- Intel与镁光的闪存合资企业IMFT在新加坡的新闪存工厂近日举办了正式开业仪式。这间工厂耗资近30亿美元，员工人数有望达到1200人。这间工厂从去年中期开始已经在生产25nm制程NAND闪存芯片产品，目前正在提升该产品的产量，预计今年晚些时候该厂将能开足马力进行生产。
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- 英特尔与美光称上周宣布了20纳米Nand闪存制造技术，英特尔称利用这一技术将有望制造出业界体积最小、密度最高的闪存装置。
英特尔的非挥发性内存解决方案部门的总经理Tom Rampone表示，“英特尔与美光的合作是制造业的楷模，因为我们将会在制程技术上持续领导业界转换至越来越微小的技术。”
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英特尔 20纳米 闪存
- 在2011年的国际固态电路会议(ISSCC)上，海力士、三星和东芝公布了各自关于尖端NAND部件的更多细节。
在一段时间内，由于手机、平板电脑和固态存储等产品市场的强劲需求，NAND闪存厂商一直有着惊人的增长速度。
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NAND 闪存
- Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已经扩大业内最快速的NOR闪存产品系列，从而为新一代汽车、消费电子和游戏等应用注入强劲创新力。Spansion GL-S系列针对快速数据访问、提升互动性和启动性能而开发，使得电子设备在按键后几乎能够立即启动，提供最快的交互用户体验。这次扩大的GL-S系列密度范围包括128Mb至2Gb，相比同类竞争NOR产品性能优势提升最高达45%。
Spansion GL-S系列产品是基于获得高度成功的、针对交互游戏应用的2Gb GL-S产品，该产品已于2
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- 无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC昨日共同发布扩大双方合作关系，CSR已采用TSMC先进的90纳米嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS制程推出新一代的无线产品。
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CSR 闪存 CSR8600
- 根据摩尔定律，性价比更高的闪存将取代硬盘，飞快占领存储市场。
有些嘎吱作响的东西很容易让人联想到文物，比如硬盘。
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- 包装信息可能包含：指定目标设备、代码版本、大小、日期和其它对用户有用的信息。这个信息可警告操作员正在使用一个较低版本的固件，从而会使设备的部分性能降低，或者正在装载一个不支持的指定设备。在如今竞争激烈
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- 2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别，2011年则将成为20nm级别普及的开端，同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。
SanDisk近日就表示：“2011年我们的首要营业费用投资就是研发，包括Fab 5晶圆厂上线投产，以及(10nm级别)和更先进NAND闪存制造工艺的技术投资。”
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- 据iSuppli公司，作为多种消费电子产品的事实性存储媒介，NAND闪存2011年将再度实现两位数的增长。
2010年NAND闪存销售额创下最高纪录，增长38%。预计今年销售额将达到220亿美元，比2010年的187亿美元增长18%。而NAND闪存比特出货量增长幅度更大，预计2011年增长72%，达到193亿GB。
尽管增长势头强劲，但2011年底市场形势可能发生变化。考虑到目前市场中乐观气氛弥漫，而且供应商可能过度投资扩大生产，风险可能在2011年底浮现，届时供应可能超过需求。预计201
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NAND 闪存
- 据国外媒体报道，美国国际贸易委员会(以下简称“ITC”)当地时间周四裁定，三星及其客户没有侵犯飞索半导体(以下简称“飞索”)的两项芯片专利。
如果三星及其客户侵犯了飞索的专利，苹果、RIM等公司的多项产品将被禁止进入美国市场。飞索曾经是NOR闪存领域的领头羊。
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- JEDEC 固态技术协会, 微电子产业全球领导标准制定机构日前宣布，将于近期发布下一代闪存存储器标准 - 。在近期所举办的JEDEC委员会上，该标准制定取得的重大进展。该标准旨在成为智能手机与平板电脑等移动电子设备所使用的基于闪存的最先进的存储规范。UFS标准的开发宗旨是为了满足不断提高的设备性能需求。其最初所支持的数据吞吐速率是每秒300兆字节，并支持指令排队功能，以便提高随机读写速度。该标准预计将在未来3个月内完成。
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- 基于SPIFI外设的Cortex-M MCU嵌入式闪存选型解决方案,新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI闪存接口技术(SPIFI，已申请专利)可以帮助32位嵌入式系统设计人员以小尺寸、低成本的串行闪存替代大尺寸、高成本的并行闪存。利用SPIFI (读音与spiffy谐音，意为ldquo
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闪存 选型 解决方案 嵌入式 MCU SPIFI 外设 Cortex-M
- 正当涉足NAND闪存业务整整一年之际，美光于12月2日新推出一种功能强大且封装紧密的25nm MLC处理器，这可使美光在当前的闪存市场处于更加有利的地位。
这款命名为ClearNAND的芯片分为标准型和增强型两个版本，标准版的存储容量为8GB和32GB， ClearNAND增强版的存储容量为16GB和64GB。
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- 海力士半导体(Hynix)M8产线未来将以代工事业为重心。据南韩电子新闻报导，近期海力士以部分IC设计公司为对象，提出运用清州M8厂的合作方案。采用90奈米以上制程的电源管理半导体、发光二极管(LED)驱动芯片、显示器用驱动芯片(DDI)、传感器专门IC设计等企业皆为协商对象。
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- 应用于闪存微控制器的“新闪存”架构技术, 简介 嵌入式微控制器越来越多样化，可以满足嵌入式系统市场的应用需求，而主流已经从传统的掩模ROM微控制器转向了内置闪存(可擦写的非易失性只读存储器)的闪存微控制器。 闪存微控制器目前有两种主要应用：
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闪存 技术 架构 控制器 应用
闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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