台积电退出后英飞凌加快GaN推进 今年四季度将提供300毫米晶圆样品

虽然台积电计划到 2027 年退出氮化镓 （GaN） 晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大努力。根据其新闻稿，英飞凌利用其强大的 IDM 模型，正在推进其 300 毫米晶圆的可扩展 GaN 生产，首批客户样品计划于 2025 年第四季度发布。

据《商业时报》报道，台积电计划在 2027 年 7 月 31 日之前结束其 GaN 晶圆代工服务，理由是来自中国竞争对手不断上升的价格压力是关键驱动因素。Liberty Times 补充说，由于对 GaN 的低利润率前景持怀疑态度，台积电已决定逐步退出其 GaN 业务并停止 200 毫米晶圆生产的研发。报告显示，根据业务发展高级副总裁 Kevin Zhang 的建议，董事长兼首席执行官 C.C. Wei 于 6 月中旬最终确定了这一决定。

然而，作为硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 的行业领导者，英飞凌认为 GaN 市场仍然强劲。该公司在新闻稿中表示，GaN 具有更高的功率密度、更快的开关速度和更低的能量损耗，可实现紧凑、节能的设计，非常适合从智能手机充电器到工业机器人和太阳能逆变器的所有应用。

据英飞凌称，在 300 毫米晶圆上生产芯片在技术上优于 200 毫米晶圆，效率也高得多，因为更大的尺寸使每个晶圆产生的芯片多 2.3 倍。

还值得注意的是，英飞凌也在积极拓展 200 毫米 SiC 市场。根据其新闻稿，该公司已于 2024 年 8 月正式开放其位于马来西亚的新晶圆厂的第一阶段，将成为世界上最大、最先进的 200 毫米碳化硅 SiC 功率半导体工厂。

中国的崛起和主要挑战

值得注意的是，中国企业在 200 毫米 GaN 晶圆市场取得了强劲的增长。英诺赛科声称是世界上最大的 8 英寸以 GaN 为重点的 IDM，运营着全球最大的专用硅基氮化镓制造能力。

尽管如此，利润率仍然是中国 GaN 参与者面临的主要挑战。英诺赛科报告称，2024 年收入为 8.285 亿元人民币，同比增长 39.8%。尽管有所改善，但其毛利率仍然为负，尽管亏损从 2023 年的 -61.6% 收窄至 2024 年的 -19.5%。