- 集邦科技最新报告指出，伴随需求持稳放大，加上DRAM、FLASH产能供给调整趋于平衡，NAND FLASH浮现供给缺口迹象，七月上旬NANDFLASH合约报价，SLC大涨15％至30％之多％。集邦认为，依照当前掌握数据观察，整体NAND Flash需求将在第三季超过供给，下半年NAND Flash将供不应求，第三季、第四季供给缺口各约0.3％、1.5％。 模块厂劲永指出，Flash第二季初仍持续下跌，因上游国际大厂SLC及MLC制程转换影响，五月份下旬价格才开始缓步
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NAND 闪存
- NAND flash方面，由于iPhone内部使用的NAND flash颗粒是以三星（Samsung）的产品为主，所以三星的NAND flash营收也将因iPhone的热卖而直接受益。集邦科技预估iPhone今年下半年出货量至少约在400万支左右，而2008年iPhone的出货量将占全球手机市场的1%左右，到达1200万支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出货比重相同，则iPhone耗用NAND flash的数量为192mn (1Gb的颗粒为单位
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- NAND型闪存(Flash)供应端下半年恐将拉警报，造成供货严重不足主因，除英特尔(Intel)为抢进50nm制程，决定既有采用78nm制程所生产NAND Flash将暂不供应下游客户端，还有三星电子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦为强化整体竞争力，被迫将产能加速转进至50nm主流制程，加上为供应苹果(Apple)下半年庞大订单，还必须挪出部分采70nm制程产能，在产能两头烧情况下，亦无力满足下游客户订单需求，因此，业界纷预期2007年下半全球NA
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NAND 闪存
- 全球NAND型闪存(Flash)大厂美光(Micron)近来针对全球NAND Flash市场未来发展发出警语表示，目前NAND Flash厂制程技术发展相当快速且先进，但微影技术无法跟上NAND Flash厂发展，尤其令人感到惊讶的是，微影设备商技术竟远落后NAND Flash大厂数年，几家NAND Flash厂商为于未来顺利发展，还必须领先微影设备商，自行开发一些相关技术。 近来全球各大DRAM厂为能有效运用旗下晶圆厂，加上NAND&
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- 根据国外媒体报导， NAND闪存市场上的竞争业者，包括Hynix、IM Flash与Toshiba等，最近都悄悄增加产量，并且准备推出45nm以下的产品。这个领域的供货商不但在程序技术上激烈竞争，也在准备因应市场上新的需求与产品的周期。市面上逐渐出现需要NAND的新应用，例如flash BIOS、solid-state storage与具备DVR功能，采用闪存的电视机。NAND业者最近动作频仍，市场领导供货商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND组件，第二大供货商 Toshi
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- NAND闪存产业风水轮流转，变化相当快速，原本第一季度头号存储卡厂商SanDisk还被第二名的金士顿（Kingston）苦苦追赶，饱受价格大跌之苦，然经过这一波缺货潮的洗礼之后，SanDisk成为了闪存存储卡产业中的最大赢家。从上游NAND闪存晶圆，到终端成品制造一条鞭掌握的模式，在缺货时期的优势发挥淋漓尽致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND闪存价格大跌、终端需求疲弱不振的影响，财报出现了赤字，SanDisk在2007年第一季度净亏损57.5万美元，每股刚好损益平衡，第二季度受到了NAND闪
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- 根据iSuppli公司的正式消息，NAND闪存供应商所面临的市况是业内有史以来最恶劣的，并且这种状况可能进一步恶化。如果不是到了岌岌可危的境地，供应商们就不会抱怨NAND闪存业务的定价和收益率的悲哀状况了。 与2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND闪存的平均定价有望下降35%到40%。这种戏剧性的价格下滑意味着NAND闪存业务作为一个整体将在今年第一季度遭遇运营损失，该市场有史以来第一次发生这样的事情。 经济学101法则 需求对降价呈现弹性的响应，市况恶劣的主要原因在于NAND供
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- iSuppli称，手机市场销量的强劲上扬推动NOR闪存供应商Spansion在2006年全球无线手机闪存市场中据于领先地位，并提升了其在全球闪存市场的排名。 2006年Spansion面向手机市场的NOR型闪存销量增加到18亿美元，较2005年的14亿美元提高了35%。增长幅度是全球手机闪存市场增幅（2006年达到61亿美元，较2005年的52亿上升了16.4%）的两倍以上。 2006年，Spansion的市场份额增加到29.9%，较2005年的25.8%有所上升。从而使Spansion在全球闪存市场排名
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- 华邦电子有限公司日前正式宣布推出业界首颗四通道SPI串行闪存器件。容量为16Mbit的W25Q16SpiFlash是第一颗属于W25Q系列的产品，这一系列将提供单/双/四通道SPI输入输出格式，使用成本低廉的8引脚封装，容量为8Mbit到64Mbit。 在推出W25Q系列产品之前，串行闪存器件通常用于存储非易失性代码，系统通电后，代码将从闪存器件下载到SDRAM中，这一过程称为代码映射(code-shadowing)。现在，微处理器可以通过使用高
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- 业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升，同时受三星电子上周一因某工厂停产的影响，NAND闪存的价格也持续攀升。三星近日提高了NAND闪存在现货市场的价格，力晶半导体公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也调高了eTT DRAM内存的报价。 在三星向外界透露位于韩国的工厂于8月3日因故停产后，各厂商均密切关注该事件对NAND闪存价格造成的影响。来自内存模具厂的消息称三星对MLC结构的8GB、16GB和32GB
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- 1、引言 随着嵌入式系统应用领域的不断扩大，系统复杂性也在不断提高。闪存作为广泛使用的嵌入式存储设备，其管理技术和访问方式经历了一个由开发员直接控制到由操作系统的I/O软件间接控制的过程。然而目前现有的这些闪存管理方案都不能提供一种方便、统一且移植性好的I/O软件接口，增加了嵌入式产品的研发周期。因此，本文旨在针对一般的嵌入式应用，设计并实现一种更合理的闪存I/O软件。该软
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- 北京，2007年8月2日-全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布任命行业经验丰富的Carla Golla为新成立的安全及高级技术事业部执行副总裁。Golla女士直接汇报给CEO办公室，她负责推动Spansion安全存储解决方案的制定和部署，包括公司的MirrorBit® HD-SIM™产品系列。此外，她还负责制定公司的高级技术战略，利用与台积电的合作，拓展MirrorBit在40nm及更先进制程下的发展。 Spansion总
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- Spansion宣布，其MirrorBit NOR闪存已完成在mediaTek主流手机参考设计平台上的预先验证。MediaTek总部位于台湾，是全球前十大提供无线通信和数字媒体解决方案的半导体芯片设计公司之一。在MediaTek参考设计平台上完成对Spansion闪存解决方案的预先验证，将使生产商能够将具有成本效率的高性能手机更快地推向中国及其它高速增长市场。 &
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- 随着NAND闪存芯片需求的增加，内存厂商已越来越难得到充足的NAND闪存芯片供应，NAND闪存芯片吃紧加剧了内存产业整合，业内人士称现在已有许多小规模的内存厂商从市场中退出。 今年前一段时间NAND闪存芯片价格出现了下滑，现在价格又开始了回升，可这并不能让众多内存厂商高兴起来，因为并非所有的内存厂商都能得到足够的NAND闪存芯片供应，特别是在苹果霸占了三星的大量NAND产品的情况下。 现在约有一半的二线三线内存厂商退出了NAND闪存业务，这也是不得已而为之，由
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消费电子 NAND 闪存 芯片
- 为满足中国白色家电市场的需求，NEC电子近日完成了7款双列直插封装(SDIP) 8位全闪存产品的开发，并将于即日起开始提供样品。
此次推出的7款新产品均为16-32个引脚的“少引脚”8位微控制器产品，封装形式均为双列直插封装(SDIP)。双列直插封装与近几年一直占据主流地位的表面贴装型封装相比，更易于封装，可降低生产成本。该7款产品均为全闪存产品，因此有利于客户缩短整机的开发周期，便于客户更灵活的安排生产计划。
新产品的样品价格因存储器的容量及引脚数的不同而有所差异，其中集成了4kb闪存的
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NEC电子 闪存 封装
闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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