传ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备

据韩媒报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。

根据报道，美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。

据透露，美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E，该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。

此外，目前美光最大的HBM生产基地在台湾地区，另据日经亚洲引述知情人士透露，美光科技正在美国建设先进高带宽存储（HBM）芯片的测试生产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，满足AI热潮带来的更多需求。

美光曾表示，公司目前正积极强化HBM技术并同步扩充产能，公司目标是到2025年将HBM（AI芯片的关键组件）的市场份额提高三倍以上，达到20%左右。