据市场研究公司Gartner最新发表的研究报告称，2008年全球半导体设备开支预计将达到403亿美元，比2007年的448亿美元减少9.9%。
Gartner半导体生产事业部副总裁KlausRinnen称，2007年的特点是DRAM内存不顾供过于求的现实继续加大投资、NAND闪存开支增速减缓和代工厂商恢复开支的状况令人失望。在2008年，我们预计随着DRAM内存市场将纠正资本开支的长期错误，半导体主要设备市场的开支将减少。代工厂商开支增长速度减缓和由于担心美国经济衰退而采取的谨慎态度都是造成20
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德国infineon日前宣布，将授权130纳米制程嵌入式闪存芯片制造技术给IBM。而IBM方面预计会在未来相应产品中使用该制程技术生产的产品，并提供相应服务。此列芯片预计将会在IBM北美工厂制造。
英飞凌的130纳米嵌入式闪存技术早在2006年就已经进入量产阶段。主要应用于使用微控制器芯片的智能卡自动系统中。根据计划，IBM将会在其位于北美的vermont(佛蒙特州)200毫米晶圆工厂投产，预计会在2008年下半年进入量产阶段。
英飞凌是世界上第一家运用130纳米工艺实现嵌入式闪存产品量产
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1月7日消息，上周五，有消息称，由于市场需求转向闪存芯片，日立公司计划退出小硬盘驱动器市场，集中力量在2.5英寸和3.5英寸硬盘业务上。
据国外媒体报道，日立公司的一位代表近日称，公司不再为小硬盘业务开发新的客户，因为该业务的需求量开始逐渐缩小。尽管公司会继续提供1英寸和1.8英寸硬盘，但这些硬盘仅向现有的客户提供，主要使用于便携式音乐播放器和其他移动装置。公司计划于今年夏季全面停止销售1.8英寸硬盘。随着闪存价格的下跌和容量的增大，闪存芯片日益取代了小硬盘在摄像机和便携音乐播放器中的地位。去
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突出特点
由于采用了ARM7TDMI-S内核，LPC2000系列MCU工作频率达60MHz，与其他8-bit产品相比具有更强的功能延展性。同时它借助片上存储器加 模块实现了“零等待访问”高速闪存功能，提高了指令执行的效率。
此外，LPC2000的外设接口非常丰富，包括UART、SPI、I2C、CAN、ADC、 PWM、RTC等。LPC2000系列MCU应用领域非常广泛，从网络通信、 马达控制，到汽车和消费电子都适合于涉足。
嵌入式系统是面向用户、面向产品、面向应用的，它是将先进计算机
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12月27日消息，受借贷资本市场的影响，意法半导体、英特尔、FranciscoPartners本周三同意将成立闪存合资企业Numonyx的时间延长到明年3月28日。
据国外媒体报道称，英特尔在向美国证监会递交的一份文件中说，各方已经对承诺书进行了谈判。最初的承诺书要求一些贷方提供15.5亿美元，为Numonyx融资。
根据修改后的融资条款，意法半导体将提供3.64亿美元的资金，持有Numonyx的48.6%的股份;FranciscoPartners将投资1.5亿美元，获得6.3%的股份。
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近日，由信息产业部电子信息产品管理司指导、信息产业部软件与集成电路促进中心组织的第二届“中国芯”评选在北京揭晓。展讯通信(上海)有限公司等企业生产的5款芯片获最佳市场表现奖，北京凌讯华业科技有限公司等企业的5款芯片获最具潜质奖。
从本届获奖产品可以看出，2007年，我国集成电路芯片的发展取得了长足进步：在最佳市场表现奖中，由展讯通信有限公司自主研发、生产的一款多媒体娱乐基带芯片(SC6600M)以3.08亿元人民币的销售额高踞榜首;芯邦科技(深圳)有限公司的闪存盘控制芯片(CMB2091)则以7
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英飞凌(Infineon Technologies AG)日前表示，已同意向IBM提供使用其嵌入式闪存制造工艺的许可。IBM将在北美使用这种130纳米工艺。英飞凌表示，它将使用IBM的代工服务生产未来基于此工艺的产品。
英飞凌的上述130纳米嵌入式闪存工艺于2006年初开始在英飞凌的工厂中实现量产，用于生产从汽车系统到智能卡等应用的微控制器芯片。
英飞凌汽车、工业与多市场业务部主管Peter Bauer表示：“通过这项合作，英飞凌发挥了其自己的制造IP的价值，获得了新的批量制造伙伴，而且加
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12月18日消息，近日，英特尔公司公布了其将于2008年推出的新产品及推出时间，展示了用于移动装置的固态闪存磁盘。
据国外媒体报道，近日英特尔公司在旧金山举行的新闻发布会上，公布了其将于2008年推出的新产品及具体的推出时间，展示了用于移动装置的固态闪存磁盘，并表示其45纳米升级版双核移动平台将于明年1月份发货，明年年中用于笔记本的固态闪存磁盘也即将上市。英特尔公司表示，升级版Centrino双核移动平台代码为Santa Rosa，将包括一个45纳米处理器，处理HD DVD和蓝光格式高清晰视频的
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东芝今天宣布即将推出搭载世界上首个对应多值技术的大容量NAND闪存(多值NAND)的行业内最大级别128Gb的SSD(Solid State Drive：固态硬盘)产品，主要用于计算机。计划2008年第一季度出货，并同时开始量产。在此之前，东芝将于明年1月7日-10日在美国拉斯维加斯召开的世界最大规模的家电展中亮相该新产品。
目前的SSD，采用高速双值NAND闪存，和HDD相比，高速、体积轻，但也存在容量小、成本高的问题，目前还没有真正普及。因此，搭载可以提高每个器件容量的普及型多值NAND的S
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据市场调研公司ICInsights，2007年IC单位出货量有望增长10%。该公司先前的预测是增长8%。
ICInsights将调高增长率预测归因于以下器件的出货量强劲增长：DRAM(上升49%)、NAND闪存(上升38%)、接口IC(增长60%)、数据转换IC(上升58%)和汽车相关的模拟IC(上升32%)。
ICInsights表示，如果2007年IC单位出货量增长率达到10%或者更高水平，将是连续第六年以两位数的速度增长，创下前所未有的强劲增长纪录。
ICInsights认为，
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很多厂商都设计出了未来的闪存技术，但谁能够首先推出产品呢?
Spansion表示，其MirrorBit和Ornand闪存芯片的基础是电荷捕获技术，这一技术为闪存产业继续缩小芯片尺寸、提高闪存芯片性能提供了一条途径。
Spansion CEO伯特兰向CNET News.com表示，Spansion已经生产出了采用电荷捕获技术的闪存芯片。Spansion已经启动了一项营销活动，希望向其它制造商许可一些技术。
伯特兰说，三星、东芝、Hynix公开表示对电荷捕获技术有很大的兴趣。我们拥有这一
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市场调研公司iSuppli日前在声明中表示，第三季度NAND闪存半导体全球销售额增长37%，达到42亿美元。但iSuppli指出，在包括苹果iPod在内的消费电子产品需求刺激下的连续增长势头，本季度可能结束。由于产量增长速度快于需求，本季度NAND的平均销售价格将下降18%。
韩国海力士半导体第三季度增长最快，其NAND销售额比第二季度大增79%，达到8.06亿美元。它的市场份额是19%，在当季全球排名第三。最大的NAND闪存供应商三星电子，市场份额从第二季度的45%降至40%，它出货的闪存数量
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随着日历一天天的翻动，转眼2007年即将成为过去。在这一年里，国内闪存盘市场继续保持着强劲的挺进力，无论是市场规模还是应用领域，都在一步步的扩大;无论是产品品质还是品牌效应，都在一点点的提升。
而仔细盘点，其中又以四大关键词最为耀眼。
降价：延续价格走低曲线
闪存盘面世八年里，价格持续保持着一条走低的曲线，这不仅是产品逐渐成熟的反映，也是产品全面普及的需求。而在2007年，“降价”这一信息似乎更加显得热闹一些。
2007年春节刚过，朗科公司便以迅雷不及掩耳之势发动了一场名为“春
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固态硬盘明年仍然少见且价格昂贵，但随着其量产，闪存成本的下滑，固态硬盘价格从2009年，2010年开始将开始下降。
DRAM与闪存产品制造商Micron Technology本周公布了固态硬盘发展计划。这种硬盘功能与常规硬盘无异，但与一般硬盘将数据存储在磁碟上不同，固态硬盘将数据保存在NAND内存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一样。
Micron将从明年第一季度开始大规模生产固态硬盘。第一批产品为32GB或64GB型号。虽然容量是现在笔记本电脑硬盘平均容量的一半，但Micron内存
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美国iSuppli调研结果显示，由于供应过剩与价格暴跌，DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。
NAND闪存方面，预计512M产品全球平均单价(ASP)将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分别为6%与8.4%。但是在第四季度，随着价格下跌，行情出现恶化，短期内很难恢复。iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim表示，此次价格下跌的主要原因韩国内存厂商将生产能力从DRAM转移至NAND闪存，从而导
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闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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