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全球两大存储厂新消息!

作者:Vinny 时间:2024-04-25 来源:集邦存储市场 收藏

近日,两大厂公布新消息:量产第9代V-NAND、新一代UFS 4.0闪存芯片出样。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202404/458066.htm

开始量产第9代V-NAND

4月23日,三星电子宣布,其1Tb TLC第9代V-NAND已开始量产,巩固了其在NAND闪存市场的地位。

据三星介绍,第9代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”,支持将数据输入/输出速度提高33%,达到3.2Gbps。除了这个新接口外,三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能SSD市场的地位。

凭借业界最小的单元尺寸和最薄的模组,三星将第9代V-NAND的位密度相比第8代V-NAND提高了约50%。功耗方面,与上一代相比,第9代V-NAND通过低功耗设计的进步,功耗也降低了10%。

三星电子业务产品和技术主管SungHoi Hur表示,通过最新的V-NAND,三星将继续引领高性能、高密度SSD市场趋势,满足下一代人工智能的需求。

据悉,三星将于今年下半年量产四级单元 (QLC) 型号。

新一代UFS 4.0闪存芯片出样

铠侠宣布出样最新一代UFS 4.0闪存芯片,新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格。

据介绍,新闪存芯片采用了铠侠的BiCS Flash 3D闪存和主控芯片,集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0,支持每通道23.2 Gbps或者每个设备46.4 Gbps的理论接口速度,并向后兼容UFS 3.1。

性能方面,与上一代UFS 4.0产品相比,新闪存芯片的顺序写入速度提升15%,随机写入速度提升了50%,随机读取速度提升30%,顺序读取速度不变,依旧维持在4640MB/s。

新产品采用JEDEC标准的9mm x 13mm封装,比上一代11mm x 13mm的封装小18%,其中256GB和512GB的闪存封装厚度为0.8mm,1TB的封装厚度为0.9mm。

据铠侠表示,256GB和512GB容量的产品于本月开始出样发货,而1TB的产品则需要等到6月后才能发货,样品规格可能会与最终量产版本有不同。



关键词: 三星 铠侠 存储

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