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SK海力士全球首发128层消费级TLC SSD:最大1TB、寿命保密

  • 距离年初在CES上首次展示过去了半年多,SK海力士今天终于正式发布了新款SSD Gold P31,这是全球首款面向消费级市场的128层堆叠NAND闪存产品,也是SK海力士的第一款消费级PCIe SSD。Gold P31基于SK海力士的所谓4D NAND,本质上还是3D堆叠,依然基于3D CTF(电荷捕获闪存),只不过在存储单元阵列之下增加了一个电路层。它在一年前就开始量产了,128层堆叠,号称堆叠密度、容量密度都是最高,单颗芯片容量1Tb(128GB),集成超过3600亿个闪存单元。不过这一次,
  • 关键字: SK  海力士  TLC  SSD  1TB  

Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企业级NVMe™固态硬盘控制器

  • 随着数据中心支持的人工智能(AI)和机器学习(ML)工作负载越来越多,市场需要具备更宽存储带宽和更高单机架存储密度的云级别基础设施。因此,市场的趋势是按照如M.2和全球网络存储工业协会(SINA)新推出的企业和数据中心固态硬盘外形尺寸(EDSFF) E1.S等行业标准,采用体积更小、且支持第四代PCIeÒ的非易失性存储器高速(NVMe™)固态硬盘。这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点,能驱动NAND闪存发挥最大潜力,同时保持这种企业级NVMe固态硬盘所需的丰富功能集和可靠性。Microchip
  • 关键字: QLC  TLC  AI  ML  SINA  IOPS  

紫光P5160 M.2高性能SSD上架:原厂原片颗粒

  • 紫光已经推出了多款自己的SSD固态硬盘产品,消费级有SATA S100、M.2 P100等,企业级则有PCIe/U.2 P8260。今天,紫光悄然在京东商城上架了一款新的高性能M.2 SSD,型号为“P5160”,号称采用了原厂原片颗粒,容量256GB、512GB,但是主控未知,或许继续与群联合作。这款SSD是标准的M.2 2280形态,单面设计,无需散热片,采用PCIe 3.0 x4接口并支持NVMe 1.3。性能方面,256GB的持续读写3.2GB/s、1.25GB/s,随机读写200K IOPS、3
  • 关键字: 固态硬盘  TLC  

长江存储64层3D闪存月产能有望在年底达到6万片:或明年上马128层

  • 在被美日韩掌控的存储芯片市场上,终于有中国公司可以杀进去跟国际大厂正面竞争了。紫光旗下的长江存储(YMTC)于今年三季度官方宣布,开始量产64层堆栈3D闪存,容量256Gb,TLC芯片。外界预计,初期的月产能在5000片左右。来自业内分析人士最新爆料称,长江存储的64层3D闪存芯片将在2020年底前把月产能提高到6万片。不过,接受采访时,长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华未对产能数据予以确认,表示暂不能透露详情,包括下一代更先进产品的研发计划。有报道猜测,长江存储可能会跳过96层堆栈,预
  • 关键字: 闪存  TLC  闪存紫光  长江存储  

带串行控制的10位模数转换器TLC1549在8051系统中的应用

  • TLC1549是美国德州仪器公司生产的10位模数转换器。它采用CMOS工艺,具有内在的采样和保持,采用差分基准电压高阻输入,抗干扰,可按比例量程校准转换范
  • 关键字: 1549  8051  TLC  串行控制  

一文解析SLC、MLC和TLC三者的区别

  • SLC、MLC和TLCOFweek电子工程网讯:X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)
  • 关键字: SLC  MLC  TLC  区别  

第一款纯国产SSD,紫光TLC性能有点小爆表

  • 整个紫光TLC的表现还是相当不错的,我们的半导体产业正在稳步的前进。起码我么们现在的已经是从无到有,可以期待未来从有到强。
  • 关键字: 紫光  TLC  

东芝存储器株式会社宣布推出96层3D闪存

  •   存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社今日宣布,公司已开发出采用堆叠式结构[1]的96层BiCS FLASH™三维(3D)闪存的原型样品,该产品采用三位元(三阶存储单元,TLC)技术。该96层新产品为256千兆比特(32GB)设备,其样品预计将于2017年下半年发布,批量生产计划于2018年启动。该新产品满足企业级和消费级SSD、智能手机、平板电脑和存储卡等应用的市场需求和性能规范。  未来,东芝存储器株式会社将在不久的将来在其512千兆比特(64GB)等较大容量产品中应用其新的96层工
  • 关键字: 东芝  TLC  

具有高阻抗并行接口和内部基准电阻的TLC5510解析方案

  • 1 TLC5510简介TLC5510是美国德州仪器(TI)公司的8位半闪速架构A/D转换器,采用CMOS工艺,大大减少比较器数。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采样率,可广泛应用于高速数据转换、数字TV、医学图像、视频会议以及QAM解调器等
  • 关键字: TLC  高阻抗  并行接口    

SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别

  • SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Ce
  • 关键字: SLC  MLC  TLC  闪存  

MLC、TLC闪存价格下跌 笔记本HDD硬盘死期不远了

  • SSD干掉HDD硬盘已经不是可能不可能的问题,只是时间长短的问题。
  • 关键字: TLC  HDD  

2016年TLC储存成本或与SAS硬盘死亡交*

  •   资料储存解决方案大厂NetApp表示,经由云端与Flash两股推力驱动,让近年IT基础架构进入新一波的转型期,其中2016年经由融合式基础架构(ConvergedInfrastructure)、DevOps(DevelopmentandOperations)系统工具应用性窜升,将让2016年成为IT的精简之年。   此外值得注意的是,TLC架构的Flash存储器借由需求性提升及单位成本快速下降,预期今年每GB的FLash价格也将较SAS硬碟更低,并让AllFlash资料中心的将进入主流储存领域。
  • 关键字: TLC  SAS  

TrendForce:经济前景未明,2016年全球NAND Flash产值增长有限

  •   全球经济依旧前景不明,各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守,TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示,由于终端设备平均搭载量与固态硬盘(SSD)需求增长,2016年整体NAND Flash需求位量将较2015年增长44%,然而生产端为了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash厂商将会加速3D-NAND Flash的开发,整体NAND Flash年度位元产出增长率将大幅增长50%。   DRAMeXchange研究协理杨文得表示,2016年NAND Fl
  • 关键字: NAND Flash  TLC  

慧荣科技受邀参加金泰克新产品发表会,携手发表最新TLC系列固态硬盘产品

  •   在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)凭借其优异性能及高可靠度的产品设计,一直受到众多储存厂商的亲睐。近日,该公司受国内知名SSD内存品牌金泰克(Tigo)之邀,出席了其近日于深圳举办的TLC系列的固态硬盘产品发布会。   这款命名为T-One的固态硬盘采用了慧荣科技SM2256控制芯片,并搭配海力士最新16mn 128 Gb的TLC NAND闪存,展现出非凡的性能表现:该产品
  • 关键字: 慧荣科技  TLC  

美光:3D TLC最快今年底实现

  •   对于消费市场来说,成本永远都是令购买者最在意的一件事。日渐普及的SSD,当然也必须面对这样的市场声浪。TCL NAND目前已经是SSD降低成本的重要关键,当然,如何能让TLC架构在维持低成本的同时,还能兼具效能与稳定性,也成为了相关厂商正积极竞逐的目标。   美光科技(Micron)储存事业部行销总监Kevin Kilbuck指出,因应消费市场的需求,美光也针对高性能、高可靠性,且极注重成本的消费性应用,提供了量身订制的解决方案。全新的快闪记忆体产品,是采用16nm制程技术的TLC NAND,能让U
  • 关键字: 美光  TLC  
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