新闻中心

EEPW首页 > 嵌入式系统 > 业界动态 > 性价比优势更明显 TLC NAND应用版图急扩张

性价比优势更明显 TLC NAND应用版图急扩张

作者:时间:2015-03-19来源: 新电子收藏

  (Samsung)、美光(Micron)等 Flash记忆体制造商制程技术突破,加上控制晶片与错误修正韧体效能大幅精进,使得三层式储存()记忆体性价比较过去大幅提高,因而激励消费性固态硬碟制造商扩大采用比例。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/271235.htm

  三层式储存() 快闪记忆体市场渗透率将大幅增加。NAND快闪记忆体成本随着制程演进而持续下滑,各种终端应用如固态硬碟(SSD)与嵌入式多媒体卡(eMMC)等需求则持续成长。

  在单层式储存(SLC)、多层式储存(MLC)及三种形式的NAND快闪记忆体中,又以TLC性价比最为人所注目,因而吸引原始设备/设计制造商(OEM/ODM)的目光,并增加采用TLC颗粒比例,促进TLC NAND快闪记忆体应用版图扩张。

  控制晶片技术突破 TLC SSD倾巢而出

  看好TLC在固态储存市场的发展前景,慧荣科技发布新一代TLC控制晶片--SM2256,能大幅提升TLC NAND快闪记忆体高达三倍的写入/抹除次数(P/E Cycle),解决其过去为人诟病的使用寿命和可靠度不佳等问题,可望助力品牌厂加速推出高性价比的消费性TLC固态硬碟。

  

 

  图1 慧荣科技产品企划部专案副理陈敏豪表示,藉由先进的控制晶片技术,TLC固态硬碟的使用寿命及稳定度将大幅增加。

  慧荣科技产品企划部专案副理陈敏豪(图1)表示,相较于SLC和MLC颗粒,TLC NAND快闪记忆体拥有显着的价格优势,单单比较TLC与MCL NAND市价,两者价差约介于20~30%之间;而随着制程进一步微缩,TLC NAND成本未来仍有下滑空间。

  陈敏豪指出,虽然TLC颗粒具成本优势,但在使用寿命、速度、可靠性和错误率等方面却为人诟病,须以先进的控制晶片及大量的预留空间(Over-provisioning)来进行纠错及校准;也因此,目前仅有、新帝(SanDisk)两家品牌厂在消费零售市场先后推出TLC固态硬碟。

  为解决上述困境,慧荣科技推出新一代TLC NAND控制晶片--SM2256,提升TLC NAND三倍的写入/抹除次数,进而延长其使用寿命,使TLC固态硬碟更能兼具成本及效能优势。

  陈敏豪解释,NAND快闪记忆体的控制晶片向来系采用 BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem)编码进行纠错,而慧荣科技则转而选用低密度奇偶修正码(Low Density Parity Check Code, LDPC)及RAID修正方式,研发出独有的“NANDXtend”错误修正技术。

  据悉,“NANDXtend”技术可高速平行解码且即时精准修正错误,并依纠错的难易度来分层开启修正机制,有效增加TLC NAND的写入/抹除次数,解开TLC NAND长期以来读写次数不理想的桎梏。

  陈敏豪透露,目前SM2256已通过三家主要NAND快闪记忆体供应商--东芝(Toshiba)、、SK Hynix的测试,而采用慧荣科技控制晶片的TLC固态硬碟最快2015年第一季即可上市。

  陈敏豪预测,2015年是TLC固态硬碟起飞元年,未来将会有更多厂商推出TLC固态硬碟,大举抢攻消费零售市场,进而瓜分三星、SanDisk市占。值得注意的是,除了消费零售市场外,PC-OEM业者也正密切关注TLC固态硬碟应用于桌上型电脑、笔记型电脑的可行性;因此,未来TLC固态硬碟更可望进攻电脑市场,挑战MLC固态硬碟的主流地位。

  3D/TLC NAND齐头并进 Flash产业迈入转捩点

  根据TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange研究预估,2015年NAND快闪记忆体产值将较2014年成长12%,市场规模约为276亿美元。

  DRAMeXchange研究协理杨文得表示,2015年NAND快闪记忆体产业将进入关键时刻。由于各家业者有志一同尽量降低产能增加速度,因此预估2015年总晶圆投片量年成长率只有约8%。供给端发展重心将会放在15/16奈米的制程转进、3D NAND快闪记忆体的开发,以及TLC产品应用的扩张。

  据了解,三星(Samsung)已于2014年第四季顺利量产3D NAND快闪记忆体并导入企业级固态硬碟产品,2015年更预计全面导入消费性固态硬碟中。

  另一方面,英特尔(Intel)则在2015年的投资人会议中揭露与美光(Micron)共同开发的3D NAND固态硬碟开始进入试作阶段,预计在2016年年中之后正式出货。

  杨文得预期,英特尔的动作将加速其他尚未明确公布量产计画的厂商推出3D NAND快闪记忆体的时程;而在价格、性能与控制晶片搭配性的各种因素考量下,3D NAND快闪记忆体应用普及时间点将会落在2015年第四季之后。

  值得注意的是,具有显着性价比优势的TLC NAND快闪记忆体,已由三星率先证明其市场价值。该公司利用TLC NAND快闪记忆体在eMMC/eMCP与消费性固态硬碟市场取得成功,因此其他业者自2015年下半年起也可望陆续推出TLC的相关嵌入式产品。

  事实上,苹果的iPhone 6即首度采用TLC做为储存装置,可望带动其他品牌厂提高采用意愿。DRAMeXchange预期,2015年TLC的产出比重将快速攀升至41%。

  杨文得认为,随着行动运算硬体竞争从高阶转向中低阶机种,TLC颗粒较能够满足业者对于成本的考量,加上目前控制技术已能大幅改善TLC的速度与效能问题,因此主要个人电脑(PC)与行动装置品牌业者都将逐渐开始采用TLC产品,尤其TLC固态硬碟更将于2015年大举出笼。



关键词: 三星 TLC NAND

评论


相关推荐

技术专区

关闭