RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术，有时设计具有一定挑战性；但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文，了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差异。如今，电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的——此处“负面”和“负极”并非双关语——但今天，有一些技术使这种栅极负压操作变得微不足道。今天，我们拥有电源管理集成电路（PMIC）器件，可以轻松可靠地为这些GaN PA通电和断电，以及PMIC所带来更多其他优势。我们将在下
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Qorvo GaN 功率放大器
当地时间11月13日，冲电气工业株式会社（OKI）与信越化学合作，宣布成功开发出一种技术，该技术使用OKI的CFB（晶体薄膜键合）技术，从信越化学特殊改进的QST（Qromis衬底技术）基板上仅剥离氮化镓（GaN）功能层，并将其粘合到不同材料的基材该技术实现了GaN的垂直导电，有望为可控制大电流的垂直GaN功率器件的制造和商业化做出贡献。两家公司将进一步合作开发垂直GaN功率器件，并与制造这些器件的公司合作，让这些器件能应用到实际生产生活中。GaN功率器件因兼具高频率与低功耗特性而备受关注，尤其在1800
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GaN 垂直导电 OKI
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。相比于生成工艺复杂的SiC，GaN的生成工艺相对成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封装，因此非常适合在各种消费级和工业级开关功率应用。当然，相比SiC在高压领域的出色表现，GaN在高压的表现并不突出。因此，作为目前GaN市场占有率最高的Power Integrations（PI）创新地将GaN开关的耐压上限提升到1250V，再次为GaN开关的应用填补了新的耐受电压领域。 PI的PowiGaN已经在超过60个的市场应用中
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1250V PI PowiGaN GaN
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可
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Transphorm 氮化镓 GaN
基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率（比功率）增加了一倍以上。该逆变器非常微型，可集成到电机外壳中，从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。 宜普电源转换公司宣布推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计(EPC9194)。它的工作输入电源电压范围为 14V ~60V，可提供高达60 Apk(40 ARMS)的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器，包括电动自行车、电动滑板车、无人
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EPC GaN FET 电机驱动器
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 与台湾群光电能科技有限公司（TWSE：6412）和英国剑桥大学技术服务部 (CUTS) 签署了三方协议，共同设计和开发使用 GaN 的先进、高效、高功率密度适配器和数据中心电源产品。群光电能科技是一家成熟的电力电子系统整体解决方案提供商，专注于各种应用的电源和适配器，包括笔记本电脑、台式电脑、游戏设备和服务器/云解决方案。剑桥大学高压微电子和传
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CGD 群光电能 GaN 生态系统
紧凑型 100 瓦电源的应用范围不断增加，从 AC-DC 充电器和适配器、USB 供电 (PD) 充电器和快速充电(QC) 适配器，到 LED 照明、白色家电、电机驱动、智能仪表和工业系统等。对于这些离线反激式电源的设计者来说，面临的挑战是如何确保稳健性和可靠性，同时继续降低成本，提高效率，缩小外形尺寸以提高功率密度。为了解决其中的许多问题，设计者可以用基于宽带隙 (WBG) 技术的器件 (GaN) 来取代硅 (Si) 功率开关。这样做直接转化为提高电源效率和减少对散热器的需求，从而实现更高的功率密度。然
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电源效率 氮化镓 GaN 电源转换器设计
英飞凌科技股份公司近日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示，“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍，有助于推动低碳化进程。收购 GaN Syste
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英飞凌 氮化镓系统公司 GaN Systems 氮化镓
据英飞凌官微消息，英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN
Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN)
功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems已正式成为英飞凌的组成部分。2023年3月2日，英飞凌和GaN Systems联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资8.3亿美元收购GaN Systems。这笔“全现金”收购交易是使用现有的流动
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英飞凌 氮化镓系统 GaN Systems
引言如今，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为了实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。周劲(罗姆半导体(上海)有限公司技术中心副总经理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件备受期待。ROHM 于2022 年将栅极耐压高达8 V 的150 V 耐压GaN HEMT 投入量产；2023 年3月，又确
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202310 罗姆 GaN
1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化镓）功率半导体领域的全球领先企业，致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前处于开发阶段）氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利，氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
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202310 SuperGaN 氮化镓 GaN Transphorm
1 SiC和GaN应用及优势我们对汽车、工业、数据中心和可再生能源等广泛市场中的碳化硅(SiC) 和氮化镓（GaN）应用感兴趣。一些具体的例子包括：● 电动汽车（EV）：SiC和GaN 可用于电动汽车，以提高效率、续航里程和整车性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牵引逆变器和车载充电，以减少功率损耗并提高效率。● 数据中心：SiC 和GaN 可用于数据中心电源，以提高效率并降低运营成本。● 可再生能
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202310 SiC GaN 安世半导体
1 SiC和GaN的优势相比传统MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的应用上有一些重叠，但各自解决的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐压水平和电流承载能力。这使得它们很适合于汽车牵引逆变器、车载充电器和直流/ 直流转换器、大功率太阳能发电站和大型三相电网变流器等应用。SiC 进入市场的时间略长，因此它有更多的选择，例如，相比目前可用的GaN 解决方案，SiC 支持更广泛的电压和导通电阻。
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202310 纳芯微 SiC GaN
1 SiC、GaN相比传统方案的优势虽然硅功率器件目前占据主导地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的热特性，适用于需要高效率和高输出的应用，而GaN 功率器件具有出色的射频频率特性，能满足要求高效率和小尺寸的千瓦级应用。最为重要的一点，SiC 的击穿场是硅的10 倍。由于这种性质，SiC 器件的块层厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低电阻和高击穿电压的开关器件。此外，SiC 的导热系数大约是硅的3 倍，因此它能提供更高的散热能力
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202310 东芝 SiC GaN
ST（ 意法半导体） 关注电动汽车、充电基础设施、可再生能源和工业应用，将最新一代STPOWER SiC MOSFET和二极管部署在这些应用领域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得业界最低的通态电阻，可以实现能效和功率密度更高的产品设计。ST 还提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增强型HEMT 开关管用于开发超快速充电和高频功率转换应用，功率损耗很小。与硅基芯片相比，SiC 和GaN 等宽带隙材料特性可让系统变得尺寸更小，重量更轻，开关和导通损耗更低，从而提高能效。Gianfranc
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202310 意法半导体 SiC GaN
gan介绍
GaN
即氮化镓，属第三代半导体材料。
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