野村证券最近发布《2012智能手机指南》，对智能手机的各种零部件及其供应商的状况进行了分析，并发现，智能手机中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND闪存。
北京时间5月23日下午消息，野村证券最近发布《2012智能手机指南》，对智能手机的各种零部件及其供应商的状况进行了分析，并发现，智能手机中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND闪存。
该报告显示，要生产一部现代化的智能手机，需要25个以上的零部件。尽管屏幕曾经一度被视为手机中最昂贵的部件，但根据野村证券的报告，最贵的应该是NAND闪存，
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智能手机 闪存
引言Flash存储器具有快速访问、低功耗、尺寸小、重量轻等特性，在系统电源关闭的情况下依然可保留数据。随着技术的发展，Flash因其在性能和成本方面的优势逐渐成为系统存储的工业标准。目前市面上，NOR Flash和NAND
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闪存 驱动设计
英国研究人员最近报告说，他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备，与现在广泛使用的闪存相比，耗电量更低，而存取速度要快上一百倍。
电阻性记忆体的基础是忆阻材料，这种材料的特殊性在于，在外加电压时其电阻会发生变化，随后即使取消外加电压，它也能“记住”这个电阻值。在此基础上开发出的存储设备与现有闪存相比更快更节能，是业界近来的研发热点。但以前开发出的这种存储设备只能在高度真空环境中运行。
英国伦敦大学学院等机构研究人员日前在《应用物理学杂
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存储器 闪存
NAND闪存工艺技术不断进步，但是可靠性和使用寿命却在倒退。尽管从理论上说依然足够绝大多数人用上好几年的，但这种趋势终归让人很不爽。固态硬盘厂商STEC近日宣布了一项新技术“CellCare”，能让NAND闪存的寿命一下子延长多达13倍。
CellCare是一项硬件和固件综合技术，核心内容包括：每个内核的闪存参数追踪，可带来更少的、受控的磨损;终生闪存管理，可减少磨损、控制性能、改进性能、降低读写延迟;高级错误纠正与数字信号处理，可改进数据可靠性、最大程度减少重新读取。
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基于闪存的大容量存储阵列,摘要 大容量、高速度、高密度、低功耗、低成本、高可靠性和灵活性一直是星上记录设备信息存储技术的主要研究内容和追求目标。文中研究并实现了一种基于NAND型Flash的高速大容量固态存储系统，成果为实际研制应用于星
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随着智能手机、平板电脑、超极本等移动互联设备市场的井喷，存储器Nand Flash也呈现“水涨船高”之势，Gartner预估今年Nand闪存市场将增长18%。在近日举办的“BIWIN首届Nand Flash应用高峰论坛”上，福州瑞芯微电子有限公司总裁陈锋直言“后PC时代已经到来”，今年平板电脑的出货量预计在1.5亿台左右，智能手机将突破6亿部，加起来为7.5亿部，将远超今年PC出货量，带动对显示屏、主控芯片和存储器关键部件的需求，
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LSI 公司(纽约证交所股票代码：LSI)日前推出了全面的 Nytro 系列解决方案，能够将 PCIe® 闪存技术与智能高速缓存和管理软件进行完美结合，从而明显提高数据中心和云环境的应用性能。
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据麻省理工 新发明的透明柔性3D存储芯片会成为小存设备中的一件大事。这种新的内存芯片透明柔韧，可以像纸一样折叠，而且可以耐受1000华氏度的温度，是厨房烤箱最高温度的两倍，而且可以耐受其他有害条件，有助于开发下一代内存，可与闪存竞争，用于明天的随身碟，手机和电脑，这是科学家在3月27日报道的。
在美国化学学会(American Chemical Society)第243届全国会议暨博览会(243rd National Meeting & Exposition)上，发明者说，一些设备使用这
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据国外媒体报道，NAND闪存技术现在已经有25年的历史了，而东芝打算来合理地庆祝这一上个世纪80年代在其实验室被发明的革命性技术。东芝称，幸亏有了闪存，现在人们才得以在他们生活的各个方面享受内容上的创新及先进的电子产品。
东芝称，“NAND闪存市场增长的很快，其闪存发货量在2011年要比DRAM(动态随机存取存储器)多很多，NAND闪存已经成为多数人选择的硅存储方式。NAND闪存现在应用在一系列的存储卡上及USB设备中，在许多消费者、工业及企业的云程序中也可以见到。”
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据国外媒体报道，利用闪存技术建立储存阵列的科技公司ViolinMemory，计划于周一宣布完成规模达5000万美元的D轮融资。该公司迄今为止已累积获得投资资金8亿美元。
参与此轮融资的投资者包括有：出于战略考量的日本芯片和电子产品制造商东芝、网络设备生产商Juniper、德国商务软件巨头SAP，以及投资机构Highland资本。
此外，Violin首席执行官唐·巴斯勒(DonBasile)还透露，公司正在为今年底的IPO计划寻找合适的银行家。
“上周我们进行
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行业领先的并行和串行NOR闪存芯片供应商Spansion公司(纽约证交所代码：CODE)，日前宣布已经开始批量生产512 Mb Spansion FL-S串行(SPI) NOR闪存，该芯片是业界单颗裸片最高容量的串行闪存方案。Spansion FL-S系列产品容量涵盖128Mb至1Gb，具有比同类竞争产品快三倍的业界领先编程速度和快20%的双倍数据读取速率(DDR)。速度的提升在诸多的嵌入式应用中极大地提高了用户体验，例如汽车组合仪表盘和信息娱乐系统、工业和医疗图形显示以及家用网关和机顶盒。
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摘要：主要介绍了三星公司的NANDFIJASH存储器K9K8G08UOM、以FPGA为核心模块控制K9K8G08UOM的读操作、写操作...
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NAND闪存存储器的自适应闪存映射层设计,闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间是由块(Block)构成，每个块又划分为固定大小的页，块是擦
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闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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