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荷兰光刻机巨头大举增加在华员工 背后有什么深意?

  • 在美国拼命打压中国之际,荷兰光刻机巨头ASML却相反,根据该公司透露的消息,ASML今年将在中国招聘200多名员工,以跟上中国的增长步伐,这意味着ASML 在华员工人数已超过 1500 人,占ASML公司全球员工的14%。那么,ASML到底想干什么呢?首先,ASML公司是想赚钱,虽然台积电、三星等买去了荷兰ASML公司的大部分EUV光刻机,但ASML公司可以在中国销售DUV等光刻机。而且,2021年ASML的第一大客户就是中国大陆芯片企业,中国大陆芯片企业为ASML贡献了超过290亿美元,而中国台湾和韩国
  • 关键字: ASML  EUV  

泛林集团、Entegris 和 Gelest 携手推进 EUV 干膜光刻胶技术的生态系统

  • 泛林集团 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化学集团旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一项战略合作,将为全球半导体制造商提供可靠的前体化学品,用于下一代半导体生产所需的、泛林突破性的极紫外 (EUV)干膜光刻胶创新技术。三方将合作对未来几代逻辑和 DRAM 器件生产所使用的 EUV 干膜光刻胶技术进行研发,这将有助于从机器学习和人工智能到移动设备所有这些技术的实现。             
  • 关键字: 泛林集团  EUV  干膜光刻胶  

卡脖子也没用 国内厂商芯片新技术绕过EUV光刻机

  • 毫无疑问,如今国内芯片厂商面前最大的障碍就是EUV光刻机,不过EUV光刻机是研制先进芯片的一条路径,但并非唯一解。    对于国内厂商来说,当前在3D NAND闪存的发展上,就因为不需要EUV机器,从而找到了技术追赶的机会。而在DRAM内存芯片领域,尽管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV,可来自浙江海宁的芯盟则开辟出绕过EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技术的3D 4F2 DRAM架构问世。他指出,基于HITOC技术所开发的全新架构3D 4F2 DRA
  • 关键字: 芯片  EUV  光刻机  

ASML 分享 High-NA EUV 光刻机最新进展:目标 2024-2025 年进厂

  • 5 月 29 日消息,半导体行业花了十多年的时间来准备极紫外线 (EUV) 光刻技术,而新的高数值孔径 EUV 光刻(High-NA EUV)技术将会比这更快。目前,最先进的芯片是 4/5 纳米级工艺,下半年三星和台积电还能量产 3nm 技术,而对于使用 ASML EUV 光刻技术的 Twinscan NXE:3400C 及类似系统来说,它们大都具有 0.33 NA(数值孔径)的光学器件,可提供 13 nm 分辨率。目前来看,这种分辨率尺寸对于 7 nm / 6 nm 节点 (36 nm ~ 38 nm)
  • 关键字: EUV  光刻机  ASML  

首发“4nm” EUV工艺!Intel 14代酷睿真身曝光:GPU堪比独显

  •   Intel的12代酷睿处理器去年就已经发布,首次上了性能+能效的异构设计,今年的13代酷睿代号Raptor Lake,下半年发布,属于12代的改进版,明年的14代酷睿Meteor Lake则会大改,升级Intel 4工艺,也是Intel首个EUV工艺。  14代酷睿的架构也会大改,第一次采用非单一芯片设计,弹性集成多个小芯片模块,包括下一代混合架构CPU、tGPU核显引擎、AI加速单元,而且功耗非常低。  14代酷睿Meteor Lake也会是Intel酷睿系列中首个大量使用3D Foveros混合封
  • 关键字: 英特尔  EUV  4nm  

应用材料推出运用EUV延展2D微缩与3D环绕闸极晶体管技术

  • 半导体设备大厂应用材料推出多项创新技术,协助客户运用极紫外光(EUV)持续进行2D微缩,并展示业界最完整的次世代3D环绕闸极(Gate-All-Around,GAA)晶体管制造技术组合。芯片制造商正试图透过两个可相互搭配的途径来增加未来几年的晶体管密度。一种是依循传统摩尔定律的2D微缩技术,使用EUV微影系统与材料工程以缩小线宽。另一种是使用设计技术优化(DTCO)与3D技术,巧妙地藉由优化逻辑单元布局来增加密度,而不需要改变微影间距。第二种方法需要使用晶背电源分配网络与环绕闸极晶体管,随着传统2D微缩技
  • 关键字: 应用材料  EUV  2D微缩  3D环绕闸极  晶体管  

ASML公司开撕美国?光源技术不是根源,不交付EUV光刻机另有原因

  • ASML公司虽然是荷兰企业,但不少网友都把ASML公司“美”化了,这里的“美”指的是美国。在华为遭遇到芯片封锁之前,中国半导体企业就曾向ASML公司支付了定金,采购了一台EUV光刻机。然而,ASML公司却迟迟没有发货,这也引起了网友的各种猜疑。众所周知,全世界只有ASML公司能够生产EUV光刻机,而一部EUV光刻机上就有超过10w的精密零件,各方面的技术也是来自全世界各国的顶尖技术。所以ASML公司的光刻机一直是供不应求。但明明已经收了定金,10亿一部的EUV光刻机,ASML公司为何有生意不做呢?大部分的
  • 关键字: EUV  ASML  光刻机  

俄罗斯投资6.7亿卢布,开发新型的光刻机,性能或将超越EUV光刻机

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  • 关键字: EUV  光刻机  俄罗斯  叠加芯片  

雪佛兰Bolt EV/EUV在电池起火召回后终于宣布恢复生产

  • 通用汽车(GM)已经恢复了2022款雪佛兰Bolt EV和EUV的生产,现在它们可以获得新电池组的供应,而这些电池组应该不会有火灾隐患。此前,雪佛兰Bolt因潜在的电池火灾而被召回,该次召回影响到了所有的车型,导致Bolt EV和EUV汽车的生产自去年8月起完全冻结。“我们的目标是恢复并坦率地说超过业务指标,”雪佛兰营销副总裁Steve Majoros在昨日的新闻电话会议上说道。Bolt的复出计划包括赶上新的2022款Bolt EV和EUV订单(2023年的订单将于7月开始)、将在MLB开幕日投放的新电视
  • 关键字: EUV  雪佛兰  

阿斯麦CEO:不卖EUV给中国大陆“是政府们的选择”

  • (原标题:光刻机巨头阿斯麦CEO:不卖EUV给中国大陆“是政府们的选择”)【文/观察者网 吕栋】“这不是我们的选择,而是政府们(《瓦森纳协定》成员国)的选择。”日前,荷兰光刻机巨头阿斯麦CEO温彼得再次就向中国大陆出口EUV光刻机一事解释道。他今年1月曾表示,中国不太可能独立复制出(replicate)顶尖的光刻技术,但也别那么绝对,“他们肯定会尝试”。观察者网注意到,由于最先进的EUV设备无法向中国大陆出口,温彼得自2021年以来曾多次发声。2021年4月,他曾喊话美国政府,对华出口管制不仅不能阻碍中国
  • 关键字: 阿斯麦CEO  EUV  光刻机  

EUV提前半年问世:Intel先进工艺不跳票

  • 前不久的Intel投资者会议上,英特尔发布了先进工艺的路线图,从去年的Intel 7工艺开始一路推进到Intel 18A工艺,酷睿处理器从12代一直持续到16代酷睿,甚至17代酷睿都在准备中了,2025年上市。                       不仅工艺规划的很好,而且这一次Intel更有信心,因为多代工艺实际上提前量产了,具体如下:Intel 4工艺是Intel第一个
  • 关键字: EUV  Intel  先进工艺  

ASML:努力向中国提供一切能够提供的技术

  • 芯片行业一直是困扰全球的“卡脖子”领域,而其中核心的光刻机技术被几家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片领域有长足的进步,光刻机这种核心设备就要有所突破。而之前美国通过自身在全球市场的控制能力,通过修改法案等手段一直将光刻机设备和技术限制对中国进行输出。但近期光刻机头部企业ASML则明确表态将会尽其所能向中国市场提供一切他们能够提供的技术,其中DUV光刻机将会不需要认可许可即可向中方企业提供。ASML光刻机除此之外,ASML表示在当前法律框架之下,他们除了EUV光刻机无法向中方企业提供,其他产品都可以正常发售。
  • 关键字: ASML  EUV  光刻机  

单台1.5亿美元 ASML制造新一代EUV光刻机

  • 据《连线》杂志报道,在美国康涅狄格州郊区的一间洁净室中,ASML的工程师们正在为一台单台造价1.5亿美元的新机器制造关键部件,该部件是新一代EUV系统的组成部分,会采用一些新技术来最大限度地减少其使用的光波长,包括缩小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程师正在装配系统组件(图片来自ASML)      要知道,当前的EUV机器已经像一辆公共汽车那么大,包含10万个零部件和两公里长的电缆,运输这些组件需要40个货运集装箱、三架货机和20辆卡车,能够买得起这种设备的公
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阿斯麦的新一代EUV光刻机:造价1.5亿美元 公共汽车大小

  •   9月2日消息,荷兰阿斯麦的新一代极紫外(EUV)光刻机每台有公共汽车大小,造价1.5亿美元。其前所未有的精度可以让芯片上的元件尺寸在未来几年继续缩小。  在位于美国康涅狄格州郊区的一间大型洁净室里,工程师们已经开始为一台机器制造关键部件,这台机器有望让芯片制造行业沿着摩尔定律至少再走上10年时间。  这台极紫外光刻机是由荷兰阿斯麦公司制造的。阿斯麦于2017年推出世界上第一台量产的极紫外光刻机,在芯片制造领域发挥着至关重要的作用,已经被用于制造iPhone手机芯片以及人工智能处理器等最先进的芯片。阿斯
  • 关键字: 阿斯麦  EUV  光刻机    

美光确认EUV工艺DRAM 2024年量产:1γ节点导入

  • 三星、SK海力士及美光确定未来会用EUV工艺,其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。芯研所8月21日消息,CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后,EUV光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及美光也确定未来会用EUV工艺,其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认,美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图,将由10nm世代中的1γ(gamma)工艺节点开始导入。美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产,预
  • 关键字: 美光  EUV  DRAM  
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euv介绍

在半导体行业,EUV一般指EUV光刻,即极紫外光刻。 极紫外光刻(英语:Extreme ultra-violet,也称EUV或EUVL)是一种使用极紫外(EUV)波长的光刻技术。 EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源,可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。 根据瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),这么短的波长可以提供极高 [ 查看详细 ]

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