这两年，DRAM内存芯片、NAND闪存芯片都需求疲软，导致价格持续处于地位，内存、SSD硬盘产品也越来越便宜。不过，这种好日子似乎要结束了。根据集邦咨询最新研究报告，预计在2024年，内存、闪存原厂仍然会延续减产策略，尤其是亏损严重的闪存，但与此同时，至少在2024年上半年，消费电子市场需求仍不明朗，服务器需求相对疲弱。由于内存、闪存市场在2023年已经处于低谷，价格也来到相对低点，因此 预计在2024年，内存、闪存芯片的市场需求将分别大涨13.0％、16.0％，相比今年高出大约6.5个、5.0
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内存 闪存
近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
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V-NAND 闪存 3D NAND
IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。▲ 图源三星IT之家注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈。
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三星 闪存
6月1日，铠侠宣布开始运营两个新的研发设施——位于横滨技术园区的旗舰大楼和Shin Koyasu技术前沿——以加强公司在闪存和固态硬盘（SSD）方面的研发能力。未来，神奈川县的其他研发职能将转移到这些新的研发中心，以提高研究效率。随着新旗舰大楼的加入，横滨科技园区的规模将几乎翻一番，使铠侠能够扩大其评估闪存和SSD产品的能力，从而提高整体产品开发和产品质量。Shin Koyasu技术前沿将成为半导体领域尖端基础研究的中心，包括新材料、工艺和器件，此处配备一间最先进的洁净室。除了下一代存储技术，铠侠还从事其
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铠侠 闪存 SSD
据中国台湾《经济日报》报道，全球NAND闪存主控芯片供应商慧荣科技（SIMO）公布2023年第1季财报，营收1亿2407万美元，季减38%，年减49%，第1季毛利率42.3%，税后净利1116万美元。报道引述慧荣科技总经理苟嘉章表示，包括NAND大厂在内的主要客户，目前一致认为市况仍极具挑战。PC和智能手机终端市场持续呈现疲弱，上下游供应链皆将重心放在去化库存，包括消费级SSD和eMMC/UFS等嵌入式存储设备供应商，因此影响相关控制芯片的营收。苟嘉章认为，见到一些客户的下单模式从第2季开始有所改善，再加
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NAND 闪存 主控芯片
【2023 年 4 月 25日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出业界首款 LPDDR 闪存，助力打造下一代汽车电子电气（E/E）架构。英飞凌 SEMPER™ X1 LPDDR 闪存为汽车域和区域控制器提供至关重要的安全、可靠和实时的代码执行。该器件的性能是当前NOR 闪存的8 倍，实时应用程序的随机读取事务速度提高了 20 倍。这使得软件定义的车辆具有增强安全性和架构灵活性的高级功能。 下一代汽车更智能、更网联、更复杂，并
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英飞凌 LPDDR 闪存 汽车电子
IT之家 4 月 23 日消息，随着各大车企都转向软件定义的汽车架构，下一代车型的设计却在内存方面面临着问题。由于许多原因，传统的 xSPI NOR 闪存已逐渐无法满足用户的需求。为了满足汽车区域架构的新需求，英飞凌科技宣布推出业界首款 LPDDR 闪存。该公司将闪存与 LPDDR 接口结合在一起，从而实现了比 xSPI NOR 闪存更高的性能和可扩展性。据介绍，这款名为 SEMPER X1 的新型闪存设备借鉴了已有 10 年历史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案，并将其应用于
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英飞凌 LPDDR 闪存
【2023 年 04 月 10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）近日推出 SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品。这种存储器经过专门优化，适合在电池供电的小型电子设备中使用。健身追踪器、智能耳机、健康监测仪、无人机和 GPS 导航等新型可穿戴应用及工业应用不断涌现，有助于实现精准跟踪、记录关键信息、增强安全性、降低噪声等更多功能。这些先进的功能和使用场景要求在体积更小的电子设备中配备更大容量的存储器。据Omdia 数据显示，蓝牙耳
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英飞凌 SEMPER Nano NOR Flash 闪存
据中国台湾《经济日报》报道，针对市场关注的存储产业景气，群联电子CEO潘健成于3月28日表示，今年IC设计很辛苦，不过在原厂赔本卖的状况下，不认为这样的状态会持续太久，且因为快闪存储器价格便宜，看到需求倍数增加中。潘健成表示，现阶段原厂做1颗赔2、3颗，这样的状况不会太久，可能很快会有公司宣布减产，而控制器设计因为景气不好停顿了6-9个月，但群联在市场好的时候，存了不少冬粮，并且正向看待市场对快闪存储器需求和应用会越用越多，新的制程也会愈来愈多。而据TrendForce集邦咨询最新调查显示，NAND Fl
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群联 闪存
3月23日，长江存储首席运营官程卫华对外表示，预计2023年全球闪存需求将回暖，供需趋于平衡。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，NAND Flash市场自2022年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季NAND Flash合约价格下跌20~25%。进入2023年第一季度，集邦咨询指出，铠侠、美光产线持续低负载，西部数据、SK海力士将跟进减产，有机会缓解目前供给过剩的情况，NAND Flash均价跌幅也将收敛至10~15%。经历过2022年“寒冬”之后，
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存储 闪存
随着闪存从SLC、MLC向TLC、QLC升级，P/E写入寿命越来越短，从之前的万次以上减少到如今千次内，好在对一些工控领域来说，厂商还会专门打造超耐用SSD，国产SSD厂商绿芯科技Greenliant日前宣布推出ArmourDrive EX系列硬盘，拥有多达30万次的P/E寿命。ArmourDrive EX系列硬盘有mSATA及SATA M.2 2242两种规格，支持EnduroSLC技术，P/E寿命根据不同容量在60K、120K及300K之间——也就是最高30万次，这个性能比早期的SLC闪存还要耐用，后
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闪存 绿芯科技 SSD
在闪存领域突飞猛进的长江存储，还是遭到了美国的制裁，被列入“实体清单”，几乎是同一时间，三星就开始涨价了！DigiTimes报道称， 随着长江存储遭到制裁，部分PC厂商不得不暂停合作，而面对突然增加的市场需求，三星将其3D NAND闪存的报价提高了10％。当然，同样作为NAND闪存巨头，SK海力士、美光、铠侠/西部数据也有机会获得更多市场，但 三星毕竟是全球第一大NAND闪存供应商，今年第二季度份额为33％ ，虽然下跌了2.3个百分点但依然遥遥领先。 相比之下，SK
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闪存 长江存储 三星
2022年内存及闪存两种存储芯片的价格一直在下滑，以致于SSD硬盘跌成白菜价了，2TB不到700元，但是这样的价格也让闪存厂商很难受，三星已经开始出手逆转价格，12月份闪存涨价10%。据电子时报援引供应链消息，虽然市场需求低迷，但三星12月上半月依旧选择上调NAND闪存价格，其中3D NAND闪存价格涨幅高达10%。三星是全球第一大闪存供应商，Q2季度的销售额59.8亿美元，环比下滑5.4%，所占的份额也由上一季度的35.3%降至33%，依然遥遥领先其他厂商。a收购Intel闪存业务之后，SK海力士成立了
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SSD 闪存 三星 SK海力士 美光
Intel把闪存业务卖给SK海力士后，后者孵化出名为Solidigm的消费级/企业级品牌，关系类似于美光和英睿达。日前在Tech Field Day 2022技术峰会上，Solidigm预览了旗下第4代192层3D闪存芯片，不过是QLC颗粒（4bits/cell）。看来Intel此前的QLC技术积累被SK海力士完全保留，后者还指出，虽然当前出货的闪存芯片80%都是TLC，但QLC迟早会取代它。显然最重要的原因还是成本效应，QLC颗粒存储密度更高，也更容易做到大容量。
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英特尔 SK海力士 闪存
华为全联接大会2022中国深圳站期间上， 华为发布业界首个面向数据中心Diskless架构的微存储——华为OceanStor Micro系列，打造绿色集约、安全可靠的数据中心 。据了解，华为OceanStor Micro微存储本质上是传统盘框的智能化升级，以基于NOF+技术的高速网络连接Diskless服务器，支持上层分布式软件的透明访问，实现计算和存储资源独立弹性扩展，消除两者的生命周期管理差异。华为闪存存储领域总裁黄涛详细阐述了OceanStor Micro微存储的创新设计理念。他
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华为 微存储 闪存
闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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