首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 闪存

闪存 文章 进入闪存技术社区

第八代BiCS FLASH厉害在哪里?

  • 第八代BiCS FLASH已然投入量产,意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升,特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制,铠侠通过专有工艺和创新架构,实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡,所开发的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外围电路直接键合到存储阵列)和3.6Gbps接口速度,给AI应用、数据中心、移动设备提供了更多潜在可能。技
  • 关键字: BiCS FLASH  闪存  flash  铠侠  

闪存大厂铠侠IPO又进一步

  • 近日,媒体报道铠侠已申请于今年10月在东京交易所进行IPO。铠侠预计筹资规模将达到5亿美元,如若IPO顺利进行,那么其有望成为2024年日本最大规模的IPO。知情人士透露,铠侠可能在接下来的几周内启动其IPO流程,至于IPO的具体细节仍在讨论之中,可能会根据市场环境的变化而有所调整。该公司的估值预计将超过1.5万亿日元(合103亿美元)。资料显示,铠侠于2018年6月从日本东芝集团独立出来,2020年铠侠获准在东京证券交易所上市,不过后来该公司以市场前景不明朗为由推迟上市。
  • 关键字: 闪存  铠侠  IPO  

消息称三星电子确认平泽 P4 工厂 1c nm DRAM 内存产线投资,目标明年 6 月投运

  • IT之家 8 月 12 日消息,韩媒 ETNews 报道称,三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划,该产线目标明年 6 月投入运营。平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心,分为四期。在早前规划中,一期为 NAND 闪存,二期为逻辑代工,三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备,但搁置了二期建设。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺,各家的 1c nm(或对应的 1γ nm)产品目前均尚未正式
  • 关键字: NAND  闪存  三星电子  

为 1000 层 NAND 闪存制造铺平道路,泛林推出新一代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0

  • IT之家 8 月 1 日消息,泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁 Sesha Varadarajan 表示:Lam Cryo 3.0 为(我们的)客户实现 1000 层 3D NAND 铺平了道路。泛林低温蚀刻已被用于 500 万片晶圆的生产,而我们的最新技术是 3D NAND 生产领域的一项突破。它能以埃米级精度创建高深宽比(IT之家注:High Aspect R
  • 关键字: NAND  闪存  泛林集团  

通用 DRAM 内存仍供大于求,消息称三星、SK 海力士相关产线开工率维持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息,韩媒 ETNews 援引业内人士的话称,韩国两大存储巨头三星电子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 内存产能利用率维持在 80~90% 水平。韩媒宣称,这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比:除铠侠外,三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。报道指出,目前通用 DRAM (IT之家注:即常规 DDR、LPDDR)需求整体萎靡,市场仍呈现供大于求的局面,是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的
  • 关键字: DRAM  闪存  三星  海力士  

Omdia:2027 年 QLC 市场规模将占整体 NAND 闪存 46.4%,为去年 3.6 倍

  • IT之家 6 月 14 日消息,韩媒 Sedaily 转述市场分析机构 Omdia 的话称,2027 年 QLC 市场规模将占到整体 NAND 闪存的 46.4%,仅略低于 TLC 的 51%。作为对比,Omdia 认为 2023 年 QLC 闪存市场份额占比仅有 12.9%,今年这一比例将大幅增至 20.7%。换句话说,未来三年 QLC 在 NAND 市场整体中的占比将在今年的基础上继续提升 1.24 倍,达 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前,QLC 的市场渗透主要
  • 关键字: QLC  NAND 闪存  

美光:预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响

  • IT之家 4 月 12 日消息,美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告,预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告,地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙,设施、基建和生产工具未遭受永久性损害,长期 DRAM 内存供应能力也没有遇到影响。直至公告发稿时,美光尚未在震后全面恢复 DRAM 生产,但得
  • 关键字: DRAM  闪存  美光  

毫米波传感器支持的闪存型号

2023Q4 NAND 闪存行业产值环比增长 24.5%:三星增长 44.8% 居首位

  • IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨询近日发布市场研究报告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 闪存产值 114.9 亿美元,环比增长 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 产值将继续保持上涨,预估环比会继续增长两成。三星第四季营收以三星(Samsung)增长幅度最高,主要是服务器、笔记本电脑与智能手机需求均大幅增长。三星该季度出货量环比增加 35%,平均销售价格环比增加 12%,带动营收上升至 42 亿美元,环比增加 44.8%。SK 集团SK 集团(SK Group)受惠于价
  • 关键字: NAND 闪存  存储  市场分析  

西部数据发布公告:今年年底前完成闪存和硬盘业务分拆

  • IT之家 3 月 6 日消息,西部数据近日发布公告,宣布分拆硬盘和闪存业务上取得了重大进展,并会按期在 2024 年年底前完成分拆,并公布了分拆之后亮相业务的主要负责人。图源:西部数据IT之家于 2023 年 10 月报道,西部数据由于铠侠合并未果,宣布分拆为两家独立上市公司,专注于硬盘和闪存市场。西部数据表示分拆两项业务,能更好地执行创新技术和产品开发,利用独特的增长机会,扩大各自的市场领导地位,并通过不同的资本结构更有效地运营。西部数据在新闻稿中表示,本次拆分已取得重大进展,包括全球法律实体
  • 关键字: 西部数据  硬盘  闪存  

日本东芝正式退市

  • 据日媒报道,12月20日,日本东芝公司正式退市,结束其作为一家上市公司74年的历史。今年8月起,以日本国内基金“日本产业合作伙伴”(JIP)为主的财团正式开始向东芝发起总额约2万亿日元的要约收购。东芝在官网发布的文件中称,该财团将从普通股东收购剩余股份,将东芝收购为全资子公司。公开资料显示,东芝创立于1875年,距今已有140多年的历史。东芝是日本制造业的代表之一,在家电、电气、能源、基建等领域都有巨大影响力。此外,东芝还是日本最大的半导体制造商,曾发明NAND闪存芯片。
  • 关键字: 东芝  家电  NAND  闪存  退市  

集邦咨询称 2023Q3 全球 DRAM 规模 134.8 亿美元,环比增长 18%

  • IT之家 12 月 5 日消息,根据市场调查机构集邦咨询公布的最新报告,2023 年第 3 季度全球 DRAM 产业规模合计营收 134.8 亿美元,环比增长 18.0%。集邦咨询表示由于下半年需求缓步回温,买方重启备货动能,让各原厂营收皆有所增长。展望今年第 4 季度,供给方面,原厂涨价态度明确,预估第四季 DRAM 合约价上涨约 13~18%;需求方面的回温程度则不如过往旺季,整体而言,DRAM 行业出货增长幅度有限。三家主流厂商情况细分到各家品牌,三大原厂营收皆有所成长
  • 关键字: DRAM  闪存  

三季度全球 DRAM 销售额达 132.4 亿美元,连续两个季度环比增长

  • 11 月 30 日消息,据外媒报道,从去年下半年开始,受消费电子产品需求下滑影响,全球存储芯片的需求也明显下滑,三星电子、SK 海力士等主要厂商都受到了影响。但在削减产量、人工智能领域相关需求增加的推动下,DRAM 这一类存储产品的价格已在回升,销售额环比也在增加。研究机构最新的数据就显示,在今年三季度,全球 DRAM 的销售额达到了 132.4 亿美元,环比增长 19.2%,在一季度的 93.7 亿美元之后,已连续两个季度环比增长。全球 DRAM 的销售额在三季度明显增长,也就意味着主要厂商的销售额,环
  • 关键字: DRAM  闪存  三星  海力士  

存储市场前瞻:DDR5 需求显著增长、AI 崛起让手机内存迈入 20GB 时代

  • IT之家 11 月 24 日消息,由于厂商减产的效果逐渐显现,以及特定应用市场的持续强劲需求,DRAM 和 NAND 闪存价格在 2023 年第 4 季度呈现全面上涨,并有望持续到明年第 1 季度。集邦咨询分析预估,2023 年第 4 季度移动 DRAM 合约价格预计上涨 13-18%,而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合约预计上涨约 10-15%,上涨趋势会持续到 2024 年第 1 季度。移动 DRAM:根据国外科技媒体 WccFtech 报道,2024 年手机的一个明显变化是
  • 关键字: 闪存  DRAM  NAND  

OptiFlash存储器技术如何利用外部闪存应对软件定义系统中的挑战

  • 在写字楼、工厂车间和汽车中,软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如,使用智能锁取代机械锁后,用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制,同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下,人们对存储器的要求不断提高,这一挑战不容忽视。在常嵌入闪存存储器的微控制器 (MCU) 中,存储器的容量也在快速增加。除了宏观趋势外,MCU 中的一些特定发展趋势(包括更高的计算带宽、功能集成以及包含额外的大型通信栈)也决定了需要更大容量的闪存。当出现无线更新的需求时,由于原始图像和备份图像都需要存储,上述的这
  • 关键字: OptiFlash  存储器  闪存  软件定义系统  
共566条 1/38 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

闪存介绍

【闪存的概念】 闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位,区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,EEPROM与闪存不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [ 查看详细 ]

热门主题

关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473