- Kioxia 于 8 月 27 日宣布，已启动岩手县北上工厂 Fab3 的场地准备工作，新厂房规划在现有 Fab2 以南，用于扩大 BiCS FLASH 三维闪存产能，目标 2029 财年开始运营；具体建设进度与生产设备投资将视市场情况决定。同日，Kioxia 与 Sandisk 联合宣布，预计到 2032 年在日本投资超过 310 亿美元（约 5 万亿日元），覆盖四日市与北上两座工厂的基础设施建设与相关技术，投资计划以获得日本政府支持为前提。两家公司还确认，NAND 闪存市场在中长期内受代理型 AI、物
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北上Fab3
存储扩产
- BiCS FLASH是铠侠自主研发的3D NAND闪存技术品牌，也是目前全球主流存储芯片的核心技术路线之一。BiCS的含义可以理解成Bit Cost Scaling，即位成本缩放，核心理念是通过三维垂直堆叠存储单元，在降低每比特存储成本的同时，突破传统2D NAND的物理微缩极限。在芯片有限的面积内平地起高楼，让铠侠BiCS FLASH创造了许多可能性。如今，第八代BiCS FLASH在行业内广受好评，第九代与第十代BiCS FLASH在今年内蓄势待发。现在不妨让我们花一点时间，了解第八代BiCS FLA
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- 据韩国媒体6月11日引述业内人士消息报道，SK海力士（SK hynix）已完成375层3D NAND闪存的生产验证，并计划着手将该技术导入量产线，预计将于今年年底开始大规模量产。据悉，SK海力士此次并未选择新建晶圆厂，而是对位于韩国清州M15工厂的现有产线进行设备改造与升级。该工厂目前主力生产176层、238层和321层NAND产品。这款375层的NAND产品最初规划为400层堆叠。然而，基于制造难度的综合考量，SK海力士最终将实际量产层数下调至375层。业内人士指出，SK海力士的技术路线图依然明确，未来
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- 自5月8日起，紫光国芯的证券简称由“紫光国芯”变更为“紫光国微”。公告称，公司在紫光集团“从芯到云”总体战略的部署下，从事集成电路设计相关业务。而这一变更是为了进一步反映公司所处行业，明确了紫光国微聚焦微电子领域的核心业务定位。
在国内芯片企业中，紫光集团布局较广，涉及产业链上的设计、生产到封测等环节，但国内整体芯片布局处于比较早期阶段。
“我们现在基本上完成了面上的一个布局，但是在更多细节上进入到高端还有
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- 3D NAND技术工艺发展与主流内存标准探讨-本文为您讲述ROM存储介质3D NAND技术工艺的发展，现阶段主流的内存标准，包括传统eMMC，三星和苹果提出的UFC标准和NVMe标准。
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- 2014年我国成立集成电路大基金以来，我国斥巨资打造芯片强国，这条路越来越顺，理想也越来越接近。
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- 如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
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- 2017年将是3DNANDFlash应用市场快速崛起的关键年，包括三星电子(SamsungElectronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等陆续推出具竞争力的64层3DNANDFlash加入竞局，SK海力士(SKHynix)更一举跳到72层3DNANDFlash技术以求突围，由于新旧技术转换，良率仍不稳定，加上固态硬碟(SSD)需求起飞，造成NANDFlash市场大缺货，业者预期2017年下半产出可望大增，全面开启3DNANDFlash时代。三星在2016年底宣布量产64层3DN
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- 目前说中国存储器业的”春天”已经到来可能还为时尚早，确切地说，应该是中国的半导体业一定要跨入全球存储器的行列之中。
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DRAM
- 据业内消息称，紫光集团旗下的长江存储技术公司(YMTC)正在规划开发自己的DRAM内存制造技术，而且可能直奔当今世界最先进的20/18nm工艺。
长江存储技术公司是紫光集团收购武汉新芯部分股权后更名而来的，并邀请了台湾华亚科技董事长高启全(CharlesKau)加盟，出任全球执行副总裁。
据高启全披露，长江存储致力于开发自己的存储芯片，除了3DNAND闪存之外，还组建了500人的研发团队，攻关DRAM内存制造技术。
同时，长江存储还将继续与好伙伴美光合作，互助互利，这对于其实现技术突
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- 投资没耐心是制约中国半导体发展的重要因素，很多投资人或企业想要三五年就获得回报，很难实现，半导体制造行业投资成功在中国可能需要十年左右的时间，不过抛开主观愿望，中国要想真正建立属于自己的记忆体产业，还需要可靠的知识产权来源与工程技术人才。
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