- 一位业内人士表示，「『半导体游戏规则』可能在 10 年内改变，区别存储半导体和逻辑半导体可能变得毫无意义」。HBM4，魅力为何如此？技术的突破2023 年，在 AI 技术应用的推动下，数据呈现出爆炸式的增长，大幅度推升了算力需求。据悉，在 AI 大模型领域，未来 AI 服务器的主要需求将从训练侧向推理侧倾斜。而根据 IDC 的预测，到 2026 年，AIGC 的算力 62.2% 将作用于模型推理。同时，预计到 2025 年，智能算力需求将达到当前的 100 倍。据悉，自 2015 年以来，从 HBM1 到
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HBM4
- 人工智能浪潮之下，HBM从幕后走向台前，市场需求持续看涨。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。存储大厂持续发力，三星将推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今，HBM技术已经更新迭代出多款产品，分别有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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存储器 HBM4
- 三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF（非导电粘合膜）组装技术和HCB（混合键合）技术，以应用于该产品。此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。
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三星 HBM3E HBM4
- AI大势下，高带宽内存 (HBM) 从幕后走向台前，备受存储市场关注。近期，媒体报道下一代HBM将迎来重大变化，HBM4内存堆栈将采用2048位内存接口 。自2015年以来，所有HBM堆栈都采用1024位接口。接口宽度从每堆栈1024位增加到每堆栈2048位，足以可见HBM4具备的变革意义。另据韩媒报道，三星为了掌握快速成长的HBM市场，将大幅革新新一代产品制程技术，预计2026年量产HBM4。尽管HBM4将有大突破，但它不会很快到来。当前HBM市场以HBM2e为主，未来HBM3将挑起大梁。全球市场研究机
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- 据韩媒报道，三星为了掌握快速成长的HBM市场，将大幅革新新一代产品制程技术，预计2026年量产新一代HBM产品，HBM4。从2013年第一代HBM到即将推出的第五代HBM3E，I/O接口数为每颗芯片1024个，拥有超过2000个以上I/O接口的HBM尚未问世。以HBM不同世代需求比重而言，据TrendForce集邦咨询表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，而2024年将直接超越HBM2
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