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顶级内存/闪存芯片厂商三星公司近日宣布由于Intel至强5600系列新处理器的出炉，刺激服务器厂商对DDR3内存的需求量大增，因此公司将增加 40nm制程DDR3内存芯片的产能。三星表示其40nm制程DDR3内存芯片......
据外电报道，全球最大内存芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)计划2年内为公司半导体部门投入高达19.3兆韩元(约合173.1亿美元) 的投资。 《韩国经济 (Korea Economic......
根据集邦科技公布价格，DDR3合约季均价与现货季均价继2009年第四季分别大涨40%与30%后，在2010年第一季分别续涨16%与 14%;DDR2合约季均价与现货季均价2009年第四季分别大涨61%与68%后，在2......
相变存储技术看来终于要走出实验室，走向市场了。继Numonyx宣布出货Omneo系列相变存储芯片后，三星电子近日也宣布，推出全球首款多芯片封装(MCP)PRAM相变存储颗粒产品。 相变存储属于非易失性存储技术，......
恒忆(Numonyx)作为相变存储技术(PCM)的创新者，今天宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备......
以收入计全球第二大电脑记忆芯片制造商海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司动态随机存取存储器(DRAM)平均售价季比上升3%，09年四季度涨幅为26%。 然而......
日韩DRAM大厂制程竞赛延伸至产品规格之战，在三星电子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服务器内存模块后，日系内存大厂尔必达(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式问世......
在渡过困难的09年后,全球半导体业迎来新一轮的高潮。市场相继出现存储器, 模拟电路等缺货现象及OEM库存不足。具风向标意义的1Gb DDR2价格由1,5美元升至3,0美元, 所以亏损了近3年的美光, 尔必达及海力士都......
韩国半导体大厂海力士(Hynix)公布2010会计年度第1季 (2010年1~3月)财报，与2009年同期净损1.18兆韩元(约10.62亿美元)相比，海力士本季达成获利8,220亿韩元，比前季成长25%。营收则达2......
存储器大厂三星电子(Samsung Electronics)器兴厂3月底甫发生停电事件，海力士(Hynix)位于韩国M10厂房21日亦出现停电意外，海力士宣称仅发生0.1秒瞬间电压下降，由于有不断电系统支应，并未造成......
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