首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> euv

台积电要出售?张忠谋:不慌,价好就卖

  • 在前段时间,台积电创始人张忠谋在即将退休的时候却意外表示,其实中国台湾地区的企业本来就不应该死守,假如价钱够好把台积电卖掉也无妨。
  • 关键字: 台积电  EUV  

日媒:三星最高利润背后的危机感

  •   韩国三星电子2017财年(截至2017年12月)合并营业利润创下历史新高,但其危机感正在加剧。三星1月31日发布的财报显示,营业利润同比增长83%,其中仅半导体业务盈利就增至上年的2.6倍,约合3.5万亿日元,显著依赖市场行情,因此危机感增强。3大主要部门面临着半导体增长放缓等课题。三星能否在新经营团队的领导下,将智能手机和电视机的自主技术培育成新的收益源? 2018财年将成为试金石。   三星整体的营业利润为53.65万亿韩元,时隔4年再创历史新高。其中,半导体部门的服务器和智能手机存储销量坚挺,
  • 关键字: 三星  EUV  

EUV微影前进7nm制程,5nm仍存在挑战

  •   EUV微影技术将在未来几年内导入10奈米(nm)和7nm制程节点。 不过,根据日前在美国加州举办的ISS 2018上所发布的分析显示,实现5nm芯片所需的光阻剂仍存在挑战。   极紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技术将在未来几年内导入10奈米(nm)和7nm制程节点。 不过,根据日前在美国加州举办的年度产业策略研讨会(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所发布的分析显示,实现5nm芯片所需的光阻剂(photoresist)仍存在挑战。
  • 关键字: EUV  7nm  

4nm大战,三星抢先导入将EUV,研发GAAFET

  •   晶圆代工之战,7nm制程预料由台积电胜出,4nm之战仍在激烈厮杀。 Android Authority报道称,三星电子抢先使用极紫外光(EUV)微影设备,又投入研发能取代「鳍式场效晶体管」(FinFET)的新技术,目前看来似乎较占上风。   Android Authority报导,制程不断微缩,传统微影技术来到极限,无法解决更精密的曝光显像需求,必须改用波长更短的EUV, 才能准确刻蚀电路图。 5nm以下制程,EUV是必备工具。 三星明年生产7nm时,就会率先采用EUV,这有如让三星在6nm以下的竞
  • 关键字: 4nm  EUV  

​没有EUV 半导体强国之梦就「难产」?

  • 一时之间,仿佛EUV成为了衡量中国半导体设备产业发展水平的标杆,没有EUV就无法实现半导体强国之梦?
  • 关键字: EUV  5nm  

EUV或将决定半导体产业方向,通快加紧布局

  •   近日,TRUMPF公司CTO及股东Peter Leibinger在谈到令人着迷的激光创新时重点提及极紫外光刻,也就是我们常说的EUV。他认为,EUV令人着迷的原因是其极富挑战性及对世界的重要影响。   Peter Leibinger   “如果我们无法实现EUV突破,摩尔定律将失效” Peter Leibinger表示:“其影响范围不仅仅是芯片行业,智能手机产业乃至整个电子装备产业都将改变运作方式。”   什么是EUV?   极紫外光刻(Ex
  • 关键字: TRUMPF  EUV  

EUV面临的问题和权衡

  •   新的光刻工具将在5nm需要,但薄膜,阻抗和正常运行时间仍然存在问题。   Momentum正在应用于极紫外(EUV)光刻技术,但这个谈及很久的技术可以用于批量生产之前,仍然有一些主要的挑战要解决。   EUV光刻技术 - 即将在芯片上绘制微小特征的下一代技术 – 原来是预计在2012年左右投产。但是几年过去了,EUV已经遇到了一些延迟,将技术从一个节点推向下一个阶段。   如今,GlobalFoundries,英特尔,三星和台积电相互竞争,将EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
  • 关键字: EUV  

Brewer Science 为领先制造厂商提供关键性的半导体材料

  •   Brewer Science, Inc. 很荣幸宣布参加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司将与业界同仁交流台湾半导体制造趋势的见解,内容涵盖前端和后端的材料,以及次世代制造的流程步骤。  今日的消费性电子产品、网络、高效能运算 (HPC) 和汽车应用皆依赖封装为小型尺寸的半导体装置,其提供更多效能与功能,同时产热更少且操作时更省电。透过摩尔定律推动前端流程开发,领先的代工和整合组件制造商(IDM
  • 关键字: 晶圆  EUV   

张忠谋:台积电南京厂明年下半量产

  •   台积电(2330)南京厂今日上午正式举行进机典礼,由董事长张忠谋亲自主持,大陆中央及地方贵宾云集,显示对台积电南京投资案重视。   海思及联发科将是首批客户   张忠谋表示,大陆集成电路在中国制造,台积电可助一臂之力。 南京厂预计2018年下半年量产,陆媒预估中国海思及联发科(2454)将是首批客户。   工程师已陆续由台湾进驻   今年上半年台积电工程师已经陆续由台湾进驻南京厂协助建厂事宜,8月16奈米大型机台陆续透过华航包机,由台湾运往南京禄口机场,而南京市政府为了迎接重量级贵宾,加快浦口
  • 关键字: 台积电  EUV  

台积30周年:半导体八巨头将同台,库克没来

  •   晶圆代工龙头台积电将在今年10月23日盛大举办「台积公司30周年庆」论坛,以及于国家音乐厅举办音乐会。 台积电30周年庆活动将由当天下午举行的半导体论坛揭开序幕,由董事长张忠谋亲自主持,将邀请包括高通、博通、辉达(NVIDIA)、ADI、ASML、ARM、苹果等重量级客户及合作伙伴, 与张忠谋一起畅谈半导体产业未来10年展望。   台积电今年欢度30周年,活动当天将盛大举办「台积公司30周年庆」论坛,由董事长张忠谋亲自主持,与谈人包括了NVIDIA执行长黄仁勋、高通执行长Steve Mollenko
  • 关键字: 台积电  EUV  

7nm大战在即 买不到EUV光刻机的大陆厂商怎么办?

  • 对于7nm制程工艺,三星和台积电两大晶圆代工领域巨头都早已入手布局以便争抢IC设计业者们的订单。
  • 关键字: 7nm  EUV  

KLA-Tencor宣布推出针对光学和EUV 空白光罩的全新FlashScanTM产品线

  •   今天,KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*检测产品线。自从1978年公司推出第一台检测系统以来,KLA-Tencor一直是图案光罩检测的主要供应商,新的FlashScan产品线宣告公司进入专用空白光罩的检验市场。光罩坯件制造商需要针对空白光罩的检测系统,用于工艺开发和批量生产过程中的缺陷检测,此外,光罩制造商(“光罩厂”)为了进行光罩原料检测,设备监控和进程控制也需要购买该检测系统。 FlashScan系统可以检查针对光学或极紫外(EUV)光刻的空白光罩。 
  • 关键字: KLA-Tencor  EUV   

首先采用EUV光刻工艺 三星半导体代工优劣势分析

  •   张忠谋曾比喻说:“三星是一只700磅的大猩猩”,表示它十分强悍。然而在现阶段的代工业中三星尚是“新进者”,需要时间的积累。   01、引言   据IC Insight公布的今年Q2数据,三星半导体依158亿美元,同比增长46.5%,超过英特尔而居首。   全球半导体三足鼎立,英特尔、台积电、三星各霸一方,近期内此种态势恐怕难以有大的改变,但是一定会此消彼长,无论哪家在各自领域內都面临成长的烦恼。   然而在三家之中三星谋求改变的势头最猛,而台积电
  • 关键字: 三星  EUV  

EUV需求看俏 ASML频传捷报

  •   全球最大芯片光刻设备市场供货商阿斯麦 (ASML) 公布最新2017第二季财报。ASML表示,由于不论逻辑芯片和DRAM客户都积极准备将EUV导入芯片量产阶段,EUV光刻机目前第二季已累积27台订单总计28亿欧元。   ASML 第二季营收净额 (net sales)21亿欧元,毛利率(gross margin)为45%。在第二季新增8台EUV系统订单,让EUV光刻系统的未出货订单累积到27台,总值高达28亿欧元。   ASML预估2017第三季营收净额(net sales)约为22亿欧元,毛
  • 关键字: ASML  EUV  

EUV在手天下我有 ASML二季度表现亮眼

  •   全球最大芯片光刻设备市场供货商阿斯麦(ASML)近日公布2017第二季财报。ASML第二季营收净额21亿欧元,毛利率为45%。在第二季新增8台EUV系统订单,让EUV光刻系统的未出货订单累积到27台,总值高达28亿欧元。   预估2017第三季营收净额约为22亿欧元,毛利率约为43%。因为市场需求和第二季的强劲财务表现,ASML预估2017全年营收成长可达25%。   ASML总裁暨执行长温彼得指出:“ASML今年的主要营收贡献来自内存芯片客户,尤其在DRAM市场需求的驱动下,这部分的
  • 关键字: EUV  ASML  
共171条 9/12 |‹ « 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 »

euv介绍

在半导体行业,EUV一般指EUV光刻,即极紫外光刻。 极紫外光刻(英语:Extreme ultra-violet,也称EUV或EUVL)是一种使用极紫外(EUV)波长的光刻技术。 EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源,可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。 根据瑞利公式(分辨率=k1·λ/NA),这么短的波长可以提供极高 [ 查看详细 ]

热门主题

EUV    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473