美光 文章
- 2019年国产内存实现了0的突破，合肥长鑫前不久宣布量产10nm级DDR4内存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存储芯片公司兆易创新也宣布研发内存，10.1日该公司宣布融资43亿元，主要用于研发1Xnm工艺的内存芯片。根据兆易创新的公告，本次非公开发行A股股票的发行对象为不超过10名特定投资者，发行的股票数量不超过本次发行前公司股份总数的20%，即不超过64,224,315股（含本数）。预案显示，兆易创新本次发行募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元（含本数），扣除发行费用后的募
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兆易 三星 美光
- 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。美光第四代3D闪存堆叠了最多128层，继续使用阵列下CMOS设计思路，不过美光与Intel使用多年的浮动栅极(floating gate)换成了替换栅极(replacement gate)，以缩小尺寸、降低成本、提升性能，升级到下一代制造工艺也更容易。这种新架构是美光独自研发的，并没有Intel的帮助，双方已经越走越远。不过，完成流片只是美光新闪存的一步尝试，美光还没有计划将任何一条产品线转向RG
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美光
- 日前有报道称，美光将在中科园区投资4000亿新台币（约合900多亿人民币）建设A3、A5两座晶圆厂，预计今年Q4季度开始生产最先进的1Znm工艺DRAM内存芯片，规划的产能高达6万片晶圆/月。
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内存 美光 扩增
- 根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布，将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此，市场预估，美光的该项新产品还会在2019年底前，在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。
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美光 10纳米 DRAM
- 据BusinessKorea报道，近日，美光科技、SK海力士和西部数据等内存芯片制造商宣布，随着全球需求的下降，他们将减产。相反，三星电子表示，它不会减少其内存芯片产量，而是通过提高生产线的效率来应对不断变化的市场环境。
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美光 SK海力士 西部数据 三星 存储芯片
- 在近日与投资者和金融分析师召开的收益电话会议上，美光对其长期未来及对其产品的强劲需求表示了信心，该公司还概述了扩大产能的计划，并迅速转向更先进的工艺技术。
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美光 DDR5 DRAM
- SLC、MLC、TLC、QLC……不同闪存规格一路走下来，虽然容量越来越大，但是性能、寿命、可靠性却是越来越弱，只能通过其他方式弥补。就像之前很多人抗拒TLC一样，现在依然有很多人不接受QLC，但大势不可逆转。
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美光 3D QLC 闪存
- 不同于CPU处理器等逻辑芯片的制造工艺都精确到具体数值，闪存、内存工艺一直都是很模糊的叫法，比如10nm-class(10nm级别)，只是介于20nm和10nm之间，然后又分为1xnm、1ynm、1znm等不同版本，越来越先进，越来越接近真正的10nm。
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美光 内存 10nm 工艺
- 据外媒报道，美光科技表示，对华为已经恢复了部分芯片的出货，并预计今年晚些时候，公司的芯片需求会回升。周二晚些时候，镁光科技的股价一度上涨10%。
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美光 华为 芯片
- 美光公司今天发布了截至5月30日的2019财年Q3财季报告，当季营收47.9亿美元，同比下滑了40%，净利润8.4亿美元，同比暴跌了78%。美光营收、盈利双双暴跌与闪存、内存芯片跌价有关，特别是内存芯片。根据美光财报，DRAM内存芯片占了公司64%的营收，当季营收环比下滑了19%，同比下滑了45%，ASP均价环比下跌了20%，出货量与上季度基本持平。NAND闪存方面，营收占了公司31%，当季营收环比下滑了19%，同比下跌了25%，ASP均价下滑没有给出具体数据，说的是mid-teens（中等级别的十位数）
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美光 内存
- 由于被加入美国商务部的“实体清单”，华为在法律上已经被美国公司断供了，无法再获得重要的芯片、操作系统等产品及技术。不过华为每年营收超过1000亿美元，芯片采购额超过210亿美元，其中美国公司就占了110亿美元，错失华为订单对美国公司影响也会很大。
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华为 Intel 美光
- DRAM价格第2季大幅走跌，根据供应链透露，6月起DRAM颗粒现货价格再度走跌，主流交易规格的8Gb颗粒正式跌破3美元关卡。
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三星电子 SK海力士 美光 南亚科 DRAM
- 爱达荷州博伊西(2019 年 3 月 18 日)—— 美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)今日宣布推出全新固态硬盘 (SSD)
产品组合，该产品支持 NVM Express™ (NVMe™) 协议，帮助客户端计算提升带宽并降低延迟。美光® 2200 PCIe™ NVMe SSD
是一款垂直整合的解决方案——基于 3D TLC NAND、自主设计的 ASIC 控制器和固件、以及 M.2 外形规格。该解决方案让美光得以满足原始设备制造商
(OEM)和更广泛的客户端市场日益增长的对于
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美光 NVMe
- 这两年，DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，也带动内存条、固态硬盘持续动荡，而作为掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头，自然是赚得盆满钵满，甚至不惜刻意压制产能来把控市场。 但是时过境迁，整个市场风云突变，由于季节性因素、库存积压、价格走低等因素影响，三巨头的日子越来越不好过了。 根据DigiTimes的调研数据，2018年第四季度，三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26%，环比也减少了18%，其中内存17%、闪存20%。 由于存储芯片价格跌势不断，下游渠道
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存储 三星 SK海力士 美光
- 在2019世界移动通信大会上，作为创新内存和存储解决方案的行业领导者，美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码：MU)今日宣布推出
Micron®c200 1TB microSDXC UHS-I 卡——全球容量最高的 microSD 卡，可提供一兆兆字节 (1TB)1
高性能可移动存储。c200 1TB microSD 卡是全球首款采用美光先进 96 层 3D NAND 四级单元(QLC)技术的 microSD 卡。1TB
microSD 卡可以为消费者的手机和其他电子设备提供经济高效的存储
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美光 microSD
美光介绍
美光科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供“针对性”的解决方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之 [
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