GaN代工模型是否面临问题？Innoscience参与台积电2027退出

虽然台积电计划到 2027 年退出氮化镓 （GaN） 晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大努力，这标志着 GaN 领域的重大转变。哪些因素可能推动了这些不同的策略？根据《科创板日报》的报道，中国英诺赛科董事会主席罗伟伟解释说，氮化镓晶圆生产可能不太适合传统的代工模式。

为什么 GaN 不适合代工模型

正如报告中所引用的，Luo 解释说，传统的功率半导体器件结构相对简单，不会对代工服务产生强劲的需求。特别是对于 GaN 功率器件，这种模型没有提供足够的投资回报 （ROI），并且缺乏代工厂与其客户之间通常看到的密切合作。

据 Luo 介绍，GaN 器件需要设计和应用之间的深度集成。因此，垂直整合制造并直接与市场相连的 IDM 模式是目前更合适的生产方法。

英诺赛科是全球第一家实现 8 英寸硅基 GaN 晶圆量产的公司，也是全球唯一一家以工业规模提供全电压光谱硅基 GaN 产品的公司。该公司以 IDM 模式运营。报告称，截至 2024 年底，其 GaN 晶圆月产能已达到 13,000 片，良率超过 95%。

生产挑战：从 6 英寸到 12 英寸

正如报告中强调的那样，Innoscience 首席执行官指出，6 英寸 GaN 代工生产线几乎无法满足客户的设计集成需求，这使得主要制造商不太可能在此类产能上投入大量资金。该报告补充说，可行的商业化需要扩展到具有有意义输出水平的 8 英寸晶圆。

同时，该报告援引行业消息人士的话指出，重大障碍继续阻碍 12 英寸 GaN 晶圆的产业化。据 Luo 称，一个关键挑战是，没有 MOCVD 设备供应商公开推出能够支持 12 英寸 GaN 外延的解决方案。

MOCVD 是 GaN 层外延生长的核心设备。正如报告中所指出的，它在 GaN 材料生长、器件性能和大规模生产可行性方面起着至关重要的作用。

根据 TrendForce 集邦咨询的数据，到 2030 年，全球 GaN 功率器件市场预计将达到 43.76 亿美元，复合年增长率 （CAGR） 为 49%。