全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计,将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合,显著降低开关功率损耗,同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和T
EPC Space 推出了 EPC7030MSH,这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值,为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总线和更苛刻的功率密度,EPC Space 最新的 GaN 器件满足了对紧凑、高效和抗辐射功率转换日益增长的需求。EPC7030MSH专为在极端辐射和热条件下运行的前端 DC-DC 转换器和电力推进系统而设计。文档显示,该器件的额定工作电压为 300 V,线性能量传输 (LET) 为 63
麻省理工学院和其他地方的研究人员开发了一种新的制造工艺,将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅 CMOS 芯片上来自麻省理工学院网站:他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微小的晶体管,切出每个单独的晶体管,然后使用低温工艺将所需数量的晶体管键合到硅芯片上,以保持两种材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料,因此成本仍然很低,但由此产生的器件可以从紧凑的高速晶体管中获得显著的性能提升。此外,通过将 GaN 电路分离成可以分布在硅芯片上的分立晶体管,新技术能够降低整个系统的温度。研究人员使用这种
半导体行业正处于性能、效率和可靠性必须同步发展的阶段。AI 基础设施、电动汽车、电源转换和通信系统的需求正在将材料推向极限。氮化镓 (GaN) 越来越受到关注,因为它可以满足这些需求。该行业已经到了这样一个地步,人们的话题不再是 GaN 是否可行,而是如何可靠、大规模地部署它。二十多年来,我专注于外延生长,见证了 GaN 从一种利基研究驱动型材料转变为电力电子领域的领先竞争者。进展是稳定的,不是一蹴而就的。现在倾向于 GaN 的公司和工程师是为下一代系统定位自己的公司。设备性能从外延开始对于 G