闪存向 GPU 侧迁移，用于处理那些不需要传统 HBM 或者普通 DRAM 所具备的低延迟、高带宽的业务负载。这套架构目前被称作GPU 近存 NAND（near‑GPU NAND），定位在存储密度与耐久度之间的折中方案。该构想下的 NAND 闪存，存储密度不及传统 TLC、QLC NAND，但重点优化 I/O 速度、带宽以及读取时延。举例来说，该
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美光
GPU
近存
NAND
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大语言模型
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布旗下 SEMPER™ NOR 闪存已通过信骅科技（ASPEED Technology Inc.）AST2700 基板管理控制器（BMC）认证，并被正式列入AST2700合格供应商名录（AVL）。作为 BMC 的固件存储器，SEMPER™ NOR 闪存可为服务器管理基础设施提供支持，保障系统具备高弹性、高安全性的运行能力，助力维持系统持续可用并得到有效防护。对超大规模数据中心运营商与服务器原始设备制造商而言，该项认证为基于AST2700 平台的系统
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英飞凌
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据调研机构TrendForce消息，在本轮存储芯片价格上涨周期中，NAND闪存的价格涨幅与供需缺口均低于DRAM内存。该机构预测，2026年NAND闪存比特供需缺口将维持在负4%至负5%区间，供应短缺状态仍会延续。不过，到2027年下半年，这一缺口预计将转为正值，从而缓解供应紧张的局面。相比之下，DRAM内存的供需平衡预计要到明年底才能达成，产能过剩或将推迟至2028年出现。从需求结构来看，服务器占据了NAND闪存比特需求的40%以上，智能手机与平板电脑的合计份额也接近40%，对整体市场走向具有重要影响。
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闪存
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汽车究竟需要多大容量存储器？全球存储器紧缺、价格暴涨问题愈发严峻，苹果甚至因此上调部分 Mac 电脑售价。而在智能手机、个人电脑、AI 数据中心之外，汽车行业正悄然成长为存储器核心消耗大户。那么一台现代化汽车实际需要配置多大容量存储？美光此前曾预测，四级自动驾驶车辆存储总容量将突破 300GB。而纵观当下最顶尖车型配置不难发现，300GB 的预估并不算夸张，甚至偏保守。据 TechNews 报道，特斯拉 HW4.0 自动驾驶平台搭载 32GB GDDR6/LPDDR 内存，今年全新 AI 4 + 平台直接
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智能汽车
DRAM
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闪存
BiCS FLASH是铠侠自主研发的3D NAND闪存技术品牌，也是目前全球主流存储芯片的核心技术路线之一。BiCS的含义可以理解成Bit Cost Scaling，即位成本缩放，核心理念是通过三维垂直堆叠存储单元，在降低每比特存储成本的同时，突破传统2D NAND的物理微缩极限。在芯片有限的面积内平地起高楼，让铠侠BiCS FLASH创造了许多可能性。如今，第八代BiCS FLASH在行业内广受好评，第九代与第十代BiCS FLASH在今年内蓄势待发。现在不妨让我们花一点时间，了解第八代BiCS FLA
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BiCSFLASH
铠侠
3DNAND
闪存
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据韩国媒体6月11日引述业内人士消息报道，SK海力士（SK hynix）已完成375层3D NAND闪存的生产验证，并计划着手将该技术导入量产线，预计将于今年年底开始大规模量产。据悉，SK海力士此次并未选择新建晶圆厂，而是对位于韩国清州M15工厂的现有产线进行设备改造与升级。该工厂目前主力生产176层、238层和321层NAND产品。这款375层的NAND产品最初规划为400层堆叠。然而，基于制造难度的综合考量，SK海力士最终将实际量产层数下调至375层。业内人士指出，SK海力士的技术路线图依然明确，未来
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3DNAND
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晶圆制造
根据TrendForce最新发布的NAND闪存行业调查，由于高速数据传输的需求以及构建AI服务器基础设施所需的海量数据存储容量，全球通信服务提供商（CSP）在2026年第一季度经历了企业级固态硬盘（SSD）需求的指数级增长。此外，传统硬盘（HDD）持续的结构性短缺也导致大量存储相关订单转向QLC企业级SSD。在需求激增和供应受限的背景下，NAND闪存供应商的平均售价普遍超出预期。因此，全球前五大NAND闪存供应商的总营收环比增长83.7%，超过389亿美元。进入2026年第二季度，供需失衡的局面预计将持续
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NAND
闪存
AI
HDD
本文要点全新堆叠式 3D 闪存 HBF 架构对标 HBM，专为 AI 算力处理场景打造HBF 存储容量远超传统内存，可就近静态存放 AI 模型权重参数，并优化读取速率今年下半年推出 HBF 工程样片，搭载该存储的 AI 加速芯片预计 2027 年面世当下主流大模型 AI 推理任务需要调用数十亿级参数，参数数据调度搬运耗费大量时间与能耗。业界正推动高带宽闪存（HBF） 标准化落地，旨在将海量模型权重就近部署，直接与 GPU 封装集成。闪存具备大容量、无需刷新数据的优势
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闪存
高带宽闪存
HBF
HBM
2026年4月23日，SK海力士今日发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。 SK海力士2026年第一季度主要数据：营收52.58万亿韩元（2429.2亿元人民币），较上一季度的32.83万亿韩元增长60%，同比增长198%；营业利润 37.61 万亿韩元（1737.6 亿元人民币），同比增长 405.5%；净利润 40.34 万亿韩元（1863.7 亿元人民币），同比增长 397.6%。从季度业绩来看，销售额首次突破50万亿韩元大关，营业利润为37.6万亿韩元，营业利润率达
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SK海力士
DRAM
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闪存
AI
本轮半导体行业复苏的核心引擎，当属NAND闪存的价格暴涨。据摩根士丹利证券预测，MLC（及成熟制程TLC）产品价格从今年首季到第四季涨幅将超过200%，下半年供需失衡幅度或达40%，缺口持续扩大助推价格飙升。DRAM涨幅逐步收敛，反观NAND价格动能转强，甚至超越DRAM：预估一般型DRAM在第二季度合约价格将上涨约58%-63%，NAND闪存则上涨约70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND产能几近消失，终端客户库存普遍仅剩六至九个月，供需结构转趋紧绷。大摩科技产业分析师在最新释出的报告中指
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NAND
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存储器
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DRAM
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闪迪
应用材料公司今日宣布，正与美光科技展开合作，研发新一代动态随机存取存储器、高带宽内存及闪存解决方案，以提升人工智能系统的高能效表现。双方整合了应用材料位于硅谷的 EPIC 创新中心的先进研发能力，以及美光位于爱达荷州博伊西的顶尖创新中心资源，助力巩固美国半导体领域的创新研发体系。应用材料总裁兼首席执行官加里・迪克森表示：“应用材料与美光长期保持合作关系，始终致力于通过突破材料工程与制造创新的边界，打造性能更优、能效更高的先进存储芯片。下一代存储技术在人工智能系统的未来发展中愈发关键，我们十分欣喜能以 EP
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应用材料
美光
HBM
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如今闪存已经无处不在，以至于在它成为性能瓶颈之前，人们很容易忽略它的存在。小到物联网微控制器里的固件，大到数据中心里为 AI 加速器提供的数据，全都靠它存储。几十年来，NAND 闪存不断提升密度、降低成本，催生出从消费级设备到云端存储的一整条产品生态，包括 SSD、U 盘、存储卡、智能手机与云存储等。这项技术最早可追溯到 1987 年，当时东芝（如今其存储业务独立为铠侠 KIOXIA）推出 NAND 闪存，作为高密度替代 NOR 闪存的方案。从那以后，NAND 闪存逐步发展成一套完整的技术栈，涵盖存储单元
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闪存
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NAND 闪存供应商的经营压力，终于传导至群联电子。就在几周前，群联电子首席执行官还透露，已有至少一家 NAND 闪存晶圆代工厂要求客户预付货款。如今，这家企业自身也难逃供应紧张带来的压力。据《电子时报》亚洲版报道，群联电子已开始要求旗下客户采用预付货款或缩短付款周期的结算方式。群联电子在致客户的信函中表示，“核心供应商近期已调整付款要求，改为预付货款或缩短付款周期”，而公司 “在过去一段时间里，一直为客户的订单提供资金支持”。这意味着，群联电子此前已向部分 NAND 闪存供应商支付了预付款，如今不得不将
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NAND
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群联电子
全球存储器市场爆发缺货潮，NAND闪存大厂长江存储传出以「史无前例」的速度扩张产能，原定于2027年量产的武汉新厂已大幅提前，最快将在今（2026）年下半年正式投产。 此举是否对台厂旺宏、南亚科、群联等带来竞争压力，后续发展备受市场关注。长江存储祭弯道超车奇招朝鲜日报英文版《The Chosun Daily》报道，长江存储武汉三厂于2025年9月动工，原先预估须待2027年才具备正式量产条件。 然而，当地半导体业界人士透露，长江存储近期已密集下达NAND Flash生产设备采购订单，并同步进行工厂启动与产
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内存
存储厂商
NAND
闪存
长江存储
中国本土芯片企业芯海科技（Cmsemicon）正式推出其首款非易失性存储芯片，发布旗下首款闪存产品CMS25Q40A，标志着公司正式且实质性地进军存储半导体领域。据报道，该产品是一款容量为4兆位（4Mbit）、低功耗的SPI接口NOR Flash芯片。其存储阵列由2,048个可编程页组成，每页大小为256字节，单次写入操作最大可编程数据量达256字节。该芯片支持多种擦除模式，具备成本低、功耗低、高速SPI读写性能以及断电后数据可长期保存等优势，主要面向小容量存储应用场景，包括嵌入式MCU程序存储、小型智能
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芯海科技
闪存
存储
周乐/券商中国存储芯片涨价潮愈演愈烈。据最新消息，三星电子今年第一季度将其NAND闪存的价格提高了一倍多，涨幅远超市场预期。目前三星电子已经着手与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预计价格上涨的势头将在第二季度延续。多家机构分析认为，AI浪潮驱动的“存储芯片超级周期”正全面到来。花旗预计，2026年动态随机存取存储器（DRAM）与闪存产品的平均售价或将分别上涨88%、74%，涨幅高于该行此前预测的53%、44%。价格暴涨1月25日，据韩国《电子时报》报道，今年第一季度，三星电子将NAND
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三星
闪存
涨价
援引市场研究机构Omdia的最新调研成果披露，合计占全球NAND产能60%以上的两大原厂三星电子和SK海力士，今年将缩减在闪存上的晶圆投片量，这可能会进一步加剧NAND供应的短缺。三星产量从2025年的490万片缩减至468万片，SK海力士则同步跟进，产能从2025年的190万片降至170万片。在英伟达等公司引领的推理人工智能（AI）领域竞争日益激烈的背景下，作为关键组件的NAND闪存供应紧张，增加了包括服务器、个人电脑和移动设备在内的所有领域价格持续上涨的可能性。分析师预测，这将对三星电子和SK海力士的
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三星
SK海力士
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闪存
1 月 20 日消息，基于花旗集团、美国银行及摩根大通的分析报告，受 RAM 内存和 NAND 闪存组件成本飙升影响，在 iPhone 18 系列售价方面，苹果虽然会极力维持起步机型的发售价与前代持平，但在高存储容量版本上，消费者将面临比以往更大的价格涨幅。Freedom Capital Markets 技术研究主管 Paul Meeks 分析认为，全球科技企业对 AI 算力的狂热需求，导致内存市场供不应求，这种短缺状态预计将至少持续两年。即便苹果拥有强大的供应链议价能力，也难以完全消化这部分上涨的物料清
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苹果iPhone 18
原价
大容量版本
RAM 内存
NAND 闪存
上个月有报道称，长江存储（YMTC）已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。长江存储已经成功地将密度提高到行业相同的水平，实现了最高的垂直栅密度，也是现阶段商业产品中最高的，使其成为了全球NAND闪存市场的有力竞争者。据TrendForce报道，三星将从第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。此外，传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协议的谈判。
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三星
长江存储
混合键合技术
NAND
闪存
英伟达推出全新推理上下文（Inference Context）内存存储平台（ICMSP），通过将推理上下文卸载（Offload）至NVMe SSD的流程标准化，解决KV缓存容量日益紧张的问题。该平台于 2026 年国际消费电子展（CES 2026）正式发布，致力于将GPU的KV缓存（Key-Value Cache）扩展至基于 NVMe 的存储设备，并获得英伟达 NVMe 存储合作伙伴的支持。此消息一出，引爆的是本就涨到高不可攀的存储厂商股价，多家存储厂商和闪存控制器厂商股价直接涨停，闪存极有可能步DRAM
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存储
英伟达
ICMSP
闪存
黄仁勋
存储处理器
据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤销这一认定。长江存储成立于2016年7月，是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路厂商，旗下有零售存储品牌致态。长江存储以1600亿元的估值成功入围了胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
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长江存储
3D NAND
闪存
存储器
如今，边缘人工智能、汽车、清洁能源和通信等新兴市场领域，广泛采用基于 10 纳米及以下制程的系统级芯片（SoC）。先进 SoC 的工作电压低至 1.2V 甚至更低。若要支持许多 NOR 闪存采用的 1.8V 等高电压 I/O 结构，会增加 SoC 的芯片面积并提高成本。而具备 1.2V 输入 / 输出（VIO）特性的 NOR 闪存器件，既能降低成本，又能减少功耗。传统外部闪存器件的供电电压通常为 3.3V 或 1.8V，支持高速读取、快速编程和快速擦除等高性能操作。若将这些器件与 1.2V SoC 搭配使
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NOR 闪存
节能
VIO
我们先来聊聊磁芯最常见的存储用途。事实证明，铁芯和磁性材料用途广泛，至今仍在电源和模拟电路中用作扼流圈。而这篇文章提出了一个特别的想法：用磁芯实现逻辑功能（图 1）。尽管这项技术从未进入商业领域，但在技术层面是可行的。1. 磁芯可以实现如上述简单示例所示的逻辑。接下来，我们看看当时磁芯的使用情况，然后进入现在存储领域的情况，磁芯最初使用的领域。许多记忆技术已经兴起又消失，新的技术不断涌现。什么是磁芯磁芯是磁性材料，类似于铁。磁场的方向可以用来存储一个比特的信息。用于存储的磁芯被安装成网格状，阵列中交错排列
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磁芯
内存
闪存
在内存供应紧张和价格飙升给行业压力的情况下，据ETNews和News 1报道，三星开发出了一种NAND闪存技术，能够降低90%以上的功耗，预计将提升AI数据中心、移动设备及广泛应用的能效。据报道，11月27日，SAIT（前三星先进技术研究院）宣布将在《自然》杂志上发表其关于新型NAND闪存结构的研究，以显著提升能源效率。据ETNews报道，三星首次在全球范围内发现了将氧化物半导体与铁电结构结合的关键机制，从而将功耗降低了多达96%。正如报告所述，传统NAND闪存存储数据为注射电子进入每个细胞。因此，为了提
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NAND
闪存
SAIT
ArmorBoot 是 Macronix 的中端安全串行 NOR 闪存，支持安全启动以及其他安全功能，如片上认证支持（见图1）。它可以用于为使用不内置这些功能的微控制器或微处理器的设计提供安全服务。标准形态意味着存储芯片可以整合到现有设计中，以增强安全功能。1.Macronix的ArmorBoot提供安全启动和认证等安全基础功能，而高端的ArmorFlash则增加了数据加密和解密等服务。安全启动是指启动码在使用系统启动前经过验证。通常通过使用密钥认证代码，确保其来源为授权来源且未被修改
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闪存
存储芯片
智能电表是现代能源基础设施的核心，支撑动态定价、实时分析和碳核算功能。其有效性完全依赖持续的数据准确性。数据准确性出现任何问题，电力公司都将面临监管处罚、计费纠纷和运营效率低下等问题。灾难性硬件故障易于察觉和追踪，但大多数智能电表故障是隐性的。根本原因通常不在于芯片本身，而在于嵌入式软件如何管理闪存数据，以及如何处理断电等意外情况。解决这些细微但具有破坏性的故障，需要重新思考嵌入式层面的软件架构。闪存中的垃圾回收与写放大闪存不允许直接覆盖。数据必须先被清除，才能重写。因此，基于闪存的系统经常产生“陈旧”数
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闪存
嵌入式文件
智能电表
10月8日，复旦大学集成电路与微纳电子创新学院周鹏、刘春森团队在《自然》（Nature）期刊上发表题为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）论文，率先研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。复旦大学集成电路与微纳电子创新学院、集成芯片与系统全国重点实验室研究员刘春森和教授周鹏为论文通讯作者，刘春森研究员和博士生江勇波、沈伯佥、袁晟超、曹振远为论文第一作者。今年4月，周鹏、刘春森团队研发
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闪存
芯片
存储器
根据SEMI和SEAJ的数据，2025年第二季度全球半导体制造设备支出总计330.7亿美元，2025年第二季度的支出较2024年第二季度增长23%。其中，中国大陆的支出最高，为113.6亿美元，占总支出的34%。值得注意的是，中国大陆2025年第二季度的支出较2024年第二季度下降了7%。10月7日，美国众议院“中美战略竞争特别委员会”两党议员在经过数月的调查之后发现，包括荷兰的阿斯麦（ASML）、日本的东京电子（TEL）以及美国的应用材料公司（Applied Materials）、科磊（KLA）和泛林集
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半导体
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东京电子
应用材料
目前，在自动驾驶、智能家居系统和工业控制等领域，对边缘智能硬件的需求日益增加，以在本地处理传感器和智能设备生成的实时环境数据，从而最小化决策延迟。能够精确模拟各种生物神经元行为的神经形态硬件有望推动超低功耗边缘智能的发展。现有研究已探索具有突触可塑性（即通过自适应变化来增强或减弱突触连接）的硬件，但要完全模拟学习和记忆过程，多种可塑性机制——包括内在可塑性——必须协同工作。为解决这一问题，由复旦大学微电子学院包文忠教授、集成电路与微纳电子创新学院周鹏教授以及香港理工大学蔡阳教授领衔的联合研究团队提出了一种
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闪存
半导体
全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行
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铠侠
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TLC存储器
闪存
3D闪存
闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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