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一文解析SLC、MLC和TLC三者的区别

  • SLC、MLC和TLCOFweek电子工程网讯:X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)
  • 关键字: SLC  MLC  TLC  区别  

第一款纯国产SSD,紫光TLC性能有点小爆表

  • 整个紫光TLC的表现还是相当不错的,我们的半导体产业正在稳步的前进。起码我么们现在的已经是从无到有,可以期待未来从有到强。
  • 关键字: 紫光  TLC  

东芝存储器株式会社宣布推出96层3D闪存

  •   存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社今日宣布,公司已开发出采用堆叠式结构[1]的96层BiCS FLASH™三维(3D)闪存的原型样品,该产品采用三位元(三阶存储单元,TLC)技术。该96层新产品为256千兆比特(32GB)设备,其样品预计将于2017年下半年发布,批量生产计划于2018年启动。该新产品满足企业级和消费级SSD、智能手机、平板电脑和存储卡等应用的市场需求和性能规范。  未来,东芝存储器株式会社将在不久的将来在其512千兆比特(64GB)等较大容量产品中应用其新的96层工
  • 关键字: 东芝  TLC  

具有高阻抗并行接口和内部基准电阻的TLC5510解析方案

  • 1 TLC5510简介TLC5510是美国德州仪器(TI)公司的8位半闪速架构A/D转换器,采用CMOS工艺,大大减少比较器数。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采样率,可广泛应用于高速数据转换、数字TV、医学图像、视频会议以及QAM解调器等
  • 关键字: TLC  高阻抗  并行接口    

SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别

  • SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Ce
  • 关键字: SLC  MLC  TLC  闪存  

MLC、TLC闪存价格下跌 笔记本HDD硬盘死期不远了

  • SSD干掉HDD硬盘已经不是可能不可能的问题,只是时间长短的问题。
  • 关键字: TLC  HDD  

2016年TLC储存成本或与SAS硬盘死亡交*

  •   资料储存解决方案大厂NetApp表示,经由云端与Flash两股推力驱动,让近年IT基础架构进入新一波的转型期,其中2016年经由融合式基础架构(ConvergedInfrastructure)、DevOps(DevelopmentandOperations)系统工具应用性窜升,将让2016年成为IT的精简之年。   此外值得注意的是,TLC架构的Flash存储器借由需求性提升及单位成本快速下降,预期今年每GB的FLash价格也将较SAS硬碟更低,并让AllFlash资料中心的将进入主流储存领域。
  • 关键字: TLC  SAS  

TrendForce:经济前景未明,2016年全球NAND Flash产值增长有限

  •   全球经济依旧前景不明,各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守,TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示,由于终端设备平均搭载量与固态硬盘(SSD)需求增长,2016年整体NAND Flash需求位量将较2015年增长44%,然而生产端为了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash厂商将会加速3D-NAND Flash的开发,整体NAND Flash年度位元产出增长率将大幅增长50%。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,2016年NAND Fl
  • 关键字: NAND Flash  TLC  

慧荣科技受邀参加金泰克新产品发表会,携手发表最新TLC系列固态硬盘产品

  •   在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)凭借其优异性能及高可靠度的产品设计,一直受到众多储存厂商的亲睐。近日,该公司受国内知名SSD内存品牌金泰克(Tigo)之邀,出席了其近日于深圳举办的TLC系列的固态硬盘产品发布会。   这款命名为T-One的固态硬盘采用了慧荣科技SM2256控制芯片,并搭配海力士最新16mn 128 Gb的TLC NAND闪存,展现出非凡的性能表现:该产品
  • 关键字: 慧荣科技  TLC  

美光:3D TLC最快今年底实现

  •   对于消费市场来说,成本永远都是令购买者最在意的一件事。日渐普及的SSD,当然也必须面对这样的市场声浪。TCL NAND目前已经是SSD降低成本的重要关键,当然,如何能让TLC架构在维持低成本的同时,还能兼具效能与稳定性,也成为了相关厂商正积极竞逐的目标。   美光科技(Micron)储存事业部行销总监Kevin Kilbuck指出,因应消费市场的需求,美光也针对高性能、高可靠性,且极注重成本的消费性应用,提供了量身订制的解决方案。全新的快闪记忆体产品,是采用16nm制程技术的TLC NAND,能让U
  • 关键字: 美光  TLC  

Marvell:控制器三大优势 让TLC架构逼近MLC效能

  •   传统的HDD机械式硬碟,由于机械式结构的复杂结构造成整体的不稳定性,加上读写速度始终存在着瓶颈,这些原因使得SSD逐渐有机会加速淘汰传统HDD硬碟,在更多领域发挥快速读写、稳定存取的优势。        Marvell的DRAMless架构,让SSD可以达到更小巧的体积。图中正是128GB的SSD。   Marvell SSD事业群副总裁David Chen指出,比起SSD,传统硬碟唯一的优势,只在于容量。然而一旦针对稳定性与速度的话,传统硬碟一点胜算都没有。而目前随着新一代的T
  • 关键字: Marvell  TLC  

SSD容量突破关键:3D存储芯片大揭秘

  •   现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展,我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日,Intel & Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop,Intel的技术人员在会议上具体揭示了Intel 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。        这场会议在深圳JW万豪酒店举行,参与会议的有相当多的业内朋友。来自Intel美国的产品工程经理Todd Myers,NAND产品交易开发工程师Tod
  • 关键字: SSD  TLC  

TLC产品今年将接近NAND整体产出之五成

  •   TrendForce旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示,随着 TLC 产品的主流应用开始从记忆卡与随身碟产品往 eMMC / eMCP 与 SSD 等OEM储存装置移动,加上 NAND Flash 业者陆续推出完整的TLC储存解决方案,预估今年TLC产出比重将持续攀升,将在第四季接近整体 NAND Flash 产出的一半。   DRAMeXchange 研究协理杨文得表示,由于成本较具优势,过去TLC广泛应用在记忆卡与随身碟等外插式产品中。三星(Samsung)从2013年起积极将
  • 关键字: TLC  NAND  

性价比优势更明显 TLC NAND应用版图急扩张

  •   三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash记忆体制造商制程技术突破,加上控制晶片与错误修正韧体效能大幅精进,使得三层式储存(TLC)NAND记忆体性价比较过去大幅提高,因而激励消费性固态硬碟制造商扩大采用比例。   三层式储存(TLC) NAND快闪记忆体市场渗透率将大幅增加。NAND快闪记忆体成本随着制程演进而持续下滑,各种终端应用如固态硬碟(SSD)与嵌入式多媒体卡(eMMC)等需求则持续成长。   在单层式储存(SLC)、多层式储存(MLC)及TLC三种形式的NAND
  • 关键字: 三星  TLC  NAND  

TLC存储器取得储存市场成长动能

  •   三级单元(triple-level cell;TLC)快闪记忆体在进入客户端市场两年后,预计将进一步在资料中心获得动能。但长期来看,由于 3D NAND 逐渐取代,传统的 NAND 记忆体成长开始趋缓。   截至目前为止,TLC主要用于 USB 驱动器、快闪记忆卡、低成本智慧型手机与客户端固态固碟(SSD);不过,市调公司Forward Insights首席分析师Gregory Wong指出,市场上目前已经看到 iPhone 6 开始采用了,预计它将在2015-2016年进一步渗透到高阶智慧型手机与
  • 关键字: TLC  存储器  Gartner  
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