- 紫光旗下的长江存储在2019年9月份正式量产了国内首个64层堆栈的3D闪存，容量256Gb，TLC芯片，2020年长江存储还会进一步提升产能，年底将达到每月6万片晶圆的水平，是初期产能的10倍。扩大产能就意味着要购买更多的半导体生产设备，其中光刻机还只能依赖进口，但是其他设备有望加大国产采购力度。1月2日，上海中微半导体宣布中标了9台蚀刻机，而2019全年他们中标的也不过13台。蚀刻机是芯片制造中的一种设备，与光刻机、MOCVD并称为三大关键性半导体生产设备，它主要用来在芯片上进行微观雕刻，每个线条和深孔
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闪存，半导体
- 在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe硬盘中，这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的，预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。3D闪存到底能堆栈多少层？就好像摩天大楼也不能无限堆高一样，3D闪存的层数也是有限制的，之前厂商的研究显示最多能堆栈到500多层，不过这是极限值，实际上并没有这么高。根据Techinsights最新的NAND闪存路线图，相比此前几年动不动就翻倍的堆栈层数，2022年大部分闪存厂商在
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闪存 TLC闪存 长江存储
- 2020年伊始，三星位于韩国华城的多座晶圆厂遭遇意外断电，在UPS电源的支持下只停了三分钟，已经够让存储芯片行业担心受怕了。现在第二大闪存厂铠侠工厂又出事了，这次又是火灾，官方表示损失情况还在统计中。据报道，1月7日，铠侠位于日本四日市的Fab 6晶圆厂传出火警，着火地点是在工厂的无尘室，火灾被迅速扑灭，但是存在无尘室暂时无法运行的可能，这也会导致东芝的闪存生产受到影响。铠侠官方已经证实了这次火灾，昨天发表公告称火灾导致的损害情况还在统计中，对于客户的供货情况还在统计中。这次出事的Fab 6晶圆厂在201
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闪存 火灾 铠侠
- 本周三，三星电子对外确认，部分半导体芯片产线临时停车，原因是1分钟的突然断电。事发地点位于三星华城工业园，波及到的多是DRAM和NAND芯片生产线。据悉，此次意外是因为当地输电线缆问题造成，预计产能完全恢复需要2~3天时间。三星在声明中称，他们正全面检查产线，全面评估受损程度。匿名消息人士透露，此次停车的损失在数百万美元左右，算不上重大。有分析人士认为，此次停车将减少三星的芯片库存，作为最大的存储芯片制造上，会否带来连锁效应尚不得而知。尤其是最新多方消息预判，明年内存、闪存、MLCC、液晶面板等诸多元器件
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三星 内存 闪存
- 在内存、闪存价格处于一个很敏感的拐点阶段，三星在韩国华城的内存及闪存工厂突然遭遇停电事故。对于这件事，大家很容易联系到之前三星、海力士、东芝、美光等存储芯片工厂遭遇的火灾、停电、跳闸等事故，不少人会心一笑。调侃归调侃，这次事件最大的问题在于三星损失多严重，对内存闪存的影响有多大。官方表示，他们正全面检查产线，全面评估受损程度。匿名消息人士透露，此次停车的损失在数百万美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢复正常。从目前的信息来看，三星认为事件影响不大，数百万美元的损失意味着只有极少数的晶圆受到影响，
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三星 内存 闪存
- 北京时间2020年1月1日消息，三星电子公司今天表示，在昨天下午发生大约一分钟的断电事故后，其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。三星在一份声明中表示，正在检查生产线以备重新启动，并正在评估造成的损失。需要指出的，这不是三星存储工厂第一次出现停电事。根据资料显示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平泽市）的NAND闪存工厂也曾出现过停电事故，虽然停电仅持续了半小时，但依然损坏了5000~6000片晶圆，是三星当月产量的11%，预计相当于3月份的全球供应的3.5%。事后，根据预计此次事故造成了
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三星 内存 闪存
- 今年3月份，三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存)，基于28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺，内存容量8Mb，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。MRAM是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究，读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，综合了传统内存、闪存的有点。三星量产的eMRAM内存是基于磁阻的存储，扩展性非常好，在非易失性、
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三星 内存 闪存
- 在被美日韩掌控的存储芯片市场上，终于有中国公司可以杀进去跟国际大厂正面竞争了。紫光旗下的长江存储（YMTC）于今年三季度官方宣布，开始量产64层堆栈3D闪存，容量256Gb，TLC芯片。外界预计，初期的月产能在5000片左右。来自业内分析人士最新爆料称，长江存储的64层3D闪存芯片将在2020年底前把月产能提高到6万片。不过，接受采访时，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华未对产能数据予以确认，表示暂不能透露详情，包括下一代更先进产品的研发计划。有报道猜测，长江存储可能会跳过96层堆栈，预
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闪存 TLC 闪存紫光 长江存储
- 在被美日韩掌控的存储芯片市场上，终于有中国公司可以杀进去跟国际大厂正面竞争了。据报道，今年一季度，紫光旗下的长江存储（YMTC）开始投产64层堆栈3D闪存，容量256Gb，TLC芯片，初期的月产能仅有5000片。最新消息称，长江存储的64层3D闪存芯片将在年底前将月产能提高到6万片。不过，接受采访时，长江存储副总裁、联合CTO Cheng Weihua却表示暂不能透露具体的数据详情包括下一代更先进产品的研发计划。有报道指出，长江存储预计最早明年初投产128层堆栈3D闪存，可能会采用第二代Xtacking架
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闪存 TLC闪存 紫光 长江存储
- 随着紫光旗下的长江存储在8月底量产64层堆栈的3D闪存，国产存储器芯片已经崭露头角，结束了存储芯片国产率0%的尴尬。目前紫光集团下面有多个公司设计存储芯片业务，定位有冲突的可能，不过紫光国微已经否认了整合长江存储的可能性。日前在投资者互动平台上，有投资者询问了紫光国微是否会整合长江存储，但紫光国微方面表态谨慎，称“长江存储设立时，为避免潜在的同业竞争，紫光集团承诺，在本公司未来规划发展存储器芯片制造业务时，有权对长江存储进行产业整合。鉴于紫光集团在存储器领域的战略布局，公司目前没有计划涉足存储器芯片制造业
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闪存 内存颗粒
- 现在市面上主流的SSD都是TLC颗粒，相比以前的SLC和MLC颗粒在擦写寿命和稳定性上会差不少，但是好处是SSD容量可以越做越大，也越来越亲民，现在SSD 1元1GB已经成为了常态价。
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固态硬盘 闪存 PLC SSD
- 根据Tom‘s Hardwared的报道，东芝在今年的闪存峰会上提到了未来的BiCS闪存，以及PLC的NAND开发。
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东芝 5bit PLC 闪存
- 在今天召开的2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团展出了旗下芯片及云计算等领域的最新进展，其中首次公开展出了旗下长江存储研发的64层堆栈3D闪存，采用了Xstacking堆栈结构，核心容量也提升到了256Gb。根据官网资料，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。在闪存芯片上，长江存储去年就小规模量
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闪存 长江存储
- 昨天晚上，知名爆料博主@i冰宇宙公布了三星Note10的闪存性能测试数据。
根据测试数据，三星Note10的UFS 3.0 闪存速度表现十分亮眼，顺序读取速度为1486MB/s，顺序写入速度达到了586MB/s，随机4K读取速度为179.16MB/s，随机4K写入速度为201.27MB/s。
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三星 Galaxy Note 10+ 闪存
闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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