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1月30日，海力士半导体(中国)有限公司12英寸集成电路三期项目4.5亿美元银团贷款签约仪式在湖滨饭店举行。本次签约的海力士三期项目，由国家开发银行江苏省分行、中国农业银行江苏省分行为联合牵头行，中国银行、工商银行、......
1月31日消息，日本芯片巨头尔必达公司正就收购台湾芯片厂商力晶科技的DRAM业务进行洽谈。 尔必达起初计划对力晶该项业务展开资本合作或合并的谈判，但现已将目标转为收购。据悉，尔必达还考虑接手力晶科技的主要工厂。......
1月31日消息，据韩国媒体报道，2011年韩国的半导体储存器(memory semiconductors，以下简称“记忆芯片”)出口有可能下跌约10%。 韩国知识经济部长官崔重卿、三星电子社长权五贤、海力士半导......
市场研究公司iSuppli预计，平板电脑DRAM内存的出货量今年将从去年的3780万GB增长至3.53亿GB。这一数字将在2012年达到10亿GB，2014年达到35亿GB。 苹果去年推出iPad平板电脑并大获......
2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别，2011年则将成为20nm级别普及的开端，同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。 SanDisk近日就表示：“2011年我们的首要营业费用投资就是研发......
彭博社报道，受到内存芯片价格下降、诉讼赔偿的双重影响，海力士去年四季度利润大跌83%。 ......
三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉，出席2011年IT产业新年见面会时曾表示，DRAM价格可能提早于第1季触底并回升，第1季内价格将有小幅下跌，价格随即出现反弹，但不确定会发生在......
全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布，推出六款全新32位PIC32MX5/6/7单片机系列产品，以全新的更具成本效益的......
来自存储芯片调研公司集邦科技的消息称，1月上半个月DRAM期货价已经接近谷底，下半个月价格可能持平或继续小幅下滑，然后在二季度开始回涨。 本月初，2GB DDR3内存价格下降5-6%，平均价格在17美元，最低1......
瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向网络设备的高速存储器产品576Mb(Mbit)低时延 DRAM，品名分别为μPD48576109、μPD48576118、μPD48576......
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