- 如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
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闪存 3DNAND 2DNAND
- 华为P10“闪存门”其实就是一些消费者在购买P10手机后，经过测试发现，华为P10系列手机闪存速度出现了明显差异的情况。用户测试结果显示，有部分手机的闪存速度约为200MB/秒，而根据网上公布的评测参数来看，以华为官方配置的P10实际速度应该可以达到800MB/秒左右。而最终测试的结论就是华为P10的闪存存在UFS和eMMC混用的问题。
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闪存 UFS eMMC
- 多年来，汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知，汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元，而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，这一数字还将不断上升。目前，每辆豪华车内部半导体元件的总价值约为1000美元，而中档车内部半导体元件的总价值约为350美元，汽车MCU是其中的重要组成部分。大多数汽车MCU具有片上嵌入式闪存，其中包含复杂而详尽的指令代码。尽管基于多晶硅浮栅的嵌入式闪存广泛部署在汽车、工业和消费类应用领域的一系列产品中，并且是非易失性存储器技术的
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嵌入式 闪存
- 在对待用户方面，华为还有很多需要提升的地方——要俯下身子;但是，在硬碰硬的诉讼较量方面，华为又有很多值得其他企业效仿之处——不轻言放弃。
前段时间爆出的P10“内存门”或“闪存门”让很多华为的忠实粉丝大跌眼镜。
从法律上看，华为可能并不存在“以次充好”或“偷工减料”的做法，但是，其在澄清说明相关做法时，又显得脱离用户。
使得疑问变质疑最终可能
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华为 闪存
- 面对全球信息化加速发展，以电子信息为代表的新一代信息技术产业呈爆发式增长态势。2016年陕西实现了新一代信息技术产业的持续高速增长，全年电子制造业总产值超过700亿元，同比增长50%以上，其中半导体产业产值达到500多亿元，位于“一带一路”核心地位的陕西是如何超前谋划，使新一代信息技术产业助力陕西在经济发展上实现“弯道超车”?半导体产业在其中又起了怎样重要的推动作用?新华社记者带你一探背后的奥秘。
西安高新区：聚焦新兴产业带动转型升级
近年来
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集成电路 闪存
- 伴随全球化带来的产业转移，中国半导体产业正向上游延伸。产业发展也进一步增强了兼收并购需求。
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东芝 闪存
- 希望大家平时一定要注意这些消费陷阱，买到真正优秀的好手机。
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闪存 SoC
- 全球领先的嵌入式非易失性存储器解决方案提供商赛普拉斯半导体公司与中国最先进的纯晶圆代工厂之一，上海华力微电子有限公司(华力)今日共同宣布，基于华力 55纳米低功耗工艺技术和赛普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存知识产权相结合，为闪存产品树立了一个新的里程碑。华力的客户已经开始使用这项技术进行低功耗嵌入式闪存产品的试生产，针对蓝牙低功耗和物联网应用。赛普拉斯高耐用性、可扩展的SONOS嵌入式闪存工艺针对低功耗需求进行了优化，使其成为微控制器(MCU)和物联网(IoT)应用的
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赛普拉斯 闪存
- 选SSD就是选闪存颗粒!所以，大家购买前可以先在网上看看评测拆解，了解颗粒是否来自于原厂或者是白片，再慎重选择。
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SSD 闪存
- 如今各种设备对于NAND闪存的容量要求越来越高，迫使厂商们不得不持续改进技术，尤其是强化3D堆叠设计。SK海力士就计划在今年量产72层堆叠闪存。
2015年，SK海力士量产了第二代36层堆叠3D MLC NAND(3D-V2)，单晶粒容量128Gb(16GB)。
2016年，SK海力士推出了第三代48层堆叠的3D-V3，闪存类型改成TLC，重点单晶粒容量256Gb(32GB)，而封装芯片的容量最高可以达到4096Gb(512GB)。
2017年，我们将看到SK海力士的第四代3D-V4
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海力士 闪存
- 从2016年下半年开始，内存、闪存的缺货涨价势头开始上扬，2017年这一局面将继续扩散蔓延，而且一整年都未必会有改观。
据台湾经济日报报道，内存大厂金士顿近日表态，今年因为主要的DRAM内存大厂都没有增产计划，全年DRAM内存都面临缺货窘境。此外，群联公司董事长潘建成也强调，NAND闪存因为进入3D世代，制程良率无法提升，预计将缺货一整年。
日前，金士顿董事长陈建华出席群联竹南三厂上梁典礼时，针对DRAM内存市场进行了分析，他表示，目前主要DRAM内存大厂都没有增产计划
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DRAM 闪存
- 中国半导体厂商近来加大了海外收购、合作的力度。早前行业内曾经传言，中国紫光集团可能会收购美国闪存、内存制造巨头美光科技公司，但是传言并未有下文。日前，紫光旗下公司证实，正在和美光进行有关技术授权、成立合资公司的谈判。
据报道，作出上述表态的是中国长江存储公司的副董事长丁文武。长江存储是紫光集团旗下设立在武汉的企业，董事长正是紫光集团掌门人赵伟国。
日前在合肥的一次会议上，丁文物对于记者表示，目前长江存储公司正在和美光科技公司进行谈判，涉及到闪存以及内存技术的授权，但是还没有达成协议。这位高
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长江存储 闪存
- 伴随着中国增加闪存投资，其和三星的闪存市场份额差距正在缩小，而技术上中国在过去10年时间里培养了一批人才，积累了一定技术，在技术上迅速缩小与三星的差距。
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三星 闪存
- SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Ce
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SLC MLC TLC 闪存
闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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