Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布领先业界推出基于 32Gb 单裸片的128GB DDR5 RDIMM 内存，具有高达 8,000 MT/s 速率的一流性能，可支持当前及未来的数据中心工作负载。该款大容量、高速率内存模块特别针对数据中心和云环境中广泛的任务关键型应用，例如人工智能 (AI)、内存数据库 (IMDB) 以及需要对多线程、多核通用计算工作负载进行高效处理的场景，满足它们对
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美光 DRAM 128GB RDIMM内存
这家受制裁的中国芯片制造商指控美光科技“受到长江存储的崛起威胁”，侵犯了其八项专利，其中包括 232 层 NAND 内存专利
随着长江存储不断取得技术进步，该诉讼为美国出口管制不断升级的半导体大战开辟了新战线
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存储 国际 美光 长江
存储器大厂美光近期公布最新路线图，包括DDR5、GDDR7和HBM4E存储器技术，其中GDDR7正好赶上明年底下一代英伟达GPU芯片。美光最新路线图延长至2028年，比7月发布时延长两年，内容也调整过，增加几款新产品。美光目前第二代HBM3运行速度为1.2TB/s，为8层堆叠，预计2026年推出12和16层堆叠的HBM4，带宽超过1.5TB/s；到2027~2028年，将发布12层和16层堆叠的HBM4E，带宽可达2TB/s以上。至于GDDR7上市时间有些改变，从2024上半年延后到年底，与目前最快的GD
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存储市场消费电子应用疲软的环境下，HBM成为发展新动能，备受大厂重视。近期，三星、美光传出将扩产HBM的消息。大厂积极布局HBM近期，媒体报道三星为了扩大HBM产能，已收购三星显示（Samsung Display）韩国天安厂区内部分建筑及设备，用于HBM生产。据悉，三星计划在天安厂建立一条新封装线，用于大规模生产HBM，该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等，预计追加投资7000亿-1万亿韩元。 此前，据三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊透露，三星已开发出9.8Gbps的H
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11月10日消息，美国时间周四，美股收盘主要股指全线下跌，结束了标指和纳指两年来最长的连续上涨。美联储主席鲍威尔警告称，可能需要提高基准利率来抑制通货膨胀。道琼斯指数收于33891.94点，下跌220.33点，跌幅0.65%；标准普尔500指数收于4347.35点，跌幅0.81%；纳斯达克指数收于13521.45点，跌幅0.94%。大型科技股多数下跌，谷歌和亚马逊跌幅超过1%；Meta上涨，涨幅不到1%。芯片龙头股涨跌不一，英伟达、高通、博通和美光上涨，美光涨幅超过1%；台积电、英特尔和Arm等下跌，Ar
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在消费级存储市场低迷的背景下，高带宽存储器（HBM）技术已成为新的驱动力，最新报告指出三星和美光两家公司正积极筹备扩张HBM DRAM 。三星耗资105亿韩元，收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大HBM产能。三星还计划再投资7000亿至1万亿韩元，用于新建新的封装线。此前报道，三星副总裁兼DRAM产品和技术团队负责人Hwang Sang-jun先生透露，三星已开发出速度为9.8Gbps的HBM3E，并计划开始向客户提供样品。同时，三星还正在开发HBM4的各种技术，包括针对高温热特性和混合键
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三星 美光 HBM
不负期待 与美光相约2023进博会2023年11月5日，第六届中国国际进口博览会正式开幕，吸引了来自世界各地的企业参展。其中，美光首次亮相进博会，为业界带来了一系列创新的内存和存储产品及解决方案，并展示了其为赋能数据经济发展，推动人工智能和5G应用进步所付出的不懈努力。深入存储四大应用领域美光的展位以“深耕存储领域，赋能数字中国”为主题，向观众展示了一系列高性能内存和存储产品。展台划分为数据中心、汽车与智能边缘领域、移动设备以及PC客户端四大应用领域，最新的产品和解决方案令人印象深刻。这些创新的
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美光 进博会 LPDDR5 内存 存储技术
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用闪存 UFS 3.1 嵌入式解决方案现已通过高通 (Qualcomm Technologies, Inc.) 最新的扩展现实 (XR) 平台——第二代骁龙™ XR2 验证。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸紧凑，提供更高速率、更优性能和更低功
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美光 低功耗内存 XR2平台 混合现实 MR 虚拟现实 VR
美光的新一代内存，目前已出货给数据中心及PC客户。美光1β DDR5 DRAM可扩大运算能力，并以更高效能辅佐数据中心及客户端平台，支持AI训练及推论、生成式AI、数据分析、内存数据库等。美光推出的16Gb DDR5内存，以其领先1β制程节点技术，美光1β DDR5 DRAM的内建系统功能速率可达7,200MT／s，相较于前一代产品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM产品，在现有模块化密度中，速率可达4,800MT／s至7,200MT／s，适用于数据中心及客户端应用。
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美光 高速内存 DDR5
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已将业界领先的1β（1-beta）制程技术应用于16Gb容量版本的 DDR5内存。美光1β DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s，现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。基于1β节点的美光DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术[[1]]，相比上一代产品，性能提升高达50%[[2]]，每瓦性能提升33%[[3]]。随着CPU内核数量的不断增加以满足数据中心工作负载需求，系统
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美光 1β技术DDR5内存
近日，美光宣布推出适用于数据中心工作负载的7500 NVMe SSD，主要面向数据中心存储应用，包括了云服务器和企业服务器。美光7500系列产品采用232层3D NAND闪存芯片，该芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，新技术可以大大减小NAND闪存的芯片尺寸，有助于降低成本据美光介绍，该系列SSD具有低于1ms的6x9 QoS延迟，最大顺序读取速度达7GB/s，写入5.9GB/s（比竞争对手高出97%），最大随机读取1100K IOPS（高出13%），写入410K IOPS（高出242%）
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美光 7500系列 SSD 数据中心
10月13日消息，美国时间周四，美股收盘主要股指全线下跌。在美股连涨四天后，美国国债收益率上升，9月份通胀报告略高于预期，给市场带来压力。道琼斯指数收于33631.14点，下跌173.73点，跌幅0.51%；标准普尔500指数收于4349.61点，跌幅0.62%；纳斯达克指数收于13574.22点，跌幅0.63%。大型科技股多数下跌，苹果和亚马逊上涨，涨幅均不到1%。芯片龙头股多数上涨，英特尔、美光和ARM等下跌，ARM跌幅超过5%。新能源汽车热门普遍下跌，特斯拉下跌1.57%，Rivian下跌0.21%
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英特尔 美光 ARM 芯片
美国半导体巨头美光透露，将参加于11月5日至10日在上海举行的第六届中国国际进口博览会。据媒体报道，美国半导体巨头美光10月10日透露，将参加于11月5日至10日在上海举行的第六届中国国际进口博览会。这也是自进博会举办以来，美光首次参加该展会。对此，美光方面表示，正在积极准备相关事宜
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美光 进博会
IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天发布新闻稿，进一步扩展了 1β（1-beta）工艺节点技术，推出 16Gb DDR5 内存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已经开始向数据中心和 PC 用户提供，峰值速度可以达到 7200 MT/s。这款新型 DDR5 内存采用先进的 high-k CMOS 器件技术，4 相时钟和时钟同步（clock-sync）1，相比较上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 产品线提供 4,800 MT/s 至 7
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美光 内存
据外媒，当地时间9月23日，美光科技公司位于印度古吉拉特邦萨南德的组装、测试和封装工厂 (ATMP) 破土动工，总投资27.5亿美元。据了解，今年6月，美光与印度政府签署关于在古吉拉特邦建厂的谅解备忘录。9月23日，印度塔塔集团旗下塔塔项目公司宣布将与美光科技合作，建设该先进半导体组装和测试工厂，并表示该工厂一期工程将很快启动，预计2024年底投运。古吉拉特邦首席部长布彭德拉·帕特尔在讲话时表示：“该公司准备在签署谅解备忘录后不到三个月的时间内破纪录地开始建设。”报道称，该项目是印度半导体使命（ISM）下
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美光介绍
美光科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供“针对性”的解决方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之 [
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