三星率先为DRAM芯片导入EUV：明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

当前在芯片制造中最先进的EUV（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。

这家韩国巨头今日宣布，已经出货100万第一代10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组，并完成全球客户评估，这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。

得益于EUV技术，可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤，并进一步提升产能。

三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。

不过，目前支持DDR5的PC平台尚未亮相，LPDDR5倒是已经逐渐铺开。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb（2GB），地点是平泽市的V2线。

根据三星此前的预判，EUV将帮助公司至少推进到3nm尺度。