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Brewer Science 为领先制造厂商提供关键性的半导体材料

  •   Brewer Science, Inc. 很荣幸宣布参加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司将与业界同仁交流台湾半导体制造趋势的见解,内容涵盖前端和后端的材料,以及次世代制造的流程步骤。  今日的消费性电子产品、网络、高效能运算 (HPC) 和汽车应用皆依赖封装为小型尺寸的半导体装置,其提供更多效能与功能,同时产热更少且操作时更省电。透过摩尔定律推动前端流程开发,领先的代工和整合组件制造商(IDM
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张忠谋:台积电南京厂明年下半量产

  •   台积电(2330)南京厂今日上午正式举行进机典礼,由董事长张忠谋亲自主持,大陆中央及地方贵宾云集,显示对台积电南京投资案重视。   海思及联发科将是首批客户   张忠谋表示,大陆集成电路在中国制造,台积电可助一臂之力。 南京厂预计2018年下半年量产,陆媒预估中国海思及联发科(2454)将是首批客户。   工程师已陆续由台湾进驻   今年上半年台积电工程师已经陆续由台湾进驻南京厂协助建厂事宜,8月16奈米大型机台陆续透过华航包机,由台湾运往南京禄口机场,而南京市政府为了迎接重量级贵宾,加快浦口
  • 关键字: 台积电  EUV  

台积30周年:半导体八巨头将同台,库克没来

  •   晶圆代工龙头台积电将在今年10月23日盛大举办「台积公司30周年庆」论坛,以及于国家音乐厅举办音乐会。 台积电30周年庆活动将由当天下午举行的半导体论坛揭开序幕,由董事长张忠谋亲自主持,将邀请包括高通、博通、辉达(NVIDIA)、ADI、ASML、ARM、苹果等重量级客户及合作伙伴, 与张忠谋一起畅谈半导体产业未来10年展望。   台积电今年欢度30周年,活动当天将盛大举办「台积公司30周年庆」论坛,由董事长张忠谋亲自主持,与谈人包括了NVIDIA执行长黄仁勋、高通执行长Steve Mollenko
  • 关键字: 台积电  EUV  

7nm大战在即 买不到EUV光刻机的大陆厂商怎么办?

  • 对于7nm制程工艺,三星和台积电两大晶圆代工领域巨头都早已入手布局以便争抢IC设计业者们的订单。
  • 关键字: 7nm  EUV  

KLA-Tencor宣布推出针对光学和EUV 空白光罩的全新FlashScanTM产品线

  •   今天,KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*检测产品线。自从1978年公司推出第一台检测系统以来,KLA-Tencor一直是图案光罩检测的主要供应商,新的FlashScan产品线宣告公司进入专用空白光罩的检验市场。光罩坯件制造商需要针对空白光罩的检测系统,用于工艺开发和批量生产过程中的缺陷检测,此外,光罩制造商(“光罩厂”)为了进行光罩原料检测,设备监控和进程控制也需要购买该检测系统。 FlashScan系统可以检查针对光学或极紫外(EUV)光刻的空白光罩。 
  • 关键字: KLA-Tencor  EUV   

首先采用EUV光刻工艺 三星半导体代工优劣势分析

  •   张忠谋曾比喻说:“三星是一只700磅的大猩猩”,表示它十分强悍。然而在现阶段的代工业中三星尚是“新进者”,需要时间的积累。   01、引言   据IC Insight公布的今年Q2数据,三星半导体依158亿美元,同比增长46.5%,超过英特尔而居首。   全球半导体三足鼎立,英特尔、台积电、三星各霸一方,近期内此种态势恐怕难以有大的改变,但是一定会此消彼长,无论哪家在各自领域內都面临成长的烦恼。   然而在三家之中三星谋求改变的势头最猛,而台积电
  • 关键字: 三星  EUV  

EUV需求看俏 ASML频传捷报

  •   全球最大芯片光刻设备市场供货商阿斯麦 (ASML) 公布最新2017第二季财报。ASML表示,由于不论逻辑芯片和DRAM客户都积极准备将EUV导入芯片量产阶段,EUV光刻机目前第二季已累积27台订单总计28亿欧元。   ASML 第二季营收净额 (net sales)21亿欧元,毛利率(gross margin)为45%。在第二季新增8台EUV系统订单,让EUV光刻系统的未出货订单累积到27台,总值高达28亿欧元。   ASML预估2017第三季营收净额(net sales)约为22亿欧元,毛
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EUV在手天下我有 ASML二季度表现亮眼

  •   全球最大芯片光刻设备市场供货商阿斯麦(ASML)近日公布2017第二季财报。ASML第二季营收净额21亿欧元,毛利率为45%。在第二季新增8台EUV系统订单,让EUV光刻系统的未出货订单累积到27台,总值高达28亿欧元。   预估2017第三季营收净额约为22亿欧元,毛利率约为43%。因为市场需求和第二季的强劲财务表现,ASML预估2017全年营收成长可达25%。   ASML总裁暨执行长温彼得指出:“ASML今年的主要营收贡献来自内存芯片客户,尤其在DRAM市场需求的驱动下,这部分的
  • 关键字: EUV  ASML  

三星领先台积电引入7纳米EUV技术,今年代工市场欲超车联电

  •   据日经中文网报道,7月11日,韩国三星电子在首尔举行的说明会上,向客户等各方介绍了半导体代工业务的技术战略。新一代7纳米半导体将采用最尖端的制造技术,从2018年开始量产。此次说明会上,三星展示了发展蓝图,记载了决定性能好坏的电路线宽的微细化进程。三星表示,采用“极紫外光刻(EUV光刻)”新技术的7纳米产品计划从2018年开始接单,5纳米产品和4纳米产品分别将从2019年和2020年开始接单。EUV能大幅提高电路形成工序的效率,7纳米以下的产品曾被认为难以实现商用化,而EUV是
  • 关键字: 三星  EUV  

延续摩尔定律 EUV技术角色关键

  •   台积电已宣布将在2018年第二代7奈米制程中开始导入EUV微影技术,以做为5奈米全面采用EUV的先期准备。 尽管目前EUV设备曝光速度仍不如期待且价格极为高昂,但与采用双重或多重曝光技术相比,EUV的投资对解决先进制程不断攀升的成本问题仍是相对有力的解决方案。   每一季的台积电法说会上,张忠谋董事长或是共同执行长对于极紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的发展进度必会对台下观众做一专门的报告,法人代表对于EUV的导入时程亦表示高度兴趣。 到底EUV的发展对于台积电未来发展甚至
  • 关键字: 摩尔定律  EUV  

摩尔定律唯一规则:永远不要说不可能

  •   摩尔定律在过去52年中一直是“更小,更快,更便宜”的代名词,但越来越多的人认为它只是诸多选择之一,芯片行业开始针对特定的市场需求进行调整。   这并没有使得摩尔定律失去意义。众多行业人士透露,从16/14nm冲击7nm的公司数量要多于直接冲击16/14nm finFET的公司。但是,这种迁移也需要考虑到:   · 当代工厂利用16/14nm finFET进行相同度量时,节点命名在20nm之后就变得无意义。因此,对于10nm或7nm并没有一致的定义。更有价值的数
  • 关键字: 摩尔定律  EUV  

7nm争夺战即将打响 EUV是否够成熟?

  • 在先进制程方面,玩得起的显然只剩寥寥可数的那几个大玩家,7nm是一个重要的节点。
  • 关键字: 7nm  EUV  

KLA-Tencor 快速有效解决客户良率问题 与中国半导体行业一同成长

  •   看好中国半导体行业未来持续的蓬勃发展,工艺控制与成品率管理解决方案提供商KLA-Tencor (科天)透过半导体检测与量测技术,以最快的速度及最有效的方式 ,帮助客户解决在生产时面对的良率问题。KLA-Tencor立志于帮助中国客户一起提升良率,降低生产成本,提高生产效率,并与中国半导体行业一同成长。  KLA-Tencor中国区总裁张智安表示,KLA-Tencor成立至今40年,现于全球17国拥有6000多位员工。2016财年,KLA-Tencor营收表现来到30亿美元。从硅片检
  • 关键字: KLA-Tencor  EUV  

半导体押宝EUV ASML突破瓶颈 预计2018年可用于量产

  •   摩尔定律(Moore’s Law)自1970年代左右问世以来,全球半导体产业均能朝此一定律规则前进发展,过去数十年来包括光微影技术(Photolithography)等一系列制程技术持续的突破,才得以让半导体产业能依照摩尔定律演进,进而带动全球科技产业研发持续前进。   但为延续产业良性发展,光是依赖于传统微影技术仍不够,因此芯片制造商也正在苦思试图进行一次重大且最具挑战的变革,即发展所谓的“极紫外光”(EUV)微影技术,该技术也成为台积电、英特尔(Intel)等
  • 关键字: ASML  EUV   

半导体产业中重要一环 EUV光刻最新进展如何

  •   ASML宣称它的Q2收到4台EUV订单,预期明年EUV发货达10台以上。   EUV光刻设备一再延迟,而最新消息可能在2020年时能进入量产,而非常可能应用在5nm节点。   业界预测未来在1znm的存储器生产中可能会有2层或者以上层会采用它,及在最先进制程节点(7 or 5nm)的逻辑器件生产中可能会有6-9层会使用它。   ASML计划2018年时它的EUV设备的产能再扩大一倍达到年产24台,每台售价约1亿美元,目前芯片制造商己经安装了8台,正在作各种测试。   半导体顾问公司的分析师Ro
  • 关键字: 半导体  EUV  
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euv介绍

远紫外线光刻技术(extreme ultraviolet )。 市场的殷切需求和技术节点的不断进步仿佛是悬在光刻技术头顶的“利剑”,虽然不至于“随时冷汗涔涔”,但是在某种程度上督促着光刻要永远走在前面。商品化光刻机分辨率从1.0μm到0.1μm的演变过程和光源波长从436nm(G-line),经历356nm(I-line)和248nm(KrF),到如今193nm(ArF)的过程;NA从0. [ 查看详细 ]

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