第八代BiCS FLASH已然投入量产，意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升，特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制，铠侠通过专有工艺和创新架构，实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡，所开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）和3.6Gbps接口速度，给AI应用、数据中心、移动设备提供了更多潜在可能。技
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近日，媒体报道铠侠已申请于今年10月在东京交易所进行IPO。铠侠预计筹资规模将达到5亿美元，如若IPO顺利进行，那么其有望成为2024年日本最大规模的IPO。知情人士透露，铠侠可能在接下来的几周内启动其IPO流程，至于IPO的具体细节仍在讨论之中，可能会根据市场环境的变化而有所调整。该公司的估值预计将超过1.5万亿日元（合103亿美元）。资料显示，铠侠于2018年6月从日本东芝集团独立出来，2020年铠侠获准在东京证券交易所上市，不过后来该公司以市场前景不明朗为由推迟上市。
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近期，媒体报道存储大厂铠侠正准备尽快提交初步申请，预计8月底前正式向东京证券交易所提交申请，目标10月底首次公开发行（IPO）。为了赶在计划期限前完成上市，铠侠的筹备工作在比以往任何时候都要快的速度进行。不过有业内人士称，上市时间有可能会推迟到12月，同时这次IPO筹集的资金可能低于2020年时的初始估值，当时其管理层预计铠侠的价值达到160亿美元。目前铠侠的多数股权是由私募股权公司贝恩资本牵头的投资者集团持有，希望通过IPO出售部分股权以筹集资金。此外，东芝也持有铠侠约40%的股权。在今年1月至3月的财
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《科创板日报》4日讯，铠侠产线稼动率据悉已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND
Flash)产品，借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉，铠侠将开始量产的NAND
Flash产品堆叠218层数据存储元件，和现行产品相比，存储容量提高约50%，写入数据时所需的电力缩减约30%。 (MoneyDJ）
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近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年，据日本媒体今年4月报道，铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，公司计划于2030至2031
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近期AI计算平台已经迎来新一轮升级。从NVIDIA发布Rubin GPU，到Intel发布至强6，再到AMD的锐龙和EPYC处理器，无一不在强调AI加速的重要性。特别是在PC领域，Windows on ARM产品蓄势待发，基于x86的AI PC更是锁定先进制程，将AI TOPS和应用范围都拓宽到更广大产品线中。AI时代的到来，势必所有的AI PC、数据中心、边缘计算、终端应用所搭载的存储器容量都呈现出倍数增长模式，DRAM、NAND Flash需求量大增，甚至推动新一轮的技术变革，HBM、CXL技术都是很
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据日经新闻报道，鉴于市场正在复苏，日本存储芯片厂商铠侠已结束持续20个月的减产行动，且贷方同意提供新的信贷额度。报道称，铠侠于6月份将位于三重县四日市和岩手县北上市的两座NAND工厂的生产线开工率提高至100%。而随着业务好转，债权银行已同意为6月份到期的5,400亿日元（34.3亿美元）贷款进行再融资。他们还将设立总额为2,100亿日元的新信贷额度。2022年10月，为应对需求低迷的市场环境，铠侠发布声明称，将调整四日市和北上市NAND Flash晶圆厂的生产，将晶圆生产量减少约30%，并表示会继续根据
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近日，三星、铠侠两大存储厂公布新消息：三星量产第9代V-NAND、铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样。三星开始量产第9代V-NAND4月23日，三星电子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已开始量产，巩固了其在NAND闪存市场的地位。据三星介绍，第9代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到3.2Gbps。除了这个新接口外，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能SSD市场的地位。凭借业界最小的单元尺寸和最薄的模组，
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IT之家 4 月 23 日消息，铠侠今日宣布出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可选，专为包括高端智能手机在内的下一代移动应用打造。256GB：THGJFMT1E45BATV，封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB：THGJFMT2E46BATV，封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB：THGJFMT3E86BATZ，封
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据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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在AI概念没有火热之前，无论手机还是PC都已经悄然引入人工智能加速相关的硬件和技术，目的是在部分功能上获得更好的体验，比如手机相册中的人脸智能识别和分类， PC和NAS在算力闲暇时对图像、视频的整理，以及视频通话时的背景虚化等等都是很好的例子。这个时期的AI计算我们通常称为决策式AI，即在成熟的底层技术框架内，通过数据分类标签和辨别的形式，通过CPU、GPU、NPU等处理器合力，它们的特点是，具备一套成熟的判断机制，通过夜以继日的训练识别，不断提升精度，并具有很强的针对性。随着大模型的火爆，另一种AI也推
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2024年3月20日，2024中国闪存市场峰会（CFMS2024）在深圳宝安前海·JW万豪酒店盛大举办。本次峰会以“存储周期、激发潜能”为主题，共同探讨在供需关系依然充满挑战的大环境下，未来存储市场的变化，以及如何挖掘产业价值、激发潜能，实现存储产业链由“价格”走向“价值”的升级。更有重量级嘉宾聚首并进行重磅演讲，聚焦未来存储行情演变、存储技术发展、AI与存储等热点话题。铠侠作为存储行业的领导品牌再次和大家共襄盛会，展示了存储领域的最新科技成果。在本次峰会上，铠侠电子（中国）有限公司董事长兼总裁岡本成之上
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IT之家 3 月 5 日消息，据台媒《经济日报》报道，在铠侠提升 NAND 产能的消息传出后，两家下游厂商群联和威刚的高管分别就此表达自身看法。根据之前报道，铠侠表示将重新审视 NAND 闪存减产策略，本月内将开工率提升至 90%。群联执行长（CEO）潘建成表示群联目前仍处于缺货状态，如果 NAND 闪存原厂可以合理价格提供稳定供货，对群联算是好事。此外原厂扩产可帮助 NAND 市场恢复秩序：闪存价格若持续上涨将影响下游厂商需求，而原厂产能提升可平抑价格。对各下游厂商而言，现有的低价 NAND
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智能手机上的UFS 4.0产品虽然已经得到广泛普及，但车载UFS 4.0领域的产品仍相对空白。对于制造商而言，用上基于UFS 4.0的SoC也需要大量的严苛验证，所有验证工作的前提是车载UFS 4.0产品应该先被生产出来。应该先更新车载SoC还是先有车载UFS 4.0成了一个“鸡生蛋，还是蛋生鸡”困境，就在近期，铠侠领先推出的车载UFS 4.0产品很好解决了这个问题，为车载UFS 4.0普及提供坚实的基础。助力汽车新智能随着车载处理性能提升，汽车电子电气架构（EEA, Electrical/Electro
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