三大原厂纷纷缩减旧制程产能，除三星电子已传宣布4月终止1y nm及1z nm制程的DDR4生产，美光亦通知客户停产服务器用旧制程DDR4模组，SK海力士据传也将DDR4产出比重降至20%。法人认为，市场景气低迷，上游存储器厂加速产品迭代，降低单位成本以提升获利，同时将资源转向高带宽记忆体（HBM）及DDR5等高阶产品。短期内内存价格受到关税备货与供给控制支撑，但整体环境不确定性高，未来基本面仍存隐忧。三星已通知供应链，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4内存将于2025年4月停止生产（EOL）
关键字：
DDR4 三星 SK海力士 美光
全球前三的内存制造商美光，不堪自家总统的对等关税压力，在全球开起涨价第1枪，要将关税转嫁给客户，因其海外生产基地主要位于亚洲，包括中国大陆、中国台湾、日、星和大马等，被加征10%-104%关税，虽然半导体产品豁免关税，但用于汽车、笔电和服务器等的内存模组和固态硬盘（SSD）仍要收关税，不得不告知美国客户，从美国时间4月9日起将加收产品附加费。据路透报道，美光透过信函告知美国客户，从今（4/9）起部分产品将额外收费，以抵销特朗普的对等关税冲击。 但美光并未回应路透报道。美国总统特朗普在4/2解放日，宣布4/
关键字：
关税 美光
4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
关键字：
内存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
美光已确认其提高内存价格的计划，理由是未来几年对 DRAM 和 NAND 闪存的需求强劲。该公司的最新公告表明，随着供应限制以及人工智能、数据中心和消费电子产品的需求增长推高了成本，价格将在 2025 年和 2026 年继续上涨。价格上涨之际，内存市场正从供应过剩和收入下降的时期反弹。在过去的一年里，由于主要供应商的减产以及对高性能计算和 AI 工作负载的需求增加，DRAM 和 NAND 闪存的价格稳步回升。随着美光确认有意提高价格，三星和 SK 海力士等其他内存制造商预计将效仿，进一步巩固价格上涨趋势。
关键字：
AI 数据中心 美光 内存
NAND Flash价格由谷底翻涨正蓄势待发，继SanDisk日前发函通知4月1日将调涨报价，近期市场传出，美光（Micron）、三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中国的存储厂均将从4月起提高报价。由于二大韩厂减产措施发酵，美光日前新加坡NAND厂发生跳电，导致NAND供货转趋吃紧，长江存储旗下SSD品牌也将于4月起调涨代理价格，涨幅可望将超过10%，全球各大原厂不约而同推动涨价，NAND价格回涨速度优于原先预期。存储器业界观察，近期整体终端市场的需求并
关键字：
美光 NAND
3月7日消息，美光推出了一款新的基于PCIe 6.x协议的固态硬盘原型产品，顺序读取速度达到了惊人的27GB/s，成为目前全球最快的PCIe 6.x SSD。这一速度不仅超越了美光去年推出的26GB/s的PCIe 6.x SSD，更是将现有PCIe 5.0 SSD的性能远远甩在身后。在数据中心连接解决方案提供商Astera Labs的展示中，美光的PCIe 6.x SSD原型搭配了Astera Labs的Scorpio P系列交换机，该交换机拥有64个PCIe 6.x通道和四端口架构。此外通过NVIDIA
关键字：
美光 PCIe 6 SSD
美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ（1-gamma）第六代（10 纳米级）DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 节点的领先优势，1γ DRAM 节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧 AI 设备（如 AI PC、智能手
关键字：
美光 1γ DRAM DRAM
DeepSeek等AI模型驱动之下，存储器市场备受青睐。长远来看，AI等热潮将推动NAND Flash市场需求上涨，高容量存储需求有望为NAND Flash（闪存）市场提供新的增长动力。这一过程中，少不了技术升级与产品迭代。值得一提的是，为了提升存储技术的创新能力和市场竞争力，一些存储厂商之间正在进行技术共享和联合研发的合作。近期，美光、铠侠等公司闪存技术迎来革新，涉及3D NAND Flash与PCIe 6.0 SSD。铠侠X闪迪革新3D闪存技术：4.8Gbps、332层堆叠！在近期召开的2025年IE
关键字：
闪存 美光 铠侠
根据市场研究机构Gartner的最新报告，2024年全球半导体收入总额达到了6260亿美元，同比增长18.1%。预计2025年全球半导体市场将继续增长，总收入将进一步增长至7050亿美元。Gartner研究副总裁George Brocklehurst表示：“数据中心应用（服务器和加速卡）中使用的GPU和AI处理器是2024年芯片行业的主要驱动力。由于对AI和生成式AI工作负载的需求日益增长，数据中心在2024年成为了仅次于智能手机的第二大半导体市场，数据中心半导体总收入从2023年的648亿美元增至112
关键字：
半导体 三星 英特尔 英伟达 美光
2月16日消息，据调研机构Counterpoint的最新报告，全球半导体市场（包括存储产业）在2024年预计将实现强劲复苏，全年营收同比增长19%，达到6210亿美元。这一增长主要得益于人工智能技术需求的大幅增加，尤其是内存市场和GPU需求的持续推动。从厂商来看，三星电子以11.8%的市场份额位居全球第一，随后分别是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、博通（5%）、英特尔（4.9%）、美光（4.8%）、英伟达（4.3%）、AMD（4.1%）、联发科（2.6%）和西部数据（2.5%）。需要注意的是，此
关键字：
半导体 SK海力士 高通 博通 英特尔 美光 英伟达 AMD 联发科 西部数据
全球NAND闪存价格已连续四个月下跌，为应对这一不利局面，厂商开始减产以平衡供求，进而稳定价格。美光率先宣布将减产，随后三星也被曝出将调整其韩国本土的NAND产量以及中国西安工厂的开工率，韩国另一大存储芯片制造商SK海力士也计划削减产量。
关键字：
NAND 三星 闪存 美光 SK海力士
1月14日消息，据报道，三星将于北京时间1月23日02:00举办Galaxy Unpacked January 2025，发布新一代Galaxy S25系列手机，包括Galaxy S25、Galaxy S25+和Galaxy S25 Ultra三款机型。据悉，三星Galaxy S25系列已确定将标配高达12GB的内存，并且有望全系列均搭载了美光的LPDDR5X内存芯片。此番选择美光而非自家产品，核心原因在于三星自家内存芯片存在过热的技术难题。值得注意的是，美光所提供的12纳米级LPDDR5X芯片，在性能表
关键字：
三星 美光 LPDDR5X
1月13日消息，据媒体报道，三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌，确保公司的收入和利润。DRAMeXchange的数据显示，截至2024年10月底，用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月下降了29.18%。据行业消息，三星电子已将其西安工厂的晶圆投入量减少超过10%，每月平均产量预计将从20万片减少至约17万片。此外，三星韩国华城的12号和17号生产线也将调整其供应，导致整体产能降低。三星在2023年曾实施过类似的减产措施，当时
关键字：
三星 NAND 闪存 存储卡 U盘 晶圆 SK海力士 铠侠 西部数据 美光 长江存储
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布扩充旗下 Crucial 英睿达品牌消费级内存和存储产品组合，包括推出高速 Crucial 英睿达 P510 SSD 新品，并增加现有DRAM 产品的密度和外形规格选项，为消费者提供更广泛和更灵活的选择。其中，P510 是一款 PCIe 5.0 NVMe SSD，读写速度分别高达 11,000 MB/s和 9,550 MB
关键字：
Crucial 英睿达 美光
1月6日消息， 美光在CES 2025推出了一款全新的低功耗PCIe 5.0固态硬盘 ——Crucial P510。P510是美光继T700和T705之后推出的第三款PCIe Gen 5 SSD ，也是P系列首款PCIe Gen 5 SSD，或者说该公司首款主流NVMe SSD。P510搭载了高性能的群联(Phison) E31T主控芯片，并创新性地取消了DRAM缓存设计，却在性能上毫不妥协。 其1TB与2TB版本分别实现了惊人的11000MB/s顺序读取速度和9550MB/s顺序写入
关键字：
美光 PCIe5.0 固态硬盘
美光介绍
美光科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供“针对性”的解决方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473