据iSuppli市调公司2010年第一季度的NAND闪存市场调查报告显示，三星与东芝公司两家占据了NAND闪存市场的绝大部分份额，其中三星的营收 份额最高，达到了38.5%，东芝则位居第二为33.8%，两者合在一起占据了72.3%的NAND闪存市场营收份额。按美元计算，今年第一季度NAND 闪存的市场总值达到43.6亿美元，比去年第四季度NAND闪存市场总值43.3亿美元提升了0.6%。由于季节性因素的影响，每年的第一季度闪存市场一 般都会比上一年最后一季度有所萎缩，而今年则反其道而行，iSuppli
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三星 NAND 闪存
东芝公司今年计划耗资150亿日元(约合1.6亿美元)兴建一条试验生产线，生产小于25纳米制程的NAND闪存芯片。
目前东芝生产的NAND闪存是采用32与43纳米技术，主要应用于手机及数字相机等电子消费产品。为生产新的25纳米制程以下的芯片，需使用较短光波的极紫外光微影(EUV lithography)技术，因此，东芝也将进行相应的技术升级。目前，东芝已向荷兰半导体微影系统大厂ASML订购设备，预计在今年夏天试验投产。消息一经公布，东芝在股市中涨幅达3.5%，远远超过同类电气机器指数0.8%的涨幅
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东芝 NAND 闪存
据iSuppli公司，由于来自高密度应用的需求上升以及供应商的产量稳步增长，NAND闪存价格波动了两年之后，该市场已恢复稳定。
第一季度NAND平均价格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于这些相对温和的变化，2009年第一季度大涨34%。
NAND价格持续透明，导致2009年第四季度营业收入创出最高记录，使得多数NAND供应商对于2010年持有非常乐观的看法。在智能手机和microSD卡等高密度应用的推动下，市场对于NAND闪存的需求不断增长，也增强了厂商的信心。这种旺盛需
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闪存 NAND
富士通微电子公司日前宣布，已经成功开发出一种NOR型闪存新技术，可提高闪存读取速度，并同时降低工作电流。富士通在NOR型闪存中，引入了其专利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速访问随机存储)中的电路元素，从而实现了高速低功耗和高可靠性。这种新型NOR闪存可将访问速度提高2.5倍达，访问时间仅10ns，同时工作电流降低三分之二达到9µA。通过在嵌入式设备中应用这项技术，便携音视频设备将有望改进性能，同时延长电池续航时间。
富士通表示，将以这项N
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据iSuppli公司预测，苹果今年的iPhone生产计划可能导致新一轮闪存供货危机的发生。据iSuppli公司预测，今年苹果对其iPhone产品进行升级之后，iPhone手机产品的闪存容量将平均达到35GB之多，比现有的最大容量32GB还多。再加上iPhone本身的销量还将进一步实现幅度为32%的增长，达到3300万部左右，这样全球闪存市场今年将因此而再次呈现闪存供应紧张的局面。
过去，苹果每年都会将其设备所装备的闪存容量以每年增加一倍的速度提升，这样今年其iPhone手机的闪存容量有望达到64
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在最近举办的一次会议上，Intel公司属下NAND闪存集团的新任老总Tom Rampone透露了有关Intel闪存业务的一个惊人规划，他们计划在闪存技术和SSD产品市场上取得领先地位，但他们并不准备在散片NAND闪存市场 上扮演领军人的角色。看起来他们并不愿意在风水轮流转的NAND闪存散片市场和三星，现代以及东芝这些厂商一争高下，但于此同时,他们又表现出想把三星从SSD业 务排名第一的宝座上拉下来的意图。
Intel不准备在NAND闪存散片市场称雄的决定令人稍感惊奇，过去他们一旦进入某个市场，那
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摘要：就闪存应用于星载大容量存储器时的写入速度慢、存在无效块等关键问题探讨了可行性解决方案，并在方案讨论的基础上论述了一个基于闪存的大容量存储器的演示样机的实现。 无效块空间飞行器的数据记录设备是
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根据市场调研公司DRAMeXchange的最新统计，12月后半个月的MLC NAND闪存芯片价格和前半月相比持平，高密度芯片价格则将下降1-5%。
其中，16Gb芯片期货价格下降2-7%，32Gb芯片价格持平或下降3%，两种芯片后半个月的平均销售价格预计为4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均价格依旧保持在4.02美元。
尽管受到季节性销售规律的影响，NAND闪存12月份的销售价格依旧保持稳定。考虑到一些芯片制造商将重点转移到了工艺升级上，产能上或受影响，很多下游厂商已经开始存货为即
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闪存 NAND
在本月22日召开的一次电话会议上，镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品，并对其进行取样测试。尽管镁光没有透露这种2xnm制程的具体规格数字，但外界认为他们很可能会于明年初公布有关的细节信 息。这样，镁光及其NAND技术的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用这种新制程技术，甩开对手三星和东芝，重新回到领先全球NAND制作技术的宝 座上。目前Intel和镁光两家公司合资创立有一家专门负责NAND业务的IM闪存技术公司。
除了制造闪存芯片之外，Intel和镁光还有出售基
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镁光 NAND 闪存
据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli最新研究数据显示，第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存营收较第二季度的9.24亿美元增长了47.5%，达14亿美元。东芝在全球NAND闪存市场上位居第二，仅次于三星电子。
iSuppli资深分析师Michael Yang说：“东芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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闪存S29AL016D在数据处理系统中的应用,0 引言
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全球第三大闪存制造商--Numonyx执行长Brian Harrison周一表示,预计在接下来的季度中,公司将会开始再度盈利,因该行业正摆脱长期下滑趋势,而主要竞争对手经营困难也令公司扩大份额。
Harrison在接受路透电话采访时称,公司在三季度接近收支平衡,"希望接下来季度中能盈利,但我们并没有做任何预测。公司处于有利位置,我们的成本构成大幅降低。"
Numonyx是一家瑞士的私营企业,由英特尔和意法半导体合资设立。
Numonyx和韩国三星和日本东芝等其他大
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Numonyx 闪存
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘，结果选出了两个最有希望的候选 者：相变随机存取存储(PCRAM)、自旋极化随机存取存储(STTRAM)。
PCRAM我们偶尔会有所耳闻。它基于硫系玻璃的结晶态和非结晶态相变属性，单元尺寸较小，而且每个单元内能保存多个比特，因此存储密度和成本
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据来自ISMI Symposium的消息，NOR闪存制造商Spansion将出售其300mm工厂。
Spansion高层拒绝对这座名为SP1工厂的状态进行评论。“SP1是Spansion Japan的资产，目前正在对可能的重组方案进行评估。我们继续和Spansion Japan紧密合作，并通过我们内部和外部的资源，对客户的要求进行最大程度的支持。”Spansion在一份声明中表示。
2007年，Spansion启用业界首座300mm NOR闪存工厂。这座耗资12亿美
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那些鼓吹基于闪存的SSD硬盘技术的人可能要感到失望了，因为据最新的研究结果表明，如果磁盘技术按现有的速度发展下去，那么到2020年，双碟2.5寸 硬盘的容量将能达到14TB左右，价格则会降到40美元的水平(目前500GB硬盘普遍售价为100美元左右),仍然具有相当的竞争力。而尽管基于闪存的SSD硬盘产品由于在读写性能，省 电性能方面更为优秀，正在日渐流行，但其每GB折算价格却接近磁盘式硬盘的10倍,另外，闪存技术在2020年之前很可能会遇到性能发展上的瓶颈，这使基 于闪存的SSD硬盘即使在10年或更久
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闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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