11月10日消息，美国时间周四，美股收盘主要股指全线下跌，结束了标指和纳指两年来最长的连续上涨。美联储主席鲍威尔警告称，可能需要提高基准利率来抑制通货膨胀。道琼斯指数收于33891.94点，下跌220.33点，跌幅0.65%；标准普尔500指数收于4347.35点，跌幅0.81%；纳斯达克指数收于13521.45点，跌幅0.94%。大型科技股多数下跌，谷歌和亚马逊跌幅超过1%；Meta上涨，涨幅不到1%。芯片龙头股涨跌不一，英伟达、高通、博通和美光上涨，美光涨幅超过1%；台积电、英特尔和Arm等下跌，Ar
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在消费级存储市场低迷的背景下，高带宽存储器（HBM）技术已成为新的驱动力，最新报告指出三星和美光两家公司正积极筹备扩张HBM DRAM 。三星耗资105亿韩元，收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大HBM产能。三星还计划再投资7000亿至1万亿韩元，用于新建新的封装线。此前报道，三星副总裁兼DRAM产品和技术团队负责人Hwang Sang-jun先生透露，三星已开发出速度为9.8Gbps的HBM3E，并计划开始向客户提供样品。同时，三星还正在开发HBM4的各种技术，包括针对高温热特性和混合键
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不负期待 与美光相约2023进博会2023年11月5日，第六届中国国际进口博览会正式开幕，吸引了来自世界各地的企业参展。其中，美光首次亮相进博会，为业界带来了一系列创新的内存和存储产品及解决方案，并展示了其为赋能数据经济发展，推动人工智能和5G应用进步所付出的不懈努力。深入存储四大应用领域美光的展位以“深耕存储领域，赋能数字中国”为主题，向观众展示了一系列高性能内存和存储产品。展台划分为数据中心、汽车与智能边缘领域、移动设备以及PC客户端四大应用领域，最新的产品和解决方案令人印象深刻。这些创新的
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Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用闪存 UFS 3.1 嵌入式解决方案现已通过高通 (Qualcomm Technologies, Inc.) 最新的扩展现实 (XR) 平台——第二代骁龙™ XR2 验证。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸紧凑，提供更高速率、更优性能和更低功
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美光的新一代内存，目前已出货给数据中心及PC客户。美光1β DDR5 DRAM可扩大运算能力，并以更高效能辅佐数据中心及客户端平台，支持AI训练及推论、生成式AI、数据分析、内存数据库等。美光推出的16Gb DDR5内存，以其领先1β制程节点技术，美光1β DDR5 DRAM的内建系统功能速率可达7,200MT／s，相较于前一代产品，效能可提升50％，每瓦效能功耗可降低33％。全新1β DDR5 DRAM产品，在现有模块化密度中，速率可达4,800MT／s至7,200MT／s，适用于数据中心及客户端应用。
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美光 高速内存 DDR5
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已将业界领先的1β（1-beta）制程技术应用于16Gb容量版本的 DDR5内存。美光1β DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s，现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。基于1β节点的美光DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术[[1]]，相比上一代产品，性能提升高达50%[[2]]，每瓦性能提升33%[[3]]。随着CPU内核数量的不断增加以满足数据中心工作负载需求，系统
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近日，美光宣布推出适用于数据中心工作负载的7500 NVMe SSD，主要面向数据中心存储应用，包括了云服务器和企业服务器。美光7500系列产品采用232层3D NAND闪存芯片，该芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，新技术可以大大减小NAND闪存的芯片尺寸，有助于降低成本据美光介绍，该系列SSD具有低于1ms的6x9 QoS延迟，最大顺序读取速度达7GB/s，写入5.9GB/s（比竞争对手高出97%），最大随机读取1100K IOPS（高出13%），写入410K IOPS（高出242%）
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10月13日消息，美国时间周四，美股收盘主要股指全线下跌。在美股连涨四天后，美国国债收益率上升，9月份通胀报告略高于预期，给市场带来压力。道琼斯指数收于33631.14点，下跌173.73点，跌幅0.51%；标准普尔500指数收于4349.61点，跌幅0.62%；纳斯达克指数收于13574.22点，跌幅0.63%。大型科技股多数下跌，苹果和亚马逊上涨，涨幅均不到1%。芯片龙头股多数上涨，英特尔、美光和ARM等下跌，ARM跌幅超过5%。新能源汽车热门普遍下跌，特斯拉下跌1.57%，Rivian下跌0.21%
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美国半导体巨头美光透露，将参加于11月5日至10日在上海举行的第六届中国国际进口博览会。据媒体报道，美国半导体巨头美光10月10日透露，将参加于11月5日至10日在上海举行的第六届中国国际进口博览会。这也是自进博会举办以来，美光首次参加该展会。对此，美光方面表示，正在积极准备相关事宜
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IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天发布新闻稿，进一步扩展了 1β（1-beta）工艺节点技术，推出 16Gb DDR5 内存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已经开始向数据中心和 PC 用户提供，峰值速度可以达到 7200 MT/s。这款新型 DDR5 内存采用先进的 high-k CMOS 器件技术，4 相时钟和时钟同步（clock-sync）1，相比较上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 产品线提供 4,800 MT/s 至 7
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据外媒，当地时间9月23日，美光科技公司位于印度古吉拉特邦萨南德的组装、测试和封装工厂 (ATMP) 破土动工，总投资27.5亿美元。据了解，今年6月，美光与印度政府签署关于在古吉拉特邦建厂的谅解备忘录。9月23日，印度塔塔集团旗下塔塔项目公司宣布将与美光科技合作，建设该先进半导体组装和测试工厂，并表示该工厂一期工程将很快启动，预计2024年底投运。古吉拉特邦首席部长布彭德拉·帕特尔在讲话时表示：“该公司准备在签署谅解备忘录后不到三个月的时间内破纪录地开始建设。”报道称，该项目是印度半导体使命（ISM）下
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内存大厂美光即将于27日盘后公布最新财报，鉴于美光对DRAM的订价能力提升，市场高度期待美光获利进一步改善，预期产业最坏情况已过。由于内存大厂近期积极减产，部分市场需求转强，AI服务器需求尤为强劲，致使DRAM报价逐渐改善。美光财务长Mark Murphy先前透露，若供应链持续保持自制力、预测价格有望于2023年下半转强。美光营运有望改善，带动股价逐渐走强，该公司年初迄今股价已上涨近4成。包括巴克莱、德银等券商，纷纷上调美光投资评等及目标价。巴克莱券商巴克莱给予美光「加码」投资评等，目标价从75美元调高到
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IT之家 9 月 4 日消息，据台湾 《中央通讯社》 报道，台湾美光董事长卢东晖表示，美光有多达 65% 的 DRAM 产品在台湾生产，其中台日团队一起研发新一代的 1-gamma 制程将于 2025 年上半年先在台中厂量产，这是美光第 1 代采用极紫外光（EUV）的制程技术。据悉，美光现在只有在台中有 EUV 的制造工厂，1-gamma 制程势必会先在台中厂量产，日本厂未来也会导入 EUV 设备。卢东晖强调，台湾和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多达 65% 的动态随机存取记忆体（DRAM
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由于各大企业对布局AI领域的兴趣激增，同时，SK海力士在用于生成式AI领域的高带宽存储器（HBM）DRAM方面处于市场领先地位，其二季度用于AI领域的高性能DRAM销售增长强劲，对高端DRAM的需求增长了一倍多。继英伟达之后，全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3，包括AMD、微软和亚马逊等等。
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2023年7月26日，上海 —— 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布推出Crucial®英睿达 X9 Pro 移动固态硬盘和Crucial英睿达 X10 Pro 移动固态硬盘。作为Crucial英睿达Pro系列产品线的新成员，这两款高性能产品专为摄影师、摄像师、设计师等内容创作者或追求高性能的消费者而设计。两款产品均采用美光TLC NAND，以及革命性的单ASIC移动存储架构，实现了突破性的超紧凑、轻量化外形
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美光介绍
美光科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供“针对性”的解决方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之 [
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