- 本文首先将重点阐述汽车设计/可靠性方面的一些限制，然后会评测数字仪表群架构，以及存储子系统的取舍对于未来...
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闪存 存储架构 Freescale
- 据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)为将供不应求的应用处理器产量做最大提升，9月起将会把原生产闪存(NAND Flash)的器兴14产线转换为系统LSI产线。三星内部人员表示，器兴14产线原有的闪存生产设备，将会移至新建成的华城16产线，而器兴14产线将转生产系统LSI。由于近来行动应用处理器和CMOS传感器(CIS)需求大增，为扩大产量而决定进行转换。
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三星 闪存
- 台湾新竹，常忆科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一颗256Kbit序列闪存产品─PM25LD256C。
市场上既有的序列闪存厂商之技术, 由于在小容量产品上已无法有效降低die size及成本, 因此序列闪存产品在业界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常忆科技以pFlash的专利设计才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故决定推出该项业界独有之产品。
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常忆科技 闪存
- 来自以色列的闪存厂商Anobit近日宣布推出新款高性能超低功耗嵌入式闪存控制器“MSP2025”，主要面向平板机、智能手机等便携设备，数据传输率可达空前的666MB/s，成为迄今为止性能最高的嵌入式闪存控制器。
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智能手机 闪存
- 全球领先的闪存存储解决方案供应商SanDisk公司（NASDAQ：SNDK）今日宣布，在其邮票大小的嵌入式固态硬盘系列SanDisk iSSD产品线中采用全新的SATA µSSD标准。 一直致力于维护串行ATA （SATA） 技术的质量和完整性以及推广工作的国际标准组织SATA-IO也于今日发布了此项标准。
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SanDisk 闪存
- 很多评论家，包括ESG的分析师都已经开始预测，在未来短短几年内，闪存将在主存储中完全取代磁盘，使闪存成为一种新型的磁盘。他们的基本论点是，因为固态盘(SSD)是基于集成电路的，所以他们的价格遵循摩尔定律，然而作为一种不可靠的机械装置的硬盘却并非如此。
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闪存 磁盘
- 很多评论家，包括ESG的分析师都已经开始预测，在未来短短几年内，闪存将在主存储中完全取代磁盘，使闪存成为一种新型的磁盘，磁盘成为新型的磁带，而磁带变成老旧的磁带，甚至是死亡。虽然没有什么比不再用听到磁头划过盘片的声音更好的事了，但是我认为这些评论者可能有点乐观了，就像是时尚人士预测深褐色会成为一种新的黑颜色一样。
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闪存 磁盘
- 随着数码产品，如智能手机和单反数码相机等的高速发展和普及，人们对体积小容量大的闪存类产品需求越来越大。在很多时候，闪存品质的好坏甚至直接影响到了数码产品性能的发挥和数据的安全。近日，全球闪存领导品牌SanDisk闪迪中国区销售总监郭文利先生造访昆明，记者对其进行了采访，就闪存市场的发展和闪迪中国市场策略进行了沟通。
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闪迪 闪存
- 据IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND闪存领域争夺头号排名的竞争加剧，排名第二的东芝接近与三星电子平起平坐。长期以来，三星一直是最大的NAND闪存厂商。
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NAND 闪存
- 武汉力源信息技术股份有限公司(以下简称武汉力源)，日前与节能、高可靠性和安全性存储器和固态存储产品领域首屈一指供应商Greenliant签署了代理协议。根据双方的协定,作为Greenliant的授权目录分销商, 武汉力源将在中国地区推广和销售Greenliant全部的NANDrive嵌入式固态存储器(SSD)、NAND闪存控制器和特殊闪存产品。
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武汉力源 闪存
- 飞索半导体(Spansion)与三星电子就专利诉讼达成和解，未来5年三星将向飞索半导体支付1.5亿美元。根据双方的协议，飞索半导体和三星签订了7年交叉专利授权。飞索同意以3000万美元收购三星的破产债权，如果被法院批准，飞索将被允许撤销165-185万股股票。
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三星 闪存
- 基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计,摘要：介绍了一种最新DDR NAND闪存技术，它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制，提供更好的读写速度，以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用。分析该新型闪存软硬件接口的设计方法。
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嵌入式 接口 设计 高性能 闪存 DDR NAND 基于
- 行业领先的闪存解决方案厂商Spansion公司(NYSE:CODE)今日发布截止至2011年3月27日第一财季的运营成果。由于公司重组后实行的新会计计量产生的影响，Spansion公司同时提供GAAP和非GAAP结果。公司美国GAAP净销售额为2.929亿美元，经营亏损70万美元，净亏损1410万美元。公司美国非GAAP调整后净销售额2.944亿美元，调整后运营收入3850万美元，调整后净收入为2510万美元。
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Spansion 闪存
- 带有双组闪存的MCU优点,MCU(微控制器)在过去几十年里在CPU性能、通信接口、模数和数模外设、内存大小及读写次数等方面呈指数发展。我们专注于带有非易失性嵌入式存储器的MCU(我们在USB闪存驱动器、存储器等内拥有闪存)，从首批带有一次性编
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MCU优点 闪存 双组 带有
- 据韩国媒体报道，内存调研公司集邦科技发布最新研究数据，今年四月上旬NAND闪存芯片价格创下了7个月以来的新高水平，一定程度上反映了继上月日本地震海啸灾害中断相关供应链后芯片价格的总体情况。
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闪存 NAND
闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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