问题与挑战 作为现今普遍接受的移动存储工具,USB闪存盘在各种嵌入式系统中也获得广泛应用。 本文介绍低成本PIC控制器通过USB2.0全速接口与闪存盘进行连接的实现过程，并着重针对PIC微控制器和VinculumUSB接口芯片说明有关嵌入式接口的硬件设计以及程序的编写。 如今各种闪存盘和USB外设价格已相当低廉,并被广泛应用到带USB接口的PC中.而要将它们应用于8位或16位嵌入式系统中,如何解决成本和功耗等问题才是关键.
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Spansion以非易失性存储技术的持续创新推动闪存领域的发展。在本世纪初推出MirrorBit技术之后，Spansion以MirrorBit ORNAND技术和2006年推出的世界首款每单元4比特MirrorBit Quad技术，不断引领市场。现在，Spansion又推出了强大的革命性MirrorBit Eclipse架构，为多功能手机及多媒体便携设备提供更高性能和更低成本，显著降低手机OEM厂商存储子系统材料(BOM)成本。
MirroBit Eclipse工作原理
完整的阵列可以在相
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业界预测2007年闪存市场将出现下滑，不过市场研究公司ICInsights仍然看好该产品领域的长期前景。该公司在其McClean报告(TheMcCleanReport)的半年更新中预测，2007年闪存市场将比2006年下降1%，从201亿美元降到199亿美元;但预计该市场在2008年将反弹16%，达到231亿美元。
据上述年中更新报告，2007年闪存市场趋缓，主要原因是单位出货量下降(预计2007年成长11%)，和平均销售价格(ASP)下滑(预计2007年下跌11%)。产品储存密度提高，导致单位
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据美国半导体行业协会(SIA)周一称，在PC和手机等消费电子产品需求的推动下，今年9月份全球微芯片销售收入增长了5.9%。
9月份全球微芯片销售收入从去年同期的213亿美元增长到了226亿美元。今年第三季度全球微芯片销售收入增长6%，从去年同期的640亿美元提高到了678亿美元。
SIA总裁GeorgeScalise在声明中称，第三季度的全球销售比今年第二季度增长了13.2%反映了为圣诞节假日销售准备产品的传统模式已经开始。
消费电子产品的需求非常强劲。第三季度用于传统消费电子产品的
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10月24日，对Spansion和中芯国际来讲都是一个重要的日子。Spansion公司宣布，为加强对中国市场的关注力度，Spansion已与中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）展开合作，将向中芯国际转让65纳米MirrorBit 技术，用于其在中国的300毫米晶圆代工服务。 中芯国际与Spansion还签署了一项初步谅解备忘录，将授权中芯国际为中国的与内容发布相关的产品应用市场制造和销售90纳米、65纳米以及将来的Spansion M
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10月21日消息，据外电报道，市场研究公司ICInsights将2007年全球集成电路(IC)出货量增长率从原来的8%提高到了10%。
这家研究公司把2007年全球集成电路出货量的增长归功于一些集成电路产品出货量的强劲增长，如DRAM内存出货量增长49%，NAND闪存出货量增长38%，接口集成电路出货量增长60%，数据转换集成电路出货量增长58%，汽车模拟集成电路出货量增长32%。
ICInsights称，如果2007年全球集成电路出货量增长率达到10%或者更高，这将是连续第六年的两位增长
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根据半导体产业协会SIA报告，2007年8月全球芯片销售三月平均值达到215.2亿美元，比2006年同期数字猛升4.9%。8月份销售增长超过分析师预测，比2007年7月的三月平均销售额206.1亿美元增长4.5%。 SIA表示，增长归因于NAND闪存供应减少导致平均销售价格反弹。8月份NAND闪存销售价格比7月增长19%，与2006年8月相比增长48%。 SIA总裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季节性增长带来全球半导体销售连续健
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MicrochipTechnologyInc.(美国微芯科技公司)宣布推出12款全新的高性能、8位闪存单片机，其中包括该公司首款集成片上高速12位模数转换器外设的USB及LCD单片机系列。三个新产品系列共备有16种集成高分辨率片上模数转换器的高性能PIC18单片机，扩展了Microchip通用PIC18F4523系列产品线并极大地丰富了客户的选择。 在这三个新产品系列中，PIC18F8723大容量存储器通用系列提供丰富的外设集以及高达10MIPS
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东芝(Toshiba)半导体部门的CEO兼总裁ShozoSaito称，东芝无法满足对其NAND闪存芯片的需求，订单已经排到了12月份。 Saito表示，东芝只能满足客户订单需求的70%。但是，东芝对NAND闪存芯片平均售价的前景并不乐观。本周，Saito在接受采访时说，目前有利的一面是需求相当强劲，我们计划大幅度提高产量，满足迅速增长的需求。 大多数的NAND闪存需求来自嵌入设备市场，其中包括MP3播放机、优盘等产品，闪存卡只占需求很少的一部分。Saito说，东芝将专注于嵌入式设备
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据一名外国分析师透露，中国晶圆代工厂中芯国际集成电路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下简称中芯国际)进军闪存市场的计划明显遇到了阻力。
早在2005年的时候，以色列的赛芬半导体有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯国际签订了一份晶圆代工协议。在赛芬的帮助下，中芯国际公司去年决定进军存储卡市场。中芯国际扩充了专利授权范围，获得了使用氮氧化合物闪存技术的权利，目的是开发和生产存储卡。
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Jefferies Japan高级分析员David Motozo Rubenstein日前透露，东芝(Toshiba)公司NAND闪存晶圆厂的产能利用率已经处于最高位。 事实上，东芝公司的业务表现正在发生变化。David表示，“东芝认为供需形势处于有利状况，由于晶圆厂产能利用率达到100%，公司不得不回绝了25%的订单。” 还有更好的消息。NAND闪存“2006年平均售价下降70%，东芝曾经预计2007年更进一步下滑50%，但是到目前为止，价格还高于预计之上。” 价格已经触底
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九月，NAND闪存芯片合约价格自六月以来首次下跌，较早前已堆积的存货将使内存制造商经历库存增加压力。 根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，多层单元(MLC)NAND闪存的价格在9月上旬下降10%以上，而单层单元闪存(SLC)的价格则相对稳定。唯一主流NAND闪存即2Gb单层单元闪存可望价格有所回升。 据台湾内存消息人士指出，韩国三星电子8月震惊业内，使得激烈价格上升。需求被昂贵的价格压抑，反映在现货市场价格疲弱。 虽然许多内存库存商8月期间已经减少其采购，最新的报价仍然加
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据国外媒体报道，三星电子和东芝等24家企业日前因涉嫌操纵NAND闪存价格而遇到集体诉讼。 据悉，被起诉的24家厂商包括雷克沙（Lexa）、日立美国公司、日立公司、日立电子设备美国公司、Hynix美国公司、Hynix半导体、美光（Micron）科技、美光半导体产品部公司、三菱公司、三菱电子美国公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美国公司、SanDisk、三星半导体、三星电子、意法半导体、东芝、东芝美国公司、东芝美国电子部件公司、
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东芝(Toshiba)与SanDisk合资的300mm晶圆厂Fab 4举行落成典礼。该厂位于东芝在日本四日市(Yokkaichi)的场地内。 东芝于2006年8月开始兴建上述工厂，预计在2007年12月开始大规模生产，并在2008年下半年把月产能提高到8万片晶圆。在从2006年4月到2008年3月的两年内，Fab 4项目的投资额预计达3,000亿日元(约合26亿美元)。 东芝和SanDisk表示，Fab 4的月产能有望提高到21万片。Fab
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东芝(Toshiba)与SanDisk合资的300mm晶圆厂Fab 4举行落成典礼。该厂位于东芝在日本四日市(Yokkaichi)的场地内。 东芝于2006年8月开始兴建上述工厂，预计在2007年12月开始大规模生产，并在2008年下半年把月产能提高到8万片晶圆。在从2006年4月到2008年3月的两年内，Fab 4项目的投资额预计达3,000亿日元(约合26亿美元)。 东芝和SanDisk表示，Fab 4的月产能有望提高到21万片。Fab 4在开始阶段将采用56纳
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闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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