- 根据台湾市场研究公司Trendforce的最新报告，苹果将在2015年购买全球25%的闪存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。苹果iPhone、iPad和Mac都使用了这种DRAM内存。
在iPhone和iPad中，苹果通常会配备1GB运行内存，而Mac配备的内存可以高达16GB。在PC的世界中，使用更高的内存可以让系统运行速度更快，不过增加内存的方式现在已经逐渐被更换固态硬盘替代。在移
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苹果 闪存
- 虽然规模和技术远远不如TSMC台积电、UMC台联电等代工巨头，不过中芯国际(SMIC)这两年发展的还不错，28nm工艺年初也正式量产了，还从 TSMC手中抢到了部分高通处理器订单，现在他们准备进军新的市场领域了——向客户推出38nm工艺的NAND闪存，而且是中芯国际自主研发的技术。
中芯国际进军闪存，自主研发38nm NAND来了
NAND闪存的重要性不必说，目前SSD固态硬盘以及消费电子上所用的存储器多数都是基于NAND闪存，目前全球主要的NAND产能都掌握在三星
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中芯国际 闪存
- 北京时间6月16日晚间消息，SanDisk(102, 3.53, 3.58%) Corp(SNDK)周一宣布，已同意以11亿美元现金收购闪存设备制造商Fusion-io Inc(FIO)。
根据交易条款，SanDisk将为每股Fusion-io股票支付11.25美元，较该股上周五收盘价溢价21%。
SanDisk预计此项交易将于其第三财季完成，并将帮助提高其下半财年调整后每股盈利。
Fusion-io位于美国盐湖城，主要为数据中心生产闪存产品和软件;Sandisk位于加州
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SanDisk 闪存
- 东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，即日起开始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本标准的32GB和64GB嵌入式NAND闪存模块的样品出货。东芝在业内率先提供此产品[2]。 这两种模块还集成了UFS 2.0版本的可选功能——5.8Gbps高速MIPI® M-PHY®[3]HS-G3 I/F，并实现了超高性能，包括650MB/s的读取速度和180MB/s的写入速度。
传输速度的加快可缩短各
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东芝 嵌入式 闪存
- 据悉，TDK株式会社(社长：上釜健宏)将于2014年8月开始销售工业用NAND闪存模块SNG4A系列，该系列产品支持M.2插槽、是尺寸约22mm×42mm的小型SSD，通过采用SLC型NAND闪存使容量阵容可扩充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。
目前，在消费用途方面M.2作为今后主流的form factor而备受关注，而在工业用途方面，预计M.2的采用也会得到推进。工业用主板所呈现出的趋势是在重视转发速度的同时，更加重视可靠性，许多装置的使用年限都超过了10年。
因此，考
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TDK 闪存 SNG4A
- 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布对旺宏电子股份有限公司发起另外两项专利诉讼，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列广泛且不断扩大的存储产品中，在过往以及当前持续侵犯 Spansion 的诸多专利。Spansion 分别向美国国际贸易委员会(ITC)与北加利福尼亚州联邦地区法院递交了起诉书。
涉案的四项专利主要与闪存的制造、结构以及使用相关。在 2013 年 8 月向 ITC 与北加利
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Spansion 旺宏 ITC 闪存
- 2014上海慕尼黑电子展期间，美光科技公司嵌入式业务部门营销高级总监Amit Gattani告诉《电子产品世界》，美光看好中国的前景，因为中国“十二五”计划当中明确提出要建立智慧城市、智慧交通、节能环保，实现可持续发展，注重汽车产业的节能排放以及创新，这一切都和美光公司的战略相吻合。 目前美光在上海有两个设计中心，主要是做硬件和集成电路设计，比如开发NOR闪存等产品，分别在浦东和漕河泾。还有2012年刚刚建成的美光公司系统工程实验室，旨在与客户实现更好的合作，创新开发各种解决方案。此外美光
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NOR 智慧城市 节能环保 闪存
- 全新Nytro产品闪存容量翻番，端口增加4倍，适用于大型数据中心。企业级PCIe闪存和缓存解决方案在数据中心的应用快速增长。 LSI公司日前宣布推出Nytro MegaRAID® 8140-8e8i闪存卡，进一步扩展了Nytro™产品组合。该闪存卡设计用于对磁盘数量和容量有较高要求的横向扩展服务器和存储环境，其可提供1.6TB的板载闪存容量和16个SAS/SATA连接接口。相对于现有的Nytro MegaRAID闪存卡而言闪存容量翻番，端口数增加4倍。 LSI®&nb
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Nytro LSI 闪存
- 在今天开幕的英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum，IDF14)上，英特尔公司副总裁兼非易失存储器解决方案事业部总经理Rob Crooke就当今固态盘(SSD)的市场状况、发展趋势以及英特尔固态盘业务的策略进行了全面剖析。 日益增长的固态盘市场需求 从1987年至今，非易失性存储器也早已从NOR时代切换到了NAND时代，闪存产品的容量更是从MB时代进入了TB时代。“首先，我们很高兴地看到，固态盘在市场需求方面，将保持高速成长的势头，”
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英特尔 SSD TB 闪存
- 全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商 Spansion 公司与先进存储与Integrated Silicon Solution 公司日前共同宣布，双方已签署授权协议。根据该协议ISSI 将能够获得 Spansion 的专利组合，以开发与生产特殊闪存产品。 ISSI 闪存业务开发部副总裁 Manjunatha V. Kashi 表示：“对于能够与Spansion&n
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Spansion ISSI 闪存
- 大多数可编程阵列使用易失性存储器SRAM作为配置数据存储元件。最近，有人尝试使用非易失性存储器(NVM)替代SRAM。基于NVM的FPGA是嵌入式IP应用的理想选择，其架构和许多增强功能可改善芯片集成度、IP使用率和测试时间。Robert Lipp等人提出了一种采用浅沟槽隔离(STI)工艺的高压三阱EEPROM检测方案。
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可编程 闪存 SRAM SST SCE
- RL78产品的闪存，分为数据闪存区和代码闪存区。数据闪存区用于存储数据，而代码闪存区用于用户代码及数据的存储。对于无内置数据闪存区的产品，使用代码闪存区存储数据，通常是成本导向的最佳方案。本文中作为示例的RL78/I13，是一款具有内置数据闪存区的产品，但是它的代码闪存区也可兼作数据闪存区。
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闪存 编程 RL78
- 全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社日前宣布其已研发出业内首项应用于28 nm制程工艺的微控制器(MCU)的28纳米(nm)闪存知识产权(IP)。 现代发动机油耗不断降低，要求新型控制机制能够对应新式燃烧方法的引入以及小型化所带来的进一步系统升级。高速实时处理，例如根据对多个传感器的反馈而产生的载荷变化在多种控制算法之间进行动态切换将成为必备功能，车用MCU中将需要具备当前性能的三到五倍的性能。此外，随着ECU数目的不断增多，如果我们考虑电源方面的限制，比如汽车临时停车时关掉发
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- 全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司日前宣布推出突破性的 Spansion® HyperBus™ 接口，它能极大地提高读取性能并减少引脚数量和空间。主要的片上系统(SoC)制造商都正在广泛部署Spansion HyperBus接口。
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- LSI公司(NASDAQ：LSI)日前宣布加盟开放计算项目(OCP)，并且正在为OCP全球社区贡献两款存储基础架构参考设计。
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LSI OCP 闪存
闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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