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TrendForce集邦咨询表示，2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基站、能源转换器(Converter)及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲。其中，以GaN功率元件成长幅度最高，预估今年营收将达8,300万美元，年增率高达73%。据TrendForce集邦咨询研究，GaN功率元件，其主要应用大宗在于消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大应用占比分别为消费性电子60%、新能源车20
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新能源车 GaN 功率元件
氮化镓（GaN）是一种III／V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率则分别为1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，让组件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，亦即相较于同尺寸的硅基组件，GaN可处理更大的负载、效能更高，而且物料清单成本更低。在过去的十多年里，产业专家和分析人士一直在预测，GaN功率开关组件的黄金时期即将到来。相较于应用广泛的MOSFET硅功率组件，GaN功率组件具备更高的效率和更强的功耗处理能力，这
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ST Exagan GaN
氮化镓快充火爆的背后，除了受消费者需求影响，是否还有其他原因？为什么快充会率先用到氮化镓呢？
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氮化镓 快充 GaN
德州仪器(TI)今日宣布与中国领先的轨道交通设备制造商中车株洲电力机车研究所有限公司（后简称“株洲所”）签署谅解备忘录，升级共同运营的联合设计实验室，实现更广泛、更深层次的合作。此次合作旨在帮助中车株洲所运用TI广泛的模拟和嵌入式处理产品和技术，加速包括轨道交通，电动汽车等方面的应用设计以助力中国新基建关键领域建设。合作还将拓展至太阳能和风能等可再生能源方面的应用，以响应中国在2060年实现碳中和的宏伟目标。德州仪器(TI)与中车株洲电力机车研究所合作备忘录签约仪式“新基建将推动中国城际轨道交通系统的快速
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德州仪器 GaN
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
南方科技大学深港微电子学院拥有未来通信集成电路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半导体器件重点实验室，围绕中国半导体产业链，培养工程专业人才，搭建跨国跨区域的校企合作与人才教育平台，建立以工程创新能力为核心指标的多元化机制，致力于对大湾区乃至全国的集成电路产业发展提供强有力的支撑作用。其科研成果、产业推广和人才培养成绩斐然，在国产芯片发展浪潮中引人瞩目。
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集成电路 微电子 氮化镓器件 宽禁带 IC GaN 202103
GaN（氮化镓）作为新一代半导体材料，正有越来越广泛的应用。近日，德州仪器（TI）宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET，分别面向车用充电器和工业电源，可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。TI如何看待GaN在汽车和工业方面的机会？此次GaN FET的突破性技术是什么？为此，电子产品世界记者线上采访了TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom。TI高压电源应用产品业务部GaN功率器件产品线经理Steve Tom1 GaN在电源领
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GaN FET SiC
John Grabowski：安森美半导体电源方案部门的首席应用和市场工程师，部门位于美国密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半导体，此前他曾在福特汽车公司研究实验室工作30年。他一直从事电路和软件设计，应用于电气、混合动力汽车和汽车动力总成系统。最近，他的团队积极推动将高功率半导体应用于汽车电子化。引言为应对气候变化，汽车减排降油耗势在必行。如今，许多国家/地区的法律强制要求汽车制造商做出这些改变。为实现这一目标，其中一种方式就是采用混合动力，即在汽油或柴油车辆的传动链中
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GaN 48V
延续9月4日以来的火热行情，9月17日，A股第三代半导体概念股持续强劲，双良节能、易事特涨停，多只概念股个股涨超7%。证券时报·e公司记者梳理发现，截至9月17日，已通过深交所互动易或公告形式披露公司确有第三代半导体产业链业务，或已积累相关技术专利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半导体方面有实际业务，或已出货相关产品，但多数为小批量出货，销售收入占上市公司比例较小。三代半导体概念持续火热近段时间以来，以碳化硅、氮化镓、金刚石为代表的第三代半导体产业概念股异军突起，成为低迷震荡行情下一道亮
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第三代芯片 三代半导体 GaN
( BUSINESS WIRE )-- 高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的知名公司Power Integrations 近日推出 LYTSwitch™-6 系列安全隔离型LED驱动器IC的最新成员 —— 适合智能照明应用的新器件LYT6078C。这款新的LYTSwitch-6 IC采用了Power Integrations的PowiGaN™氮化镓(GaN)技术，在该公司今天同时发布的新设计范例报告 ( DER-920 ) 中，展现了
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GaN IC PWM
新基建涵盖了广泛的领域，并对半导体电源设计提出了各种挑战。其中最大的挑战之一是要找到一种以更小尺寸和更低成本提供更多电力的方法。第二个挑战是如何帮助设计师在这些竞争激烈的市场中脱颖而出。为应对这些挑战，TI提供了多种解决方案。以下我将分享有关TI GaN解决方案的更多详细信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工业和汽车市场的各类应用。TI GaN在一个封装中集成高速栅极驱动器和保护功能，可提供优异的开关速度和低损耗。如今，我们的GaN应用于交流/直流电源和电机驱动器、电网基础设施和汽车
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OBC GaN 202009
5 推动电源管理变革的5大趋势电源管理的前沿趋势我们矢志不渝地致力于突破电源限制：开发新的工艺、封装和电路设计技术，从而为您的应用提供性能出色的器件。无论您是需要提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性，还是维持在高电压下的安全性，我们都致力于帮您解决电源管理方面的挑战。德州仪器 (TI)：与您携手推动电源进一步发展的合作伙伴 。1 功率密度提高功率密度以在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能2 低 IQ在不影响
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QFN EMI GaN MCM
全球电子元器件与开发服务分销商 e络盟 新近发布名为《AIoT时代——AIoT发展背景、功能与未来》的电子书，旨在为专业工程师、创客和电子爱好者提供人工智能相关专业知识，助力他们更加顺利地进行人工智能应用开发并开拓出更多新型市场应用。本册电子书汇集了人工智能详细路线图和类别，阐释了人工智能、机器学习（ML）和深度学习（DL）之间的关系，并详细介绍了神经网络相关技术。书中还向读者推荐了数款适用于首次进行人工智能物联网方案开发的优质平台。人工智能和物联网将彻底改变人类的工作方式。目前，人工
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TTS STT AIoT CNN RNN GAN
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
德州仪器(TI)是推动GaN开发和支持系统设计师采用这项新技术的领军企业。TI基于GaN的电源解决方案和参考设计，致力于帮助系统设计师节省空间、取得更高电源效率及简化设计流程。TI新颖的解决方案不仅可以优化性能，而且攻克了具有挑战性的实施问题，使客户得以设计高能效系统，建设更绿色环保的世界。
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MOSEFT GaN UPS
gan介绍
GaN
即氮化镓，属第三代半导体材料。
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